有机化合物及使用其的电子元件和电子装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种有机化合物及使用其的电子元件和电子装置。所述有机化合物具有式I所示的结构，将所述有机化合物应用于有机电致发光器件中，可显著改善器件的性能。可显著改善器件的性能。可显著改善器件的性能。可显著改善器件的性能。

【技术实现步骤摘要】
有机化合物及使用其的电子元件和电子装置


[0001]本申请涉及有机电致发光
，具体地，涉及一种有机化合物及使用其的电子元件和电子装置。

技术介绍

[0002]随着电子技术的发展和材料科学的进步，用于实现电致发光或者光电转化的电子元器件的应用范围越来越广泛。该类电子元器件通常包括相对设置的阴极和阳极，以及设置于阴极和阳极之间的功能层。该功能层由多层有机或者无机膜层组成，且一般包括能量转化层、位于能量转化层与阳极之间的空穴传输层、位于能量转化层与阴极之间的电子传输层。
[0003]以有机电致发光器件为例，其一般包括依次层叠设置的阳极、空穴传输层、作为能量转化层的电致发光层、电子传输层和阴极。当阴阳两极施加电压时，两电极产生电场，在电场的作用下，阴极侧的电子向电致发光层移动，阳极侧的空穴也向发光层移动，电子和空穴在电致发光层结合形成激子，激子处于激发态向外释放能量，进而使得电致发光层对外发光。
[0004]现有技术中，WO2016087017A1、KR1020110110508A、CN 111094234A等公开了可以在有机电致发光器件中使用的材料。然而，依然有必要继续研发新的材料，以进一步提高电子元件的性能。

技术实现思路

[0005]本申请的目的是提供一种有机化合物及使用其的电子元件和电子装置，将所述有机化合物用于有机电致发光器件能够改善器件的性能。
[0006]本申请的第一方面提供一种有机化合物，其具有式I所示的结构：
[0007][0008]其中，X选自O、S、C(R9R
10
)或N(R
11
)；
[0009]R9、R
10
和R
11
相同或不同，且各自独立地选自碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为6～20的芳基、碳原子数为3～20的杂芳基；
[0010]R1、R2、R3和R4相同或不同，且各自独立地选自氘、卤素基团、氰基、碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为3～12的三烷基硅基、碳原子数为1～10的卤代烷基、碳原子数为1～10的氘代烷基、碳原子数为6～20的芳基或碳原子数为3～20的杂芳基；
[0011]R1、R2、R3和R4以R
i
表示，n1、n2、n3和n4以n
i
表示，n
i
表示R
i
的个数，i为变量，为1、2、3
或4，当i为1、2、3或4时，n
i
选自0、1、2、3、4；且当n
i
大于1时，任意两个R
i
相同或不同；
[0012]R5、R6、R7和R8相同或不同，且各自独立地选自氢、氘、碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为6～20的芳基；
[0013]Ar1和Ar2相同或不同，且各自独立地选自碳原子数为6～30的取代或未取代的芳基、碳原子数为3～30的取代或未取代的杂芳基；
[0014]L、L1和L2相同或不同，且各自独立地选自单键、碳原子数为6～30的取代或未取代的亚芳基；
[0015]Ar1、Ar2、L、L1和L2中的取代基各自独立地选自氘、卤素基团、氰基、碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为3～12的三烷基硅基、碳原子数为1～10的卤代烷基、碳原子数为1～10的氘代烷基、碳原子数为6～20的芳基或碳原子数为3～20的杂芳基；任选地，Ar1中的任意两个相邻的取代基形成饱和或不饱和的3～15元环；任选地，Ar2中的任意两个相邻的取代基形成饱和或不饱和的3～15元环。
[0016]本申请的有机化合物是由二苯并六元环螺二苯基七元环和三芳胺结构通过单键或亚芳基连接而成的结构，所形成的化合物在空间上具有适当的扭矩，这种结构能够改善分子的空间构型，改善分子成膜性，且能够提高载流子迁移率，从而提高器件效率。一方面，二苯并六元环螺二苯基七元环具有较高的三线态能级，对于阻挡激子有良好的效果，空间上减少分子堆叠，有效减少分子结晶的可能性，大大提升分子稳定性，使得寿命得有所提升；另一方面，三芳胺结构具有优秀的空穴传输性能，使得整个分子的空穴传输效率得以提升。本申请的有机化合物应用到有机电致发光器件中，能同时提高器件的效率和使用寿命。
[0017]本申请的第二方面提供一种电子元件，包括相对设置的阳极和阴极，以及设于所述阳极和所述阴极之间的功能层；所述功能层包含上述的有机化合物。
[0018]本申请的第三方面提供一种电子装置，包括本申请第二方面所述的电子元件。
[0019]本申请的其他特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。
附图说明
[0020]附图是用来提供对本申请的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本申请，但并不构成对本申请的限制。
[0021]图1是本申请一种实施方式的有机电致发光器件的结构示意图。
[0022]图2是本申请一种实施方式的第一电子装置的示意图。
[0023]图3是本申请一种实施方式的光电转化器件的结构示意图。
[0024]图4是本申请一种实施方式的第二电子装置的示意图。
[0025]附图标记说明
[0026]100、阳极；200、阴极；300、功能层；310、空穴注入层；320、空穴传输层；321、第一空穴传输层；322、第二空穴传输层；330、有机发光层；340、电子传输层；350、电子注入层；360、光电转化层；400、第一电子装置；500、第二电子装置
具体实施方式
[0027]现在将参考附图更全面地描述示例性实施方式。然而，示例性实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的范例；相反，提供这些实施例使得本申请将更加全面和完整，并将示例性实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多个实施方式中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本申请的实施例的充分理解。
[0028]第一方面，本申请提供一种有机化合物，其具有式I所示的结构：
[0029][0030]其中，X选自O、S、C(R9R
10
)或N(R
11
)；
[0031]R9、R
10
和R
11
相同或不同，且各自独立地选自碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为6～20的芳基、碳原子数为3～20的杂芳基；
[0032]R1、R2、R3和R4相同或不同，且各自独立地选自氘、卤素基团、氰基、碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为3～12的三烷基硅基、碳原子数为1～10的卤代烷基、碳原子数为1～10的氘代烷基、碳原子数为6～20的芳基或碳原子数为3～20的杂芳基；
[0033]R1、R2、R3和R4以R
i
表示，n1、n2、n3和n4以n
i
表示，n
i
表示R
i
的个数，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.有机化合物，其特征在于，所述有机化合物具有式I所示的结构：其中，X选自O、S、C(R9R
10
)或N(R
11
)；R9、R
10
和R
11
相同或不同，且各自独立地选自碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为6～20的芳基、碳原子数为3～20的杂芳基；R1、R2、R3和R4相同或不同，且各自独立地选自氘、卤素基团、氰基、碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为3～12的三烷基硅基、碳原子数为1～10的卤代烷基、碳原子数为1～10的氘代烷基、碳原子数为6～20的芳基或碳原子数为3～20的杂芳基；R1、R2、R3和R4以R
i
表示，n1、n2、n3和n4以n
i
表示，n
i
表示R
i
的个数，i为变量，为1、2、3或4，当i为1、2、3或4时，n
i
选自0、1、2、3、4；且当n
i
大于1时，任意两个R
i
相同或不同；R5、R6、R7和R8相同或不同，且各自独立地选自氢、氘、碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为6～20的芳基；Ar1和Ar2相同或不同，且各自独立地选自碳原子数为6～30的取代或未取代的芳基、碳原子数为3～30的取代或未取代的杂芳基；L、L1和L2相同或不同，且各自独立地选自单键、碳原子数为6～30的取代或未取代的亚芳基；Ar1、Ar2、L、L1和L2中的取代基各自独立地选自氘、卤素基团、氰基、碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为3～12的三烷基硅基、碳原子数为1～10的卤代烷基、碳原子数为1～10的氘代烷基、碳原子数为6～20的芳基或碳原子数为3～20的杂芳基；任选地，Ar1中的任意两个相邻的取代基形成饱和或不饱和的3～15元环；任选地，Ar2中的任意两个相邻的取代基形成饱和或不饱和的3～15元环。2.根据权利要求1所述的有机化合物，其中，R9、R
10
和R
11
各自独立地选自甲基、乙基、异丙基、叔丁基、苯基、萘基、联苯基、吡啶基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基或咔唑基；优选地，R1、R2、R3和R4各自独立地选自氘、氟、氰基、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、三甲基硅基、三氟甲基、氘代甲基、苯基、萘基、联苯基、吡啶基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基或咔唑基。3.根据权利要求1所述的有机化合物，其中，R5、R6、R7和R8各自独立地选自氢、氘、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、苯基、萘基或联苯基。4.根据权利要求1所述的有机化合物，其中，Ar1和Ar2各自独立地选自碳原子数为6～25的取代或未取代的芳基、碳原子数为5～20的取代或未取代的杂芳基；优选地，Ar1...

【专利技术属性】
技术研发人员：马林楠，
申请(专利权)人：陕西莱特光电材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：