【技术实现步骤摘要】
基板处理装置及包括其的基板绑定系统以及基板处理方法
[0001]本专利技术作为基板处理装置及包括其的基板绑定系统以及基板处理方法，更详细地涉及当进行用于绑定两基板的混合键合(Hybrid bonding)的等离子体处理时通过调节处理气体(Process gas)、控制气体(Control gas)、载气(Carrier gas)在基板中心(Center)和基板边缘(Edge)之间的比例而确保在基板上面生成的羟基(
‑
OH)的均匀度(Uniformity)来绑定基板的技术。
技术介绍
[0002]为了半导体元件的高密度集成化，适用三维层叠技术。与二维集成化技术相比，三维层叠技术飞跃提高每单位面积集成度或缩短配线的长度，能够提高芯片的性能。而且，也可以通过不同元件间的结合而发挥出新的特性。
[0003]三维层叠技术大致上有C2C(Chip to Chip)、C2W(Chip to Wafer)、W2W(Wafer to Wafer)方式。
[0004]W2W层叠方式是将晶圆和晶圆层叠后通过划片(...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种基板处理装置，其特征在于，包括：工艺腔室，提供处理空间，在所述处理空间中形成用于在基板表面生成羟基的等离子体处理；基板支承构件，配置于所述处理空间而支承所述基板；气体供应构件，向所述处理空间供应包括工艺气体的多个气体；以及控制构件，将安放在所述基板支承构件中的基板划分为多个区域并按照各区域独立地控制供应的多个气体的流量而调节工艺气体按照所述基板的区域的密度，将多个气体中的选择的一个以上的气体按照所述基板的区域调节供应量而调节工艺气体的密度，从而调节在所述基板表面生成的羟基的均匀度。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述基板处理装置还包括：气体分配构件，配置于所述工艺腔室的处理空间上方而划分上等离子体空间，并使得通过所述气体供应构件供应的多个气体朝向安放在所述基板支承构件中的基板扩散。3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，所述气体供应构件包括：工艺气体供应源，供应工艺气体；控制气体供应源，供应控制气体；第一流量控制器，向与所述基板的多个区域对应的所述上等离子体空间的多个区域调节工艺气体的供应比例来进行分配供应；以及第二流量控制器，向与所述基板的多个区域对应的所述上等离子体空间的多个区域调节控制气体的供应比例来进行分配供应，所述控制构件通过所述第一流量控制器以及所述第二流量控制器将所述工艺气体以及所述控制气体按照区域控制供应比例而调节所述上等离子体空间的多个区域的每一个的工艺气体的密度。4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，所述气体分配构件在内部布置气体扩散空间，所述气体供应构件包括：载气供应源，供应载气；以及第三流量控制器，向与所述基板的多个区域对应的所述气体扩散空间的多个区域调节载气的供应比例来进行分配供应，所述控制构件通过所述第三流量控制器将所述载气按照区域控制供应比例而调节所述基板的多个区域的每一个的工艺气体的密度。5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，所述控制构件通过所述第三流量控制器将所述载气按照区域控制供应量而调节向所述基板的多个区域供应的工艺气体的速度。6.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，所述气体分配构件包括：上淋浴板，被流入所述上等离子体空间的气体；气体扩散空间，形成于所述上淋浴板下方；以及
下淋浴板，使所述扩散空间的气体向所述处理空间扩散。7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，所述上淋浴板布置有向与所述基板的多个区域对应的所述气体扩散空间的多个区域的每一个排放载气的多个气体流路。8.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，所述上淋浴板布置有：中心气体流路，向所述气体扩散空间的中心区域排放载气；以及边缘气体流路，向所述气体扩散空间的边缘区域排放载气。9.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，所述气体供应构件包括：第一供应管，将工艺气体以及控制气体向所述上等离子体空间的多个区域的每一个供应。10.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，所述气体供应构件包括：第一中心供应管，将工艺气体以及控制气体向所述上等离子体空间的中心区域供应；以及第一边缘供应管，将工艺气体以及控制气体向所述上等离子体空间的边缘区域供应。11.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，所述气体供应构件包括：第二供应管，将载气向所述气体扩散空间的多个区域的每一个供应。12.根据权利要求11所述的基板处理装置，其特征在...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。