基板处理装置制造方法及图纸

公开了一种基板处理装置。该基板处理装置包括：壳体，其具有处理空间，基板在处理空间中被处理；支撑单元，其支撑处理空间中的基板；喷淋板，其具有通孔，加工气体通过该通孔流向处理空间；等离子体源，其通过激发供应至处理空间的加工气体来激发等离子体；以及密度调整构件，其通过改变电介质介电常数来调整在处理空间中生成的等离子体的密度，并且密度调整构件位于喷淋板上。位于喷淋板上。位于喷淋板上。

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置


[0001]本文描述的专利技术构思的实施例涉及基板处理装置，并且更具体地，涉及用于对基板进行等离子体处理的装置。

技术介绍

[0002]等离子体是指电离气态，包括离子、自由基和电子。等离子体由非常高的温度、强电场或射频(RF)电磁场生成。半导体器件制造工艺可以包括通过使用等离子体去除形成在基板(诸如晶片)上的薄膜的蚀刻工艺。当等离子体的离子和/或自由基与基板上的薄膜碰撞或与薄膜反应时执行蚀刻工艺。
[0003]例如，当使用等离子体执行蚀刻工艺时，在基板的所有区域中的一些区域中形成的薄膜被蚀刻得比在工艺要求条件下多得多，并且在其他区域中形成的薄膜被蚀刻得比在工艺要求条件下少。也就是说，当使用等离子体处理基板时，基板的区域的蚀刻速率之间出现差异。由于各种因素，诸如处理空间中的气体的流动、处理空间中的所供应的加工气体的均匀性、所供应的加工气体的位置以及处理空间中的等离子体的均匀性，基板的区域的蚀刻速率之间出现差异，并且这些因素导致处理空间的区域的等离子体密度或强度之间的差异，其中对基板进行等离子体处理。当处理空间中的等离子体的密本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板处理装置，其包括：壳体，其具有处理空间，在所述处理空间中处理基板；支撑单元，其被配置为支撑所述处理空间中的所述基板；喷淋板，其具有通孔，加工气体通过所述通孔流向所述处理空间；等离子体源，其被配置为通过激发供应到所述处理空间的所述加工气体来激发等离子体；以及密度调整构件，其被配置为通过改变电介质介电常数来调整在所述处理空间中生成的所述等离子体的密度，其中，所述密度调整构件位于所述喷淋板上。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述等离子体源包括位于所述喷淋板的上侧上的电极板，并且其中，所述密度调整构件设置在所述喷淋板和所述电极板之间。3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，所述密度调整构件包括多个电介质垫，并且其中，所述多个电介质垫彼此间隔开，同时具有不同的介电常数。4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，所述通孔位于所述多个间隔开的电介质垫之间的空间中。5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其中，所述电介质垫包括中心垫和边缘垫，其中，所述中心垫具有第一电介质介电常数，并且位于包括所述喷淋板的中心的圆形中心区域中，并且其中，所述边缘垫具有第二电介质介电常数，并且位于围绕所述中心区域的环形边缘区域中。6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其中，所述第一电介质介电常数高于所述第二电介质介电常数。7.根据权利要求5所述的基板处理装置，其中，所述第一电介质介电常数低于或等于所述第二电介质介电常数。8.根据权利要求5所述的基板处理装置，其中，所述电介质垫包括多个中心垫和多个边缘垫，其中，所述多个中心垫与所述中心区域间隔开，并且其中，所述多个边缘垫与所述边缘区域间隔开。9.根据权利要求8所述的基板处理装置，其中，所述多个中心垫具有不同的电介质介电常数，并且其中，所述多个边缘垫具有不同的电介质介电常数。10.根据权利要求4所述的基板处理装置，其中，所述电介质垫位于以下区域中的任一个区域中：包括所述喷淋板的中心的中心区域、围绕所述中心区域的中间区域、以及围绕所述中间区域的边缘区域。11.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述密度调整构件接触所述喷淋板的上部区域。12.根据权利要求2至11中任一项所述的基板处理装置，其中，所述电极板接地或向所
述电极板施加高频电功率。13.一种基板处理装置，其包括：壳体，其限定处理空间，在所述处理空间中处理基板；支撑单元，其被配置为支撑所述处理空间中的所述基板；气体供应单元，其被配置为供应加工气体；等离子体源，其被配置为通过在所述处理空间中生成电场来激发供应到所述处理空间中的所述加工气体；以及密度调整构件，其被配置为通过屏蔽在所述处理空间中生成的所述电场，根据所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴宣柱，闵庚石，沈铉宗，丁宣旭，文商珉，宣皓中，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：