硅异质结光伏组件的制备方法与装置制造方法及图纸

本公开提出了一种硅异质结光伏组件的制备方法以及装置，涉及光伏电池技术领域。该方法包括：对硅异质结电池进行预处理，以生成层压件；基于与层压件的类型对应的处理策略对层压件进行处理，以生成待处理组件；将待处理组件转移至EL检测工位，并切换当前电源至目标稳压电源；调整预设的软件参数，并对待处理组件进行电注入处理，以生成目标光伏组件。由此，在提高电池开路电压和填充因子的同时，并不会导致短路电流的降低，从而保持组件中电池串的电流基本不变，使电池分选时电流特性的一致性得以维持，最大化地实现输出功率的提升，且充分地利用了当前已有的EL检测设备，仅需增加稳压电源即可满足电注入处理工序的设备投入，实现组件输出的提升。组件输出的提升。组件输出的提升。

【技术实现步骤摘要】
硅异质结光伏组件的制备方法与装置


[0001]本公开涉及光伏电池
，尤其涉及一种硅异质结光伏组件的制备方法与装置。

技术介绍

[0002]现有技术在硅异质结太阳电池完成金属电极制备后，进行光注入处理，电池效率将获得明显提升，主要表现在开路电压和填充因子的提升，其机理在于温度和光照强度的作用下费米能级发生变化，在电场作用下氢原子迁移并与电池表面及界面的缺陷结合从而使电池中的复合中心密度得到降低，电池钝化效果获得改善。
[0003]然而，组件制备尤其是层压过程中工艺温度可达140℃以上，这将使电池光注入处理积累的性能增益发生一定程度的重置损失，无法实现组件功率的有效提升。

技术实现思路

[0004]本公开旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。
[0005]根据本公开第一方面，提出了一种硅异质结光伏组件的制备方法，包括：
[0006]对硅异质结电池进行预处理，以生成层压件；
[0007]基于与所述层压件的类型对应的处理策略，对所述层压件进行处理，以生成待处理组件；
[0008]将所述待处理组件转移至EL检测工位，并切换当前电源至目标稳压电源；
[0009]调整预设的软件参数，并对所述待处理组件进行电注入处理，以生成目标光伏组件。
[0010]根据本公开第二方面，提出了一种硅异质结光伏组件的制备装置，包括：
[0011]第一生成模块，用于对硅异质结电池进行预处理，以生成层压件；
[0012]第二生成模块，用于基于与所述层压件的类型对应的处理策略，对所述层压件进行处理，以生成待处理组件；
[0013]切换模块，用于将所述待处理组件转移至EL检测工位，并切换当前电源至目标稳压电源；
[0014]第三生成模块，用于调整预设的软件参数，并对所述待处理组件进行电注入处理，以生成目标光伏组件。
[0015]本公开提供的硅异质结光伏组件的制备方法与装置，存在如下有益效果：
[0016]本公开实施例中，首先对硅异质结电池进行预处理，以生成层压件，然后基于与所述层压件的类型对应的处理策略，对所述层压件进行处理，以生成待处理组件，之后将所述待处理组件转移至EL检测工位，并切换当前电源至目标稳压电源，最后调整预设的软件参数，并对所述待处理组件进行电注入处理，以生成目标光伏组件。由此，通过对电池进行电注入，可以在提高电池开路电压和填充因子的同时，并不会导致短路电流的降低，从而保持组件中电池串的电流基本不变，使电池分选时电流特性的一致性得以维持，最大化地实现
输出功率的提升。由于在对待处理组件移至EL检测工位进行电注入处理时，仅需要切换当前电源至目标稳压电源，而除电源之外的其余硬、软件设备均可正常使用。也即是说，该电注入处理工序可以充分地利用当前已有的EL检测设备，仅需增加稳压电源，即可满足电注入处理工序的设备投入，进而实现组件输出的提升，成本较低且便于推广和利用。
[0017]本公开附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本公开的实践了解到。
附图说明
[0018]本公开上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
[0019]图1为本公开第一实施例所提供的硅异质结光伏组件的制备方法的流程示意图；
[0020]图2为本公开第二实施例所提供的硅异质结光伏组件的制备方法的流程示意图；
[0021]图3为本公开第三实施例所提供的硅异质结光伏组件的制备装置的结构框图；
[0022]图4示出了适于用来实现本公开实施方式的示例性计算机设备的框图。
具体实施方式
[0023]下面详细描述本公开的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本公开，而不能理解为对本公开的限制。
[0024]下面参考附图描述本公开实施例的硅异质结光伏组件的制备方法及装置。
[0025]图1为本公开实施例所提供的硅异质结光伏组件的制备方法的流程示意图。
[0026]其中，可以说明的是，本实施例的硅异质结光伏组件的制备方法的执行主体为硅异质结光伏组件的制备装置，下面将以硅异质结光伏组件的制备装置作为执行主体来对本公开提出的硅异质结光伏组件的制备方法进行说明，在此不进行限定。
[0027]如图1所示，该硅异质结光伏组件的制备方法可以包括以下步骤：
[0028]步骤101，对硅异质结电池进行预处理，以生成层压件。
[0029]具体的，本公开中，硅异质结电池为采用掺磷硅片的N型电池。
[0030]可选的，可以对硅异质结电池进行单焊、串焊、叠层、层压以及冷却处理，以生成层压件。
[0031]比如，在进行层压时，可以将敷设好的电池放入层压机内，通过抽真空将组件内的空气抽出，然后加热使EVA熔化，并将电池、玻璃和背板粘接在一起，最后冷却取出组件。
[0032]其中，层压温度层压时间根据EVA的性质决定，使用快速固化EVA时，层压循环时间约为25分钟，固化温度为150℃，在此不做限定。
[0033]步骤102，基于与所述层压件的类型对应的处理策略，对所述层压件进行处理，以生成待处理组件。
[0034]需要说明的是，对于不同类型的层压件，其对应的工序也可能不同，因而，本公开针对层压件的不同类型，分别预先制定了对应的处理策略。
[0035]因而，对于不同类型的层压件，需要用的自动化机械设备也不相同。比如，在对A类型的层压件进行处理时，可以通过组框机进行接框，而对于B类型的层压件，则不需要接框。
[0036]可选的，该装置可以在层压件的类型为第一类型的情况下，可以对层压件进行接框、接线以及固化处理，以生成待处理组件。
[0037]或者，该装置还可以在在所述层压件的类型为第二类型的情况下，对所述层压件进行接线以及固化处理，以生成待处理组件。
[0038]其中，第一类型可以为铝边框的组件，第二类型可以为无边框的类型，在此不做限定。
[0039]举例来说，若当前的层压件为铝边框的组件，则可以对该类型的层压件进行接框、接线以及固化处理，以生成待处理组件。若当前的层压件为无边框的组件，则可以对该类型的层压件进行接线以及固化处理，以生成待处理组件。
[0040]具体的，在进行固化处理时，可以通过固化机对层压件进行固化。
[0041]步骤103，将待处理组件转移至EL检测工位，并切换当前电源至目标稳压电源。
[0042]其中，EL(Electroluminescent)检测工位也即EL检测机。本公开中，在对待处理组件进行常规的EL检测时，也即可以通过当前自带的电源，以及EL检测设备，比如平台、探针、气动阀、电气、控制机构及系统软件。
[0043]而在对待处理组件进行电注入处理时，需要本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硅异质结光伏组件的制备方法，其特征在于，包括：对硅异质结电池进行预处理，以生成层压件；基于与所述层压件的类型对应的处理策略，对所述层压件进行处理，以生成待处理组件；将所述待处理组件转移至EL检测工位，并切换当前电源至目标稳压电源；调整预设的软件参数，并对所述待处理组件进行电注入处理，以生成目标光伏组件。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于与所述层压件的类型对应的处理策略，对所述层压件进行处理，以生成待处理组件，包括：在所述层压件的类型为第一类型的情况下，对所述层压件进行接框、接线以及固化处理，以生成待处理组件；或者，在所述层压件的类型为第二类型的情况下，对所述层压件进行接线以及固化处理，以生成待处理组件。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将所述待处理组件转移至EL检测工位，并切换当前电源至目标稳压电源，包括：切换当前电源至目标稳压电源，并将所述待处理组件移至EL检测工位，以使所述待处理组件的正极和负极分别与检测探针接触，以形成电流回路。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述调整预设的软件参数，对所述待处理组件进行电注入处理，包括：对所述待处理组件施加正向偏压，并基于预设的电注入参数，对所述待处理组件进行分段电注入，其中，每个阶段电注入的电流和时间不同。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述生成目标光伏组件之后，还包括：对所述目标光伏组件进行外...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵晓霞，温庭钧，田宏波，王伟，王彩霞，宗军，孙金华，范霁红，
申请(专利权)人：国家电投集团新能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：