一种抗干扰异步修调晶圆测试方法技术

本发明专利技术提供一种抗干扰异步修调晶圆测试方法，采用探针卡对晶圆上的芯 片进行测试和修整，所述探针卡上具有测试探针和熔丝探针两种探针，包括以 下步骤：步骤一、测试芯片在修整熔丝之前的初始值；步骤二、修整熔丝；步 骤三、测试修整熔丝之后的最终修调结果，在上述三个步骤中，每次只采用一 种探针与所述芯片相接触。在步骤一和步骤三中测试被测芯片相关参数值时， 被测芯片只与测试探针接触，而未接触到熔丝探针，从而避免了熔丝探针对芯 片测试的干扰，初始值测试精度得到很大的提高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，且特别涉及一种将熔丝探 针和测试探针分别布置在不同的芯片上抗干扰异步修调晶圆测试方法。
技术介绍
电子芯片的开发包含芯片设计，晶圆制造，晶圆测试，切割封装，封装 测试等。晶圆测试是由测试机台与探针卡共同构建一个测试环境，在此环境下 测试晶圓上的芯片，以确保各个芯片的电气特性与功能都符合设计的规格和规 范。未能通过测试的芯片将会被标记为不良产品，在其后的切割封装阶段将被 筛选出来。只有通过测试的芯片才会被封装。晶圆测试对于降低芯片的生产成 本和提高芯片的质量是非常必要的。而一个优质的芯片测试环境将是这一切的 一个非常重要的保证。在晶圆测试时，为了提高芯片的良率和质量，通常需要对芯片的若干参数 进行必要的修调。以熔丝型芯片为例，常用的修调方法是通过修整熔丝以改变 被测芯片的内部电路来实现修调的目的。熔丝型芯片在晶圆测试时，修整熔丝一般分为三个基本步骤1、 测试被测芯片在修整熔丝前的初始值。在修整熔丝之前，需要测试芯片 的初始值以决定修整的熔丝组合。因此该初始值测试的准确性将是致关重要的， 甚至直接决定着修整熔丝的成败。2、 修整熔丝。根据被测芯片在修整熔丝之前的初始值选定需要修整的熔丝 组合，然后由熔断电路来电熔断所选熔丝组合。3、 测试被测芯片在修整熔丝之后的最终修调结果，并判断是否符合要求。 上述步骤l、 3的测试数据是通过探针卡上的测试探针获取的，而步骤2的操作则是通过探针卡上的熔丝探针来进行的。相应的，每一个熔丝型芯片上设 有与熔丝探针和测试探针相匹配的接点，供探针接触。目前，现有技术方案中在上述步骤中将熔丝探针和测试探针布置在同一颗3芯片上，图1是利用现有探针卡10测试芯片103时，探针12在芯片103上相 应位置的放大示意图，由于探针12上的熔丝探针122和测试探针121同时与 芯片103上的熔丝探针接点和测试探针接点相接触，使得在进行测试芯片103 时，熔丝探针和熔丝探针接点之间、测试探针和测试探针接点之间都形成了通 路，导致熔丝探针对该集成电路芯片测试的千扰问题。另外芯片在晶圆测试时的测试环境与芯片封装后的使用环境完全不同，大 大增加了芯片在晶圆测试时外部环境对芯片的干扰。这种干扰对于 一 些比较敏 感的芯片或者参数精度要求较高的芯片将是致命的、是必须克服的。
技术实现思路
本专利技术提供一种抗千扰异步修调晶圆测试方法，以通过避免熔丝探针对芯 片参数测试的千扰来提高修调的精确性。为了达到上述目的，本专利技术提供，采用 探针卡对晶圆上的芯片进行测试和修整，所述探针卡上具有测试探针和熔丝探 针两种探针，包括以下步骤步骤一、测试芯片在修整熔丝之前的初始值；步 骤二、修整熔丝；步骤三、测试修整熔丝之后的最终修调结果，在上述三个步 骤中，每次只采用一种探针与所述芯片相接触。所述步骤一中，采用测试探针与所述芯片相接触，测试芯片在修整熔丝之 前的初始值。所述步骤二中，采用熔丝探针与所述芯片相接触，并根据所述初始值选定 需要修整熔丝的组合，再对所述芯片进行修整熔丝。所述修整熔丝步骤采用电路电熔断熔丝法或激光切割熔丝法实现。所述步骤三中，采用测试探针与所述芯片相接触，测试芯片在修整熔丝之 后的最终修调结果，并判断该最终修调结果是否符合要求。所述探针卡上依次设置有第一测试探针组、熔丝探针组和第二测试探针组， 通过晶圆与探针卡的相对位移，使晶圆上的所述芯片依次移动至各个探针组所 对应的区域内，并依次执行步骤一至步骤三。本技术方案在测试芯片时，对于某一芯片而言，每次只会有一种探针，即 测试探针或熔丝探针与之接触，因此在修整熔丝之前进行测试芯片初始值时以及在修整熔丝之后进行最终修调结果时，被测芯片不会与熔丝探针相接触，从 而避免了熔丝探针对芯片测试初始值和修调结果的干扰，测试精度得到很大的 提高。附图说明图1所示为现有技术方案中测试芯片时探针在芯片相应位置的放大示意图。图2所示为本专利技术技术方案中进行晶圆测试时探针在相邻芯片相应位置的 放大示意图。图3所示为本专利技术晶圆测试的流程图。具体实施例方式下面结合附图给出本专利技术较佳实施例，以详细说明本专利技术的技术方案。图2是利用本技术探针卡IO进行晶圆测试时，熔丝探针122和测试探 针121在晶圆上相邻芯片102、 103、 104上对应位置的放大示意图，如图所示， 熔丝探针仅与芯片103上相应的接点接触，两组测试探针分别与芯片102和芯 片104上的测试探针接点接触，可见，熔丝探针122和测试探针121在同一步 骤时是对应于不同芯片的，因此测试某一芯片时，不会存在由于熔丝探针122 和测试探针121同时与芯片接触而带来干扰的问题。图3所示为利用本技术探针卡进行晶圆测试流程图，晶圓单方向进行 测试，程序设计要与测试方向一致。为便于说明，假定设置探针台，使晶圆从 右向左单向测试。以芯片103的修调过程为例来说明本技术方案实现修调的整 个过程。主要分为以下三个步骤步骤一测试芯片103在修整熔丝之前的初始值；1、 使被测芯片103相对探针卡的位置移动到如图202位置，此时探针卡 上只有右侧的一组测试探针位于芯片103上方。2、 使该组测试探针与芯片103上的测试探针接点相接触，测试被测芯片 103在修整熔丝之前的初始值并保存该初始值到临时文件1中。因为在测试芯片 103时芯片103上没有接触到熔丝探针，所以就避免了熔丝探针对芯片103测试的干扰。在大量的对比实验中，与现有的技术方案相比，本方案可将电压初始值的测试精度由±2%提高到± 0.5%。3、将临时文件1中数据传送给临时文件2。 步骤二修调熔丝；1、 晶圓向左步移一位，使芯片103相对探针卡位移到203位置，此时芯 片103上方只有熔丝探针；2、 读取临时文件2中数据，此数据为芯片103在修整熔丝之前的初始值。 根据该初始值选定需要修整熔丝的组合，使熔丝探针与芯片103上的熔丝探针 接点相接触，并进行修整熔丝；其中修整熔丝的方法可以是使用熔断电路电熔断熔丝，也可以用激光切割 熔丝法来实现。3、 将临时文件2中数据传送给临时文件3。 步骤三测试^修整炫丝之后的最终修调结果。1、 晶圆向左步移一位，使芯片103相对探针卡位移到204位置，此时与 芯片103相对应的是探针卡上左侧的一组测试探针；2、 测试芯片103在修整熔丝之后的最终修调结果。因为在测试时芯片103 上没有接触到熔丝探针，所以就避免了熔丝探针对芯片103测试的千扰。在大 量的对比实验中，与现有的技术方案相比，本方案可将电压修调结果的测试精 度由±5%提高到±0.5%。3、 判断在修整熔丝之后的最终修调结果是否符合要求。读取临时文件3 中数据，打印修整熔丝前后的测试数据结果。在步骤一和步骤三中测试被测芯片相关参数值时，被测芯片只与测试探针 接触，而未接触到熔丝探针，从而避免了熔丝探针对芯片测试的干扰，初始值 测试精度得到很大的提高。虽然本专利技术已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本专利技术。本专利技术 所属
中具有通常知识者，在不脱离本专利技术的精神和范围内，当可作各 种的更动与润饰。因此，本专利技术的保护范围当视权利要求书所界定者为准。权利要求1、，采用探针卡对晶圆上的芯片进行测试和修整，所述探针卡上具有测试探针和熔丝探针两种探针，所述方法包括以下步骤步本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种抗干扰异步修调晶圆测试方法，采用探针卡对晶圆上的芯片进行测试和修整，所述探针卡上具有测试探针和熔丝探针两种探针，所述方法包括以下步骤：步骤一、测试芯片在修整熔丝之前的初始值；步骤二、修整熔丝；步骤三、测试修整熔丝之后的最终修调结果，其特征在于：在上述三个步骤中，每次只采用一种探针与所述芯片相接触。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张志勇，叶守银，祁建华，岳小兵，
申请(专利权)人：上海华岭集成电路技术有限责任公司，
类型：发明
国别省市：31