一种低成本存储封装用芯片互连引线键合结构制造技术

本发明专利技术公开了一种低成本存储封装用芯片互连引线键合结构，涉及芯片生产技术领域；包括导线和设置于导线两侧的键合头，所述导线由两端的金材料以及固定于金材料相对一侧的非贵金属材料组成，所述非贵金属材料可以为铜、铝、银或者合金中的任意一种，金材料与非贵金属材料的总长度比例为1：15

【技术实现步骤摘要】
一种低成本存储封装用芯片互连引线键合结构


[0001]本专利技术涉及芯片生产
，尤其涉及一种低成本存储封装用芯片互连引线键合结构。

技术介绍

[0002]对于存储芯片封装技术来讲，无论是DRAM芯片还是Flash芯片，WB封装工艺目前仍然是主流的封装方案，即采用打线的方式将存储芯片和基板进行互连，达到信号传输的作用。
[0003]由于金线具有非常出色的抗氧化、抗腐蚀能力以及良好的导电特性等优点，相对于Cu材料来讲具有更低的强度，对于存储芯片来讲，芯片的厚度越来越薄，尤其是多层芯片堆叠结构，芯片的厚度降低至50um及以下，其芯片强度相对较低，因此采用强度更低的金线键合方式更适合，可有效的防止芯片破损，padpeeling等可靠性问题。
[0004]由于金材料的价格昂贵，在单颗IC产品中，金线的成本仅次于基板，因此金线的应用提高了封装的整体成本，降低了封装结构的产品竞争力。
[0005]为此，本专利技术提出一种低成本存储封装用芯片互连引线键合结构。

技术实现思路

[0006]本专利技术的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种低成本存储封装用芯片互连引线键合结构。
[0007]为了实现上述目的，本专利技术采用了如下技术方案：
[0008]一种低成本存储封装用芯片互连引线键合结构，包括导线和设置于导线两侧的键合头，所述导线由两端的金材料以及固定于金材料相对一侧的非贵金属材料组成，所述非贵金属材料可以为铜、铝、银或者合金中的任意一种。
[0009]优选地：所述金材料与非贵金属材料的总长度比例为1：15
‑
20。
[0010]优选地：所述非贵金属材料的材料为铜。
[0011]优选地：所述低成本存储封装用芯片互连引线键合结构的生产工艺包括以下步骤：
[0012]S1：制备导线，选用金材料与非贵金属材料制备成导线；
[0013]S2：准备键合头，选择与导线匹配的键合头，并将键合头放入清洗液中清洗，然后在干燥箱中烘干；
[0014]S3：处理导线，将导线放在清洗液中清洗，最后在干燥箱中烘干；
[0015]S4：涂覆，将键合涂料涂于导线的连接部分；
[0016]S5：键合，将导线放入键合头中，然后将键合头与基板对准，进行键合。
[0017]优选地：所述S4步骤中，涂覆的厚度为0.01mm
‑
0.05mm。
[0018]优选地：所述S5步骤中，键合温度为200
‑
250摄氏度，键合压力为40
‑
60N，键合时间为1s
‑
2s。
[0019]优选地：所述S1步骤中，具体包括以下步骤：
[0020]S11：固定，将金材料分别焊接于非贵金属材料的两侧；
[0021]S12：压延，将焊接完成的金材料与非贵金属材料，利用压延机进行压延，直至达到所需厚度；
[0022]S13：切割，根据所需的宽度、长度和比例，对薄片切割，形成导线即可。
[0023]优选地：所述S11步骤中，焊接方式采用摩擦焊接，利用非贵金属材料中间夹持固定不动，将两个金材料分别施加压力贴合于非贵金属材料的端面，并往复运动摩擦，直至焊接完毕。
[0024]优选地：所述S11步骤中，摩擦焊接的焊接压力0.05
‑
0.1Mpa。
[0025]本专利技术的有益效果为：
[0026]1.本专利技术通过将导线的两端设置为金材料，将导线的中部使用非贵金属材料连接金材料，从而一方面保证连接处的可靠性，另一方面也有效的降低金材料的使用，降低成本。
[0027]2.本专利技术通过利用摩擦焊的形式将金材料与非贵金属材料连接，一方面可贴合于整个导线的较薄的特性，防止焊接处松动，增加结构稳定性，另一方面，两处焊接也可同时进行，提高效率。
附图说明
[0028]图1为本专利技术提出的一种低成本存储封装用芯片互连引线键合结构示意图。
[0029]图中：
[0030]1‑
键合头、2
‑
导线、3
‑
金材料、4
‑
非贵金属材料。
具体实施方式
[0031]下面结合具体实施方式对本专利的技术方案作进一步详细地说明。
[0032]在本专利的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“设置”应做广义理解，例如，可以是固定相连、设置，也可以是可拆卸连接、设置，或一体地连接、设置。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本专利中的具体含义。
[0033]实施例1：
[0034]一种低成本存储封装用芯片互连引线键合结构，包括导线2和设置于导线2两侧的键合头1，所述导线2由两端的金材料3以及固定于金材料3相对一侧的非贵金属材料4组成，所述非贵金属材料4为铜。
[0035]所述金材料3与非贵金属材料4的总长度比例为1：20。
[0036]所述低成本存储封装用芯片互连引线键合结构的生产工艺包括以下步骤：
[0037]S1：制备导线2，选用金材料3与非贵金属材料4制备成导线2；
[0038]S2：准备键合头1，选择与导线2匹配的键合头1，并将键合头1放入清洗液中清洗，然后在干燥箱中烘干；
[0039]S3：处理导线2，将导线2放在清洗液中清洗，最后在干燥箱中烘干；
[0040]S4：涂覆，将键合涂料涂于导线2的连接部分；
[0041]S5：键合，将导线2放入键合头1中，然后将键合头1与基板对准，进行键合。
[0042]所述S4步骤中，涂覆的厚度为0.03mm。
[0043]所述S5步骤中，键合温度为200摄氏度，键合压力为60N，键合时间为1s。
[0044]所述S1步骤中，具体包括以下步骤：
[0045]S11：固定，将金材料3分别焊接于非贵金属材料4的两侧；
[0046]S12：压延，将焊接完成的金材料3与非贵金属材料4，利用压延机进行压延，直至达到所需厚度；
[0047]S13：切割，根据所需的宽度、长度和比例，对薄片切割，形成导线2即可。
[0048]所述S11步骤中，焊接方式采用摩擦焊接，利用非贵金属材料4中间夹持固定不动，将两个金材料3分别施加压力贴合于非贵金属材料4的端面，并往复运动摩擦，直至焊接完毕。
[0049]所述S11步骤中，摩擦焊接的焊接压力0.05Mpa。
[0050]实施例2：
[0051]一种低成本存储封装用芯片互连引线键合结构，包括导线2和设置于导线2两侧的键合头1，所述导线2由两端的金材料3以及固定于金材料3相对一侧的非贵金属材料4组成，所述非贵金属材料4可以为铝。
[0052]所述金材料3与非贵金属材料4的总长度比例为1：17。
[0053]所述低成本存储封装用芯片互连引线键合结构的生产工艺包括以本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低成本存储封装用芯片互连引线键合结构，其特征在于，包括导线(2)和设置于导线(2)两侧的键合头(1)，所述导线(2)由两端的金材料(3)以及固定于金材料(3)相对一侧的非贵金属材料(4)组成。2.根据权利要求1所述的一种低成本存储封装用芯片互连引线键合结构，其特征在于，所述非贵金属材料(4)可以为铜、铝、银或者合金中的任意一种。3.根据权利要求2所述的一种低成本存储封装用芯片互连引线键合结构，其特征在于，所述非贵金属材料(4)的材料为铜。4.根据权利要求1
‑
3任一所述的一种低成本存储封装用芯片互连引线键合结构，其特征在于，所述低成本存储封装用芯片互连引线键合结构的生产工艺包括以下步骤：S1：制备导线(2)，选用金材料(3)与非贵金属材料(4)制备成导线(2)；S2：准备键合头(1)，选择与导线(2)匹配的键合头(1)，并将键合头(1)放入清洗液中清洗，然后在干燥箱中烘干；S3：处理导线(2)，将导线(2)放在清洗液中清洗，最后在干燥箱中烘干；S4：涂覆，将键合涂料涂于导线(2)的连接部分；S5：键合，将导线(2)放入键合头(1)中，然后将键合头(1)与基板对准，进行键合。5.根据权利要求4所述的一种低成本存储封装用芯片互连引线键合结构，其特征在于，所述S4...

【专利技术属性】
技术研发人员：何洪文，
申请(专利权)人：沛顿科技深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：