【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及esd失效检测，尤其涉及一种esd内部失效检测方法。
技术介绍
1、随着科技的进步，电子设备对于静电防护(esd)的要求越来越高。由于制造工艺、材料等因素的影响，esd可能会出现内部失效的情况，导致其无法正常工作。esd失效为晶片(die)内部线路及结构因瞬时高电压击穿导致的一种失效模式，损伤点在die内部，其表面看不出任何失效现象，通过开盖分析无法发现。因此，进行esd内部失效进行检测具有重要的意义。
2、目前，对于esd内部失效检测的常规方法为：开盖后使用微光显微镜(emmi)或光诱导电阻变化系统(obirch)进行定位，然后使用fib进行确认失效模式，但该方法设备成本高而且分析周期长，无法对多样品同时进行，使得检测效率不高。基于此，我们提出了一种设备成本不高，分析周期较短，能够对多样品同时进行检测的esd内部失效检测方法。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种esd内部失效检测方法。
2、为了实现上述目的，本专利技术采用了如下技术方案：
3、一种esd内部失效检测方法，包括如下步骤：
4、s1：开盖取晶片，并对晶片进行分离；
5、s2：对晶片进行去表面线路层处理；
6、s3：将晶片进行固定；
7、s4：初步清洗；
8、s5：二次清洗；
9、s6：esd内部失效确认。
10、优选的：所述晶片的分离方法为：
11、优选的：所述表面线路层的去除处理方法为：将晶片置于氢氟酸中，在25℃下反应15～25min，使得钝化层及线路层部分溶解。
12、优选的：所述氢氟酸的浓度为40～55％。
13、优选的：所述晶片的固定方法为：用胶水将die固定到载板上。
14、优选的：所述初步清洗的方式为超声波清洗；
15、所述初步清洗的具体操作为：将固定后的晶片使用300w～500w超声波清洗5～12min。
16、优选的：所述二次清洗的方式为水洗；
17、所述二次清洗的具体操作，包括以下步骤：
18、a1：将固定后的晶片置于90～110℃温度的清洗液中浸泡1min；
19、a2：取出后，用水冲洗晶片至洁净。
20、优选的：所述清洗液为质量比为1：0.7的2-氨基乙醇与异丙醇胺的混合溶液。
21、优选的：所述失效确认的方法为：使用高倍显微镜检查晶片内部，确认esd击穿痕迹。
22、本专利技术的有益效果为：
23、1.本专利技术取出晶片后，先将其浸泡于硝酸中反应，使得晶片分离，然后使用氢氟酸(hf)快速大面积去除晶片的钝化层及线路层，以便能够看到esd击穿现象，再将初步清理后的晶片进行固定后，先后对晶片进行超声波和清洗液清洗，清理晶片表面存在的大量线路干扰检查击穿痕迹等，最后使用高倍显微镜检查晶片内部，确认esd击穿痕迹即可；本专利技术方法操作简单，耗材便宜，设备成本不高，分析周期较短，能够对多样品同时进行esd内部失效的检测，显著提高了检测效率。
24、2.将晶片进行固定，可防止清洗过程中，die会与超声波的桶壁碰撞从而导致die破裂，使得实验失败，因此将其进行固定，对其起到防护作用，使其在进行超声波清洗时不会碰撞到其桶壁。
25、3.超声波清洗能够对经hf去表面线路层后表面仍存在的大量线路干扰检查击穿痕迹进行清理，使部分溶解仍残留在晶片上的线路彻底脱离；二次清洗时可使残留在晶片上的物质增加表面张力，再水洗至洁净即可，以便后续方便观察。
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1.一种ESD内部失效检测方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种ESD内部失效检测方法，其特征在于，所述晶片的分离方法为：将晶片浸泡于浓度为95％的硝酸中，在100℃温度下反应30～50min。
3.根据权利要求2所述的一种ESD内部失效检测方法，其特征在于，所述表面线路层的去除处理方法为：将晶片置于氢氟酸中，在25℃下反应15～25min，使得钝化层及线路层部分溶解。
4.根据权利要求3所述的一种ESD内部失效检测方法，其特征在于，所述氢氟酸的浓度为40～55％。
5.根据权利要求4所述的一种ESD内部失效检测方法，其特征在于，所述晶片的固定方法为：用胶水将die固定到载板上。
6.根据权利要求5所述的一种ESD内部失效检测方法，其特征在于，所述初步清洗的方式为超声波清洗；
7.根据权利要求6所述的一种ESD内部失效检测方法，其特征在于，所述二次清洗的方式为水洗；
8.根据权利要求7所述的一种ESD内部失效检测方法，其特征在于，所述清洗液为质量比为1：0.7的2-氨基乙醇
9.根据权利要求8所述的一种ESD内部失效检测方法，其特征在于，所述失效确认的方法为：使用高倍显微镜检查晶片内部，确认ESD击穿痕迹。
...【技术特征摘要】
1.一种esd内部失效检测方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种esd内部失效检测方法，其特征在于，所述晶片的分离方法为：将晶片浸泡于浓度为95％的硝酸中，在100℃温度下反应30～50min。
3.根据权利要求2所述的一种esd内部失效检测方法，其特征在于，所述表面线路层的去除处理方法为：将晶片置于氢氟酸中，在25℃下反应15～25min，使得钝化层及线路层部分溶解。
4.根据权利要求3所述的一种esd内部失效检测方法，其特征在于，所述氢氟酸的浓度为40～55％。
5.根据权利要求4所述的一种esd内部...
【专利技术属性】
技术研发人员：谢宝慧，易鹏，夏志平，陈旋，陈蕙，董华超，
申请(专利权)人：沛顿科技深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：
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