一种异质结太阳能电池片和叠瓦组件制造技术

本实用新型专利技术涉及太阳能电池技术领域，具体公开了一种异质结太阳能电池片和叠瓦组件，包括：

【技术实现步骤摘要】
一种异质结太阳能电池片和叠瓦组件


[0001]本技术涉及太阳能电池
，尤其是涉及一种异质结太阳能电池片和叠瓦组件
。

技术介绍

[0002]随着光伏市场对组件的转换效率要求越来越高，叠瓦组件的电池片以叠瓦形式连接
、
无间距，同样尺寸的组件可放更多电池片，其电池表面无焊带遮挡，可用于发电的面积更大，因此广泛的受到市场的青睐
。
[0003]现有技术的叠瓦异质结太阳能电池片钝化层以及载流子传输层使用的是非晶硅薄膜，为了有效传输光生载流子以及增加光的透射，通常在非晶硅薄膜上镀一层透明导电薄膜，同时采用银浆料在薄膜表面印刷主副栅线，由于存在部分光直接穿透电池片，使得光能不能更多被吸收转换为电能，从而影响最终光电转化效率，并且，由于现有技术叠瓦异质结太阳能电池片栅线常用银浆料印刷制得，电池片生产成本高，同时在电池片受到外力发生隐裂时，银浆栅线容易断裂，从而导致电流传导受阻，使电池片组件的效率下降
。

技术实现思路

[0004]本技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一
。
为此，本技术提出了一种异质结太阳能电池片和叠瓦组件
。
[0005]第一方面，本申请实施例提供了一种异质结太阳能电池片，包括：
[0006]N
型单晶硅片；
[0007]垂直于所述
N
型单晶硅片的受光面依次层叠第一本征非晶硅层
、
第一
N
型非晶硅层
、
第二/>N
型非晶硅层
、
第三
N
型非晶硅层及第一导电透明薄膜层，在所述导电透明薄膜层表面设置有铜主栅线，所述铜主栅线外表面设置有锡层；
[0008]垂直于所述
N
型单晶硅片的背光面依次层叠第二本征非晶硅层
、
第一
P
型非晶硅层
、
第二
P
型非晶硅层
、
第三
P
型非晶硅层
、
第二导电透明薄膜层及铜层，在所述铜层表面设置有铜主栅线，所述铜主栅线外表面设置有锡层
。
[0009]根据本申请的一些实施例，所述铜层的沉积厚度为
300nm
～
800nm
，所述铜层边缘与所述第二导电透明薄膜层边缘距离为
0.2mm
～
2mm。
[0010]根据本申请的一些实施例，所述锡层全包裹所述铜主栅线，所述锡层厚度为
0.1
μ
m
～5μ
m。
[0011]根据本申请的一些实施例，所述第一本征非晶硅层厚度为
2nm
～
20nm
，所述第二本征非晶硅层厚度为
2nm
～
20nm。
[0012]根据本申请的一些实施例，所述第一
N
型非晶硅
、
所述第二
N
型非晶硅层
、
所述第三
N
型非晶硅层厚度均为
1nm
～
10nm。
[0013]根据本申请的一些实施例，所述第一
P
型非晶硅层
、
所述第二
P
型非晶硅层和所述第三
P
型非晶硅层厚度均为
1nm
～
10nm。
[0014]根据本申请的一些实施例，所述导电透明薄膜层表面及所述铜层表面还设置有细栅线，所述细栅线与所述铜主栅线垂直
。
[0015]根据本申请的一些实施例，所述铜主栅线宽度为
0.04mm
～
2.0mm
，所述细栅线宽度为
0.008mm
～
0.15mm。
[0016]第二方面，本申请实施例提供了一种叠瓦组件，所述叠瓦组件由按照上述第一方面任一项实施例所述的异质结太阳能电池片以叠瓦方式连接而成
。
[0017]与现有技术相比，本技术的技术方案至少包括以下有益效果：
[0018]本技术的异质结太阳能电池片通过在电池片背光面表面沉积一层铜层，由于铜层对光的反射作用，使穿透过单晶硅及非晶硅层的光反射回进行二次吸收，提高太阳能电池片的光电转化效率，铜层设置提高了电池片的电池填充因子
FF
，使电池发电效率得到提高；
[0019]铜栅线替代银栅线设置，降低了电池片的生产成本，在铜栅线表面镀锡层，有效防止铜栅线接触空气发生氧化，提高了电池片耐用度；同时由于铜锡栅线的强度更高，结合铜层的设置，当太阳能电池片受到外力发隐裂时，可以进一步减少栅线断裂甚至避免栅线断裂，提高了电池片的稳定性；
[0020]同时由于锡层容易焊接，通过将一块太阳能电池片背光面一侧端与另一太阳能电池片受光面侧端主栅通过焊带连接，大幅度的减少电池片交叠次数，从而减少了电池片的损耗
。
[0021]本技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本技术的实践了解到
。
附图说明
[0022]为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图
。
[0023]图1是根据本技术实施例的一种异质结太阳能电池片的结构示意图；
[0024]图2是根据本技术实施例的一种异质结太阳能电池片的正面结构示意图；
[0025]图3是根据本技术实施例的一种叠瓦组件和异质结太阳能电池片的结构示意图
。
[0026]附图标记：
[0027]10、
第一电池片；
20、
第二电池片；
30、
焊带；
[0028]100、N
型单晶硅片；
[0029]310、
第一本征非晶硅层；
320、
第二本征非晶硅层；
[0030]410、
第一
N
型非晶硅层；
411、
第二
N
型非晶硅层；
412、
第三
N
型非晶硅层；
[0031]420、
第一
P
型非晶硅层；
421、
第二
P
型非晶硅层；
422、
第三
P
型非晶硅层；
[0032]510、
第一导电透明薄膜层；
520、
第二导电透明薄膜层；
[0033]600、
铜层；
[003本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种异质结太阳能电池片，其特征在于，包括：
N
型单晶硅片；垂直于所述
N
型单晶硅片的受光面依次层叠第一本征非晶硅层
、
第一
N
型非晶硅层
、
第二
N
型非晶硅层
、
第三
N
型非晶硅层及第一导电透明薄膜层，在所述第一导电透明薄膜层表面设置有铜主栅线，所述铜主栅线外表面设置有锡层；垂直于所述
N
型单晶硅片的背光面依次层叠第二本征非晶硅层
、
第一
P
型非晶硅层
、
第二
P
型非晶硅层
、
第三
P
型非晶硅层
、
第二导电透明薄膜层及铜层，在所述铜层表面设置有铜主栅线，所述铜主栅线外表面设置有锡层
。2.
根据权利要求1所述的一种异质结太阳能电池片，其特征在于，所述铜层的沉积厚度为
300nm
～
800nm
，所述铜层边缘与所述第二导电透明薄膜层边缘距离为
0.2mm
～
2mm。3.
根据权利要求1所述的一种异质结太阳能电池片，其特征在于，所述锡层全包裹所述铜主栅线，所述锡层厚度为
0.1
μ
m
～5μ
m。4.
根据权利要求1所述的一种异...

【专利技术属性】
技术研发人员：黎力，宿世超，田宏波，王伟，李世岚，
申请(专利权)人：国家电投集团新能源科技有限公司，
类型：新型
国别省市：