硅异质结太阳电池的制备方法技术

本发明专利技术提出一种硅基异质结太阳电池的制备方法，该方法包括：对硅片进行制绒处理，并将完成制绒处理的硅片置于硝酸溶液中进行氧化；将完成氧化的硅片置于氢氟酸和硝酸的混合液中，以对硅片背面的金字塔陷光结构进行抛光；抛光完成后，在硅片正面依次沉积本征非晶硅层和磷掺杂的n型非晶硅层，并在硅片背面依次沉积本征非晶硅层和硼掺杂的p型非晶硅层；在硅片的正背面均沉积一层透明导电薄膜，并在硅片背面的透明导电薄膜的表面沉积一层导电金属层；在导电金属层的表面沉积一层抗氧化保护层，而后在硅片正面的印刷栅线。本发明专利技术提出的硅基异质结太阳电池的制备方法，能够降低传统异质结太阳电池的制作成本，同时提高其发电转化效率。化效率。

【技术实现步骤摘要】
硅异质结太阳电池的制备方法


[0001]本专利技术涉及硅异质结太阳电池
，特别涉及一种硅基异质结太阳电池的制备方法。

技术介绍

[0002]在诸多类型的太阳电池中，硅异质结太阳电池因具有转换效率高、温度系数低、无LID及PID衰减等优点而逐渐在光伏产业确立显著的优势地位。
[0003]在现有的异质结太阳电池的制备过程中，受现有硅异质结太阳电池的结构影响，一般需要在硅片的背面沉积ITO薄膜，然后需要在硅片的正背面通过丝网印刷银栅线电极，从而使得在生产硅异质结太阳电池时ITO和低温银浆的消耗量始终较高，导致电池制作成本上升，同时背面采用金字塔绒面结构大大的降低了长波段光的内反射，从而使得电流得不到进一步的提升，影响异质结太阳电池的发电转化效率。

技术实现思路

[0004]基于此，本专利技术的目的是提出一种硅基异质结太阳电池的制备方法，以解决
技术介绍
中的至少一种问题。
[0005]根据本专利技术提出的一种硅基异质结太阳电池的制备方法，所述制备方法包括：
[0006]获取一硅片，并对所述硅片进行制绒处理，以本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硅基异质结太阳电池的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：获取一硅片，并对所述硅片进行制绒处理，以在所述硅片的表面形成金字塔陷光结构，并将完成制绒处理的硅片置于40℃
‑
80℃的硝酸溶液中进行氧化；将完成氧化的硅片置于水中浸泡，并将浸泡后的硅片背面置于氢氟酸和硝酸的混合液中，以对硅片背面的金字塔陷光结构进行抛光；抛光完成后，在硅片正面依次沉积本征非晶硅层和磷掺杂的n型非晶硅层，并在硅片背面依次沉积本征非晶硅层和硼掺杂的p型非晶硅层；在所述硅片的正背面均沉积一层透明导电薄膜，并在硅片背面的透明导电薄膜的表面沉积一层导电金属层；在导电金属层的表面沉积一层抗氧化保护层，而后利用配置好的导电浆料在硅片正面的印刷栅线。2.根据权利要求1所述的硅基异质结太阳电池的制备方法，其特征在于，所述获取一硅片，并对所述硅片进行制绒处理，以在所述硅片的表面形成金字塔陷光结构的步骤包括：将硅片放置于浓度为10％
‑
30％、温度为70℃
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90℃的KOH或NaOH溶液中进行反应；反应1min
‑
20min后，将硅片放置于浓度为0.5％
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10％浓度、温度为50℃
‑
90℃的KOH或NaOH溶液中反应1min
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20min。3.根据权利要求2所述的硅基异质结太阳电池的制备方法，其特征在于，在将完成制绒处理的硅片置于40℃
‑
80℃的硝酸溶液中进行氧化的步骤中：硝酸浓度为2％
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30％，氧化时间为1min
‑
10min。4.根据权利要求1所述的硅基异质结太阳电池的制备方法，其特征在于，在将完成氧化的硅片置于水中浸泡，并将浸泡后的硅片背面置于氢氟酸和硝酸的混合液中，以对硅片背面的金字塔陷光结构进行抛光的步骤中：氢氟酸和硝酸的比例为0.1％
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50％，背面抛光时间为1min
‑
10min，抛光后的背面反射率为20％
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60％。5.根据权利要求1所述的硅异质结太阳电池的制备方法，其特征在于，在制备所述本征非晶硅层的步骤中：设置功率密度为10mW/cm2‑
100mW/cm2，通入的硅烷和氢气的气体流量比为1:1
‑
1:50，气压为30Pa
‑
300Pa，温度为100℃
‑
300℃，所述本征非晶硅层的厚度为5nm
‑
10nm。6....

【专利技术属性】
技术研发人员：宿世超，王伟，田宏波，李世岚，宫元波，
申请(专利权)人：国家电投集团新能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：