等离子体处理装置和静电卡盘的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供能够使RF电功率的损失和泄漏降低的等离子体处理装置和静电卡盘的制造方法。本发明专利技术的等离子体处理装置包括：等离子体处理腔室；配置在所述等离子体处理腔室内的基片支承部，所述基片支承部包括具有基片支承面的电介质部件、配置在所述电介质部件内的具有第一端子和第二端子的第一滤波元件、和配置在所述电介质部件内的与所述第一端子电连接的第一静电电极；与所述等离子体处理腔室耦合的、能够生成RF信号的RF生成部；和与所述第二端子电连接的、能够生成DC信号的第一DC生成部。部。部。

【技术实现步骤摘要】
等离子体处理装置和静电卡盘的制造方法


[0001]本专利技术涉及等离子体处理装置和静电卡盘的制造方法。

技术介绍

[0002]作为具有静电卡盘的等离子体处理装置，有专利文献1中公开的技术。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：美国专利申请公开第2020/0343123号说明书

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的技术问题
[0007]本专利技术提供能够使RF电功率的损失和泄漏降低的技术。
[0008]用于解决技术问题的手段
[0009]本专利技术的一个例示性的实施方式提供一种等离子体处理装置，其包括：等离子体处理腔室；配置在所述等离子体处理腔室内的基片支承部，所述基片支承部包括具有基片支承面的电介质部件、配置在所述电介质部件内的具有第一端子和第二端子的第一滤波元件、和配置在所述电介质部件内的与所述第一端子电连接的第一静电电极；与所述等离子体处理腔室耦合的、能够生成RF信号的RF生成部；和与所述第二端子电连接的、能够生成DC信号的第一DC生成本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：等离子体处理腔室；配置在所述等离子体处理腔室内的基片支承部，所述基片支承部包括具有基片支承面的电介质部件、配置在所述电介质部件内的具有第一端子和第二端子的第一滤波元件、和配置在所述电介质部件内的与所述第一端子电连接的第一电极；与所述等离子体处理腔室耦合的、能够生成RF信号的RF生成部；和与所述第二端子电连接的、能够生成DC信号的第一DC生成部。2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述第一电极包括静电卡盘电极。3.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述第一电极包括偏置电极。4.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述第一滤波元件为低通滤波器。5.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述第一滤波元件包括第一电阻元件。6.根据权利要求5所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述第一电阻元件与所述基片支承面垂直地配置。7.根据权利要求5所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述第一电阻元件与所述基片支承面平行地配置。8.根据权利要求7所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述第一电极与所述基片支承面平行地配置，所述第一电阻元件在所述第一电极的下方与所述第一电极平行地配置，所述第一电阻元件具有所述第一端子和所述第二端子。9.根据权利要求8所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述第一电阻元件在所述第一端子与所述第二端子之间具有彼此电并联连接的多个电阻配线。10.根据权利要求7～9中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：在俯视所述基片支承面时，所述第一电阻元件具有弯曲的线条图案。11.根据权利要求8所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述第一滤波元件包括第二电阻元件，所述第二电阻元件在所述第一电阻元件的下方与所述第一电阻元件平行地配置，所述第二电阻元件具有第三端子和第四端子，所述第三端子经由所述第二端子与所述第一电极电连接，所述第四端子与所述第一DC生成部电连接。12.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述第一滤波元件包括第...

【专利技术属性】
技术研发人员：舆水地盐，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：