单晶炉用加料方法、单晶炉及计算机可读存储介质技术

本发明专利技术提供了单晶炉用加料方法、单晶炉及计算机可读存储介质，涉及拉晶技术领域。方法包括：获取预设加料总质量M1、首次加料的质量m1、末次加料的质量m2、单次平均加料质量坩埚的半径r；首次加料；用M1减去m1，并减去m2，得到待分配料的质量M2；根据M2、确定待分配料所需的加料次数，以及待分配料分别在各加料次的加料质量；将前一次所加料熔化至80％

【技术实现步骤摘要】
单晶炉用加料方法、单晶炉及计算机可读存储介质


[0001]本专利技术涉及单晶拉晶
，特别是涉及一种单晶炉用加料方法、单晶炉及计算机可读存储介质。

技术介绍

[0002]单晶拉晶生长领域，目前行业内主要以直拉法(CZ)拉晶技术为基础进行拉晶，多次装料法(RCZ)拉晶是在CZ法基础上的升级，该RCZ拉晶需要在加料过程中使用石英筒加料方式，并且都需要多次石英筒补料，如果拉制的单晶硅棒段数过多，则加料次数成倍数增长。
[0003]在多次装料拉晶过程中，每次加料都需要人工干预。专利技术人在研究上述现有的多次装料拉晶过程发现：在加料过程中，人工操作繁琐，耗费时间、而且容易溅硅，从很大程度上减低了产能。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种单晶炉用加料方法、单晶炉及计算机可读存储介质，旨在解决多次装料拉晶过程中，加料期间人工操作繁琐，耗费时间、而且容易溅硅，产能低的问题。
[0005]本专利技术的第一方面，提供一种单晶炉用加料方法，包括：
[0006]获取预设加料总质量M1、首次加料的质量m1、末次加料的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种单晶炉用加料方法，其特征在于，包括：获取预设加料总质量M1、首次加料的质量m1、末次加料的质量m2、单次平均加料质量坩埚的半径r；控制单晶炉，在坩埚位于起始埚位的情况下，首次加料；用M1减去所述m1，并减去所述m2，得到待分配料的质量M2；根据所述M2、所述确定所述待分配料所需的加料次数，以及所述待分配料分别在各加料次的加料质量；将前一次所加料熔化至80％
‑
90％的质量的时刻，确定为相邻的后一加料次的加料时刻；根据ΔH＝m
÷
πr2ρ，确定除首次加料外的每一加料次对应的坩埚需要下降的高度；所述m为除首次加料外的每一加料次所加料的加料质量，ρ为熔硅的密度；控制单晶炉，在每一加料次的加料时刻，将坩埚下降所述加料次对应的ΔH，然后向坩埚内加所述加料次对应的加料质量的硅原料，直至末次加料完毕。2.根据权利要求1所述的单晶炉用加料方法，其特征在于，所述根据所述M2、所述确定所述待分配料所需的加料次数，以及所述待分配料分别在各加料次的加料质量，包括：用所述M2除以所述得到商；在所述商为整数的情况下，所述商为所述待分配料所需的加料次数，所述待分配料分别在各加料次的加料质量均相等，均为所述在所述商为小数的情况下，对所述商取整，取整的结果为所述待分配料所需的加料次数，将所述M2在所述待分配料所需的加料次数中分配，且分配在各加料次的加料质量，与所述的差值的绝对值，均小于或等于8％3.根据权利要求2所述的单晶炉用加料方法，其特征在于，分配在各加料次的加料质量的过程中：时间靠前的加料次对应的加料质量，大于或等于时间靠后的加料次对应的加料质量；所述时间靠前的加料次，比所述时间靠后的加料次更靠近所述首次加料。4.根据权利要求1
‑
3中任一所述的单晶炉用加料方法，其特征在于，所述m1均大于所述待分配料分别分配在各加料次的加料质量，所述待分配料分别在各加料次的加料质量均大于所述m2。5.根据权利要求1
‑
3中任一所述的单晶炉用加料方法，其特征在于，所述将前...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵阳，张伟建，刘永生，武高峰，
申请(专利权)人：权利要求书二页说明书一一页附图二页，
类型：发明
国别省市：