本实用新型专利技术提供一种直拉单晶硅加料器自动吹扫装置及具有其的单晶炉。其中，直拉单晶硅加料器自动吹扫装置，包括：吹扫组件，所述吹扫组件用于安装在单晶炉的副室的底部开口处，以对由所述副室底部的开口吊入的加料器表面进行吹扫清理；进气组件，所述进气组件的一端连通所述吹扫组件以对所述吹扫组件进气，所述进气组件的另一端连接气源。根据本实用新型专利技术实施例的直拉单晶硅加料器自动吹扫装置，能够自动对单晶炉内的加料器进行吹扫清理，保证炉内拉晶的清洁度。拉晶的清洁度。拉晶的清洁度。
【技术实现步骤摘要】
一种直拉单晶硅加料器自动吹扫装置及具有其的单晶炉
[0001]本技术涉及光伏生产
，具体涉及一种直拉单晶硅加料器自动吹扫装置及具有其的单晶炉。
技术介绍
[0002]在目前直拉单晶硅生产中，一炉单晶拉制完毕后需要进行加料继续拉制。在使用加料器进行加料的过程中，为防止加料器表面粉尘进入单晶炉内影响拉晶环境，首先需要人工使用器具对加料器表面进行吹扫清理干净，然后再把加料器吊入单晶炉内进行加料操作。这种清理方式不仅增加了作业人员的劳动的强度，而且由于清理方式因人而异，造成加料器洁净效果无法保证，从而影响拉晶的质量。
技术实现思路
[0003]有鉴于此，本技术提供一种直拉单晶硅加料器自动吹扫装置及具有其的单晶炉，以自动对单晶炉内的加料器进行吹扫清理，保证炉内拉晶的清洁度。
[0004]为解决上述技术问题，本技术采用以下技术方案：
[0005]根据本技术第一方面实施例的直拉单晶硅加料器自动吹扫装置，包括：
[0006]吹扫组件，所述吹扫组件用于安装在单晶炉的副室的底部开口处，以对由所述副室底部的开口吊入的加料器表面进行吹扫清理；
[0007]进气组件，所述进气组件的一端连通所述吹扫组件以对所述吹扫组件进气，所述进气组件的另一端连接气源。
[0008]进一步地，所述吹扫组件包括：
[0009]分流法兰盘，所述分流法兰盘呈环状，所述分流法兰盘内部开设有环状的气道，所述分流法兰盘的侧壁上开设有进气口，所述分流法兰盘表面周向上还开设有多个出气口，所述进气口、气道和出气口相连通；
[0010]多个吹扫枪头，多个所述吹扫枪头安装在所述出气口上，所述吹扫枪头的吹气口朝向所述分流法兰盘的环心设置。
[0011]进一步地，多个所述出气口沿所述分流法兰盘表面周向上对称均匀设置。
[0012]进一步地，所述吹扫枪头为L状的中空管件，所述吹扫枪头的竖直部连接所述出气口，所述吹扫枪头的折弯部朝向所述分流法兰盘的环心。
[0013]进一步地，所述分流法兰盘的表面上沿周向开开设有多个沉头通孔，所述沉头通孔穿设螺栓以将所述分流法兰盘安装在所述单晶炉的副室的底部开口处。
[0014]进一步地，一对所述进气口对称设置在所述分流法兰盘的侧壁两侧，
[0015]所述进气组件包括:
[0016]一对第一进气管，一对所述第一进气管的出口端分别通过进气管接头与所述分流法兰盘的侧壁两侧的所述进气口连接，一对所述第一进气管的进口端连接所述气源。
[0017]进一步地，所述进气组件还包括：
[0018]三通接头，所述三通接头的第一端和第二端分别连接一对所述第一进气管的进口端；
[0019]第二进气管，所述第二进气管的出口端连接所述三通接头的第三端；
[0020]控制阀，所述控制阀安装在所述第二进气管上以控制第二进气管的进气。
[0021]进一步地，所述第一进气管呈C字状，C字状所述第一进气管的进口端连接所述三通接头，C字状所述第一进气管的出口端连接所述进气口，所述第一进气管的弧度适配所述分流法兰盘的外周。
[0022]进一步地，所述进气组件还包括流量计，所述流量计安装在所述第二进气管上用于监测所述第二进气管的进气量。
[0023]根据本技术第二方面实施例的单晶炉，包括：
[0024]主室；
[0025]旋转装置，所述旋转装置设置在所述主室的一侧；
[0026]副室，所述副室连接在所述旋转装置上以通过所述旋转装置移运吊装至所述主室顶部；以及
[0027]上述任一实施例所述的直拉单晶硅加料器自动吹扫装置，所述自动吹扫装置安装在所述副室底部的开口处。
[0028]本技术的上述技术方案至少具有如下有益效果之一：
[0029]根据本技术实施例的直拉单晶硅加料器自动吹扫装置包括吹扫组件和进气组件，进气组件的一端连通吹扫组件以对吹扫组件进气，并通过将吹扫组件安装在单晶炉的副室的底部开口处以对由副室底部的开口吊入的加料器表面进行吹扫清理，由此可对加料器表面进行自动吹扫，无需人工操作，大大降低了劳动强度，且保证了单晶炉内拉晶的清洁度，提高拉晶品质。
附图说明
[0030]图1为本技术第一方面实施例的直拉单晶硅加料器自动吹扫装置的一结构示意图；
[0031]图2为本技术第一方面实施例的直拉单晶硅加料器自动吹扫装置的另一结构示意图；
[0032]图3为图2的仰视图；
[0033]图4为图3中的A
‑
A向剖视图；
[0034]图5(a)、(b)、(c)、(d)为本技术第二方面实施例的单晶炉的操作流程示意图，其中，图5(a)吊装加料器至副室开口，图5(b)吊装加料器部分进入副室，图5(c)吊装加料器完全进入副室，图5(d)吊装副室与主室连接；
[0035]附图标记：100.吹扫组件；
[0036]110.分流法兰盘；111.进气口；112.出气口；113.沉头通孔；114.气道；120.吹扫枪头；
[0037]200.进气组件；
[0038]210.第一进气管；220.三通接头；230.流量计；240.控制阀；
[0039]300.单晶炉副室；310.开口；
[0040]400.加料器；
[0041]500.旋转装置；
[0042]600.立柱；
[0043]700.单晶炉主室；710.隔离阀。
具体实施方式
[0044]为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例的附图，对本技术实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本技术的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0045]除非另作定义，本技术中使用的技术术语或者科学术语应当为本技术所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本技术中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也相应地改变。
[0046]下面首先结合附图具体描述根据本技术实施例的直拉单晶硅加料器自动吹扫装置。
[0047]如图1所示，根据本技术第一方面实施例的直拉单晶硅加料器自动吹扫装置，包括：吹扫组件100和进气组件200。
[0048]其中，吹扫组件100用于安装在单晶炉的副室的底部开口处，以对由副室底部的开口吊入的加料器表面进行吹扫清理。
[0049]进气组件200的一端连通吹扫组件100以对吹扫组件1本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种直拉单晶硅加料器自动吹扫装置，其特征在于，包括：吹扫组件，所述吹扫组件用于安装在单晶炉的副室的底部开口处，以对由所述副室底部的开口吊入的加料器表面进行吹扫清理；进气组件，所述进气组件的一端连通所述吹扫组件以对所述吹扫组件进气，所述进气组件的另一端连接气源。2.根据权利要求1所述的直拉单晶硅加料器自动吹扫装置，其特征在于，所述吹扫组件包括：分流法兰盘，所述分流法兰盘呈环状，所述分流法兰盘内部开设有环状的气道，所述分流法兰盘的侧壁上开设有进气口，所述分流法兰盘表面周向上还开设有多个出气口，所述进气口、气道和出气口相连通；多个吹扫枪头，多个所述吹扫枪头安装在所述出气口上，所述吹扫枪头的吹气口朝向所述分流法兰盘的环心设置。3.根据权利要求2所述的直拉单晶硅加料器自动吹扫装置，其特征在于，多个所述出气口沿所述分流法兰盘表面周向上对称均匀设置。4.根据权利要求2所述的直拉单晶硅加料器自动吹扫装置，其特征在于，所述吹扫枪头为L状的中空管件，所述吹扫枪头的竖直部连接所述出气口，所述吹扫枪头的折弯部朝向所述分流法兰盘的环心。5.根据权利要求2所述的直拉单晶硅加料器自动吹扫装置，其特征在于，所述分流法兰盘的表面上沿周向开开设有多个沉头通孔，所述沉头通孔穿设螺栓以将所述分流法兰盘安装在所述单晶炉的副室的底部开口处。6.根据权利要求2所述的直拉单晶硅加料器自动吹扫装置，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：王甫朝，宋克冉，武绚丽，
申请(专利权)人：曲靖晶澳光伏科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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