用于处理基板的装置制造方法及图纸

本发明专利技术的示例性实施方案提供一种用于处理基板的装置。用于处理基板的装置包括：在其中具有处理空间的工艺腔室、用于在处理空间中支承基板的支承单元、用于向处理空间供应处理气体的气体供应单元、以及用于将微波施用到处理气体以产生等离子体的微波施用单元；其中，微波施用单元可以包括：用于施用第一微波的第一电源；具有形成在其上表面上的凹槽的支承板，并且该支承板在支承单元上方与工艺腔室结合以限定处理空间；插入到凹槽中以将第一微波辐射到处理空间的第一传输板；以及设置为与第一传输板的上部重叠并且联接到第一电源的第一波导，其中，可以设置多个凹槽，并且当从顶部观察时，多个凹槽可以在支承板的边缘区域中沿周向方向形成。周向方向形成。周向方向形成。

【技术实现步骤摘要】
用于处理基板的装置
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年12月28日提交韩国知识产权局的、申请号为10
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2021
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0190313的韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利的全部内容通过引用结合在本申请中。


[0003]本专利技术涉及一种用于处理基板的装置，更具体地涉及一种用于等离子处理基板的处理基板的装置。

技术介绍

[0004]等离子体是指由离子、基团和电子构成的离子化气体状态。该等离子体由非常高的温度、强电场、或RF(radio frequency，射频)电磁场产生。在半导体设备制造工艺中，使用等离子体执行各种工艺。
[0005]图1是示意性地示出了用于使用微波处理基板的一般基板处理装置的图。参考图1，基板W支承在工艺腔室1000的处理空间1001中，并且使用微波激发供应到处理空间1001中的处理气体以产生等离子体，从而处理基板W。具有狭槽1102的天线板1100设置在基板W的上区域中。在天线板1100的上方设置有介电板1200，并且在天线板1100本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于处理基板的基板处理装置，所述基板处理装置包括：工艺腔室，所述工艺腔室在其中具有处理空间；支承单元，所述支承单元配置为在所述处理空间中支承所述基板；气体供应单元，所述气体供应单元配置为向所述处理空间供应处理气体；以及微波施用单元，所述微波施用单元配置为将微波施用到所述处理气体以产生等离子体，其中，所述微波施用单元包括：第一电源，所述第一电源配置为施用第一微波；支承板，所述支承板具有形成在其上表面上的凹槽，并且所述支承板在所述支承单元的上方与所述工艺腔室结合以限定所述处理空间；第一传输板，所述第一传输板插入到所述凹槽中、以将所述第一微波辐射到所述处理空间；以及第一波导，所述第一波导设置为与所述第一传输板的上部重叠并且联接至所述第一电源，其中，设置有多个凹槽，并且当从顶部观察时，所述多个凹槽沿周向方向形成在所述支承板的边缘区域中。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，设置有多个第一传输板，并且当从顶部观察时，所述多个第一传输板彼此结合以具有环形形状。3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，当从顶部观察时，所述第一波导形成为环形形状。4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，在所述第一波导的下表面上形成有多个第一狭槽，所述多个第一狭槽沿所述第一波导的周向方向彼此间隔开。5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其中，当从前部截面观察所述第一波导时，所述多个第一狭槽设置成多排。6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其中，所述多个第一狭槽设置成打开和关闭。7.根据权利要求4所述的基板处理装置，其中，在所述支承板的所述上表面上还形成有中心凹槽，所述中心凹槽形成在包括所述支承板的中心的区域中，其中，所述微波施用单元还包括：第二电源，所述第二电源配置为施用第二微波；第二传输板，所述第二传输板插入到所述中心凹槽中、以将所述第二微波辐射到所述处理空间；以及第二波导，所述第二波导设置在所述第二传输板的上方并且联接到所述第二电源，其中，在所述第二波导的下表面上形成有至少一个或多个第二狭槽。8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其中，所述凹槽包括：
第一凹槽，所述第一凹槽形成在所述支承板的所述边缘区域的周向方向的部分中；以及第二凹槽，所述第二凹槽形成在所述支承板的所述边缘区域的周向方向的其他部分中；其中，所述第一凹槽和所述第二凹槽彼此结合以形成环形形状。9.根据权利要求8所述的基板处理装置，其中，所述第一传输板被插入到所述第一凹槽中，其中，所述微波施用单元还包括：第三电源，所述第三电源配置为施用第三微波；第三传输板，所述第三传输板插入到所述第二凹槽中、以将所述第三微波辐射到所述处理空间；以及第三波导，所述第三波导设置在所述第三传输板的上方并且联接到所述第三电源，其中，在所述第三波导的下表面上形成有多个第三狭槽，并且所述多个第三狭槽沿所述第三波导的周向方向彼此间隔开。10.根据权利要求1所述的基板处理装置，所述基板处理装置还包括：气体供应单元，所述气体供应单元配置为向所述处理空间供应所述处理气体；其中，在所述支承板中形成有气体通道，所述处理气体流动通过所述气体通道。11.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中所述支承板是接地的。12.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，将高频功率施用到所述支承板。13.一种用于处理基板的基板处理装置，所述基板处理装置包括：腔室，所述腔室具有限定在其中的处理空间；支承单元，所述支承单元配置为在所述处理空间中支承所述基板；以及微波施用单元，所述微波施用单元配置为将微波施用到向所述处理空间供应的所述处理气体、以产生等离子体，其中，所述微波施用单元包括：第一电源，所述第一电源配置为施用第一微波；支承板，所述支承板具有形成在其上表面上的凹槽，并且所述支承板在所述支承单元的上方与...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔伦硕，丁宣旭，朴钟源，李昈骏，朴珉相，
申请(专利权)人：釜山大学校产学协力团，
类型：发明
国别省市：