发光元件及用于其的胺化合物和包括其的显示装置制造方法及图纸

提供一种发光元件，所述发光元件包括第一电极、在第一电极上的第二电极、在第一电极与第二电极之间的发射层以及在第一电极与发射层之间的空穴传输区域。空穴传输区域包括由式1表示的胺化合物：1表示的胺化合物：1表示的胺化合物：1表示的胺化合物：

【技术实现步骤摘要】
发光元件及用于其的胺化合物和包括其的显示装置
[0001]本申请要求于2022年1月4日在韩国知识产权局提交的第10
‑
2022
‑
0001177号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。


[0002]在此，本公开的一个或更多个实施例的各方面涉及一种胺化合物、包括该胺化合物的发光元件，并且例如涉及一种在空穴传输区域中包括新型胺化合物的发光元件。

技术介绍

[0003]近来，正在积极进行作为图像显示装置的有机电致发光显示装置的开发。有机电致发光显示装置包括自发光发光元件，其中从第一电极和第二电极注入的空穴和电子在发射层中复合，因此发射层的发光材料发光而实现显示。
[0004]在将发光元件应用于显示装置时，需要具有低驱动电压、高发光效率和长使用寿命的发光元件，并且一直在需要(寻求)开发用于能够稳定地获得这些特性的发光元件的材料。
[0005]为了实现具有低驱动电压的发光元件，正在进行用于具有改善的电子稳定性的空穴传输区域的材料的开发。

技术实现思路

[0006]本公开的一个或更多个实施例的一方面涉及一种具有改善的材料稳定性的胺化合物。
[0007]本公开的一个或更多个实施例的另一方面涉及一种呈现低驱动电压的发光元件和包括该发光元件的显示装置。
[0008]另外的方面将部分地在下面的描述中阐述，并且部分地，通过该描述将是明显的，或者可以通过实践呈现的公开的实施例而获知。
[0009]本公开的实施例提供了一种发光元件，该发光元件包括：第一电极；第二电极，在第一电极上；发射层，在第一电极与第二电极之间；以及空穴传输区域，在第一电极与发射层之间，并且包括由式1表示的胺化合物：
[0010]式1
[0011][0022][0023]式2
‑2[0024][0025]式2
‑3[0026][0027]式2
‑4[0028]在式2
‑
3至式2
‑
5中，R6可以为氢原子、氘原子、卤素原子、氰基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的硫基、取代或未取代的氧基、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基、取代或未取代的具有6个至50个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至50个成环碳原子的杂芳基，并且可选地R6与相邻基团结合以形成环，并且x6为0至8的整数，并且在式2
‑
1至式2
‑
5中，Ar2、R4和x4与式2中定义的相同。
[0029]在实施例中，FF可以由从式2
‑
3a、式2
‑
4a和式2
‑
5a之中选择的任何一个表示：
[0030]式2
‑
3a
[0031][0032]式2
‑5[0033][0034][0035]式2
‑
4a
[0036][0037]式2
‑
5a
[0038][0039]在式2
‑
3a、式2
‑
4a和式2
‑
5a中，Ar2、R6和x6与式2
‑
3、式2
‑
4和式2
‑
5中定义的相同。
[0040]在实施例中，由式1表示的胺化合物可以由从式3
‑
1至式3
‑
3之中选择的任何一个表示：
[0041]式3
‑1[0042][0043]式3
‑2[0044][0045]式3
‑3[0046][0047]在式3
‑
1至式3
‑
3中，L、Ar1和FF与式1中定义的相同。
[0048]在实施例中，L可以为取代或未取代的亚苯基、取代或未取代的亚联苯基或者取代或未取代的二价二苯并呋喃基。
[0049]在实施例中，Ar1可以为取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未
取代的三联苯基、取代或未取代的四联苯基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的二苯并呋喃基或者取代或未取代的二苯并噻吩基。
[0050]在实施例中，空穴传输区域还可以包括由式H
‑
1表示的化合物：
[0051]式H
‑1[0052][0053]在式H
‑
1中，Ar
a
和Ar
b
可以均独立地为取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基，Ar
c
为取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基，L1和L2均独立地为直连键、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的亚芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的亚杂芳基，并且p和q均独立地为0至10的整数。
[0054]在实施例中，发射层可以包括由式E
‑
1表示的化合物：
[0055]式E
‑1[0056][0057]在式E
‑
1中，R
31
至R
40
可以均独立地为氢原子、氘原子、卤素原子、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的硫基、取代或未取代的氧基、取代或未取代的具有1个至10个碳原子的烷基、取代或未取代的具有2个至10个碳原子的烯基、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基，并且可选地R
31
至R
40
与相邻基团结合以形成环，并且c和d均独立地为0至5的整数。
[0058]在实施例中，空穴传输区域可以包括在第一电极上的空穴注入层、在空穴注入层上的空穴传输层和在空穴传输层上的电子阻挡层，并且空穴传输层可以包括由式1表示的胺化合物。
[0059]在实施例中，胺化合物可以是单胺化合物。
[0060]在本公开的实施例中，胺化合物可以由式1表示：
[0061]式1
[0062][0063]在式1中，Ar1可以为取代或未取代的具有6个至50个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至50个成环碳原子的杂芳基，并且排除其中Ar1为取代或未取代的咔唑基的实施例，L为取代或未取代的具有6个至50个成环碳原子的亚芳基或者取代或未取代的具有2个至50个成环碳原子的亚杂芳基，R1为氢原子、氘原子、卤素原子、氰基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的硫基、取代或未取代的氧基、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基、取代或未取代的具有6个至50个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至50个成环碳原子的杂芳基，并且可选地R1与相邻基团结合以形成环，x1为0至5的整数，W1和W2均独立地为CR
a
或与式1中的氮原子结合的碳原子，R
a
为氢原子、氘原子、卤素原本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种胺化合物，所述胺化合物由式1表示：式1其中，在式1中，Ar1为取代或未取代的具有6个至50个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至50个成环碳原子的杂芳基，并且Ar1不为取代或未取代的咔唑基，L为取代或未取代的具有6个至50个成环碳原子的亚芳基或者取代或未取代的具有2个至50个成环碳原子的亚杂芳基，R1为氢原子、氘原子、卤素原子、氰基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的硫基、取代或未取代的氧基、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基、取代或未取代的具有6个至50个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至50个成环碳原子的杂芳基，并且可选地R1与相邻基团结合以形成环，x1为0至5的整数，W1和W2均独立地为CR
a
或与式1中的氮原子结合的碳原子，R
a
为氢原子、氘原子、卤素原子、氰基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的硫基、取代或未取代的氧基、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基、取代或未取代的具有6个至50个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至50个成环碳原子的杂芳基，并且可选地R
a
与相邻基团结合以形成环，FF由式2表示，在式2中，
‑
*为与L连接的位置，式2其中，在式2中，Ar2为取代或未取代的具有6个至50个成环碳原子的芳基，并且Ar2不为取代有胺基的芳基，R4为氢原子、氘原子、卤素原子、氰基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的硫基、取代或未取代的氧基、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基、取代或未取代的具有6个至50个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至50个成环碳原子的杂芳基，并且可选地R4与相邻基团结合以形成环，x4为0至6的整数，
式3
‑
2式3
‑
3其中，在式3
‑
1至式3
‑
3中，L、Ar1和FF与式1中定义的相同。6.根据权利要求1所述的胺化合物，其中，L为取代或未取代的亚苯基、取代或未取代的亚联苯基或者取代或未取代的二价二苯并呋喃基。7.根据权利要求1所述的胺化合物，其中，Ar1为取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的三联苯基、取代或未取代的四联苯基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的二苯并呋喃基或者取代或未取代的二苯并噻吩基。8.根据权利要求1所述的胺化合物，其中，由式1表示的所述胺化合物包括从由化合物组1表示的化合物之中选择的至少一种，化合物组1中的FF
‑
*与*
‑
L连接，并且中的每个与连接：化合物组1
。9.一种发光元件，所述发光元件包括：第一电极；第二电极，在所述第一电极上；发射...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐久间高央，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：