有机化合物、发光器件、薄膜、发光装置、电子设备及照明装置制造方法及图纸

提供一种寿命长且发光效率高的有机化合物。提供一种发光器件、薄膜、发光装置、电子设备及照明装置。提供由通式(G1)表示的有机化合物。在通式中，X1至X4中的任一个表示N，另一个表示C，其他表示C或N，C中的任一个与由通式(r1)表示的基键合，其他与氢(H)、烷(R)基、环烷(Cy)基、芳(Ar)基或杂芳(Het)基键合。Ar1表示芳烃，与相邻环在任意位置稠合。在Ar1为苯环时，包括Ar基或Het基。Q、Z表示O或S。R

【技术实现步骤摘要】
有机化合物、发光器件、薄膜、发光装置、电子设备及照明装置


[0001]本专利技术的一个方式涉及一种有机化合物、发光器件、发光装置、受发光装置、显示装置、电子设备、照明装置、有机器件以及电子器件。注意，本专利技术的一个方式不局限于上述
本说明书等所公开的专利技术的一个方式的
涉及一种物体、方法或制造方法。另外，本专利技术的一个方式涉及一种工序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或者组合物(composition of matter)。由此，更具体而言，作为本说明书所公开的本专利技术的一个方式的
的一个例子可以举出半导体装置、显示装置、液晶显示装置、发光装置、照明装置、蓄电装置、存储装置、摄像装置、这些装置的驱动方法或者这些装置的制造方法。

技术介绍

[0002]利用使用有机化合物的电致发光(EL:Electroluminescence)的发光器件(也称为有机EL元件或发光元件)的实用化非常活跃。在这些发光器件的基本结构中，在一对电极之间夹有包含发光材料的有机化合物层(EL层)。通过对该器件施加电压，注入载流子，利用该载流子的复合能量，可以获得来自发光材料的发光。
[0003]因为这种发光器件是自发光型发光器件，所以与液晶显示器相比具有更高的可见度，该发光器件适合于显示器的像素。另外，使用这种发光器件的显示器不需要背光源而可以被制造成薄且轻，这也是极大的优点。再者，非常高速的响应也是该发光器件的特征之一。
[0004]此外，因为这些发光器件的发光层可以在二维上连续地形成，所以可以获得面发光。因为这是在以白炽灯或LED为代表的点光源或者以荧光灯为代表的线光源中难以得到的特征，所以作为可应用于照明等的面光源，上述发光器件的利用价值也高。
[0005]如上所述，可以将使用发光器件的显示器或照明装置适合用于各种各样的电子设备，为了追求具有更良好的效率、寿命的发光器件的研究开发日益活跃。
[0006]发光器件的特性明显得到了提高，但是还不足以对应对效率或耐久性等各种特性的高度要求。尤其是，为了解决EL特有的问题的烧屏(burn
‑
in)等问题，劣化导致的效率的下降越小越好。
[0007]由于劣化大大受到发光中心物质及其周边的材料的影响，所以对具有良好特性的主体材料的开发日益活跃。
[0008]例如，作为主体材料，公开了一种具有吲哚咔唑骨架的有机化合物(专利文献1及专利文献2)。具有吲哚咔唑骨架的有机化合物的玻璃化转变点高，因此通过将其用于发光器件，可以得到良好的特性。但是，为了抑制发光器件的劣化，需要耐热性更高且寿命更长的材料。
[0009][专利文献1]WO2018/198844号[专利文献2]WO2018/123783号

技术实现思路

[0010]本专利技术的一个方式的目的是提供一种新颖的有机化合物。另外，本专利技术的一个方式的目的是提供一种寿命长的有机化合物。另外，本专利技术的一个方式的目的是提供一种耐热性高的有机化合物。另外，本专利技术的一个方式的目的是提供一种可被用作主体材料的有机化合物。另外，本专利技术的一个方式的目的是提供一种寿命长的发光器件。另外，本专利技术的一个方式的目的是提供一种发光效率高的发光器件。另外，本专利技术的一个方式的目的是提供一种新颖的发光器件。另外，本专利技术的一个方式的目的是提供一种功耗小的发光装置、电子设备或照明装置。
[0011]注意，这些目的的记载不妨碍其他目的的存在。本专利技术的一个方式并不需要实现所有上述目的。上述目的以外的目的可以显而易见地从说明书、附图、权利要求书等的描述中看出，并且可以从这些描述中抽取上述目的以外的目的。
[0012]本专利技术的一个方式是一种由通式(G1)表示的有机化合物。
[0013][化学式1][0014]在上述通式(G1)中，X1至X4中的任一个表示氮原子，另一个表示碳原子，其他分别独立地表示碳原子或氮原子，碳原子中的任一个与由通式(r1)表示的基键合，其他分别独立地与氢(包括重氢)、取代或未取代的碳原子数为1至10的烷基、取代或未取代的碳原子数为3至10的环烷基、形成骨架的取代或未取代的碳原子数为6至30的芳基和形成骨架的取代或未取代的碳原子数为2至21的杂芳基中的任一个键合。另外，Ar1表示形成环的碳原子数为6至30的取代或未取代的芳烃，与相邻环在任意位置稠合。注意，在Ar1为苯环时，该苯环具有形成骨架的取代或未取代的碳原子数为6至18的芳基和形成骨架的取代或未取代的碳原子数为2至21的杂芳基中的至少一个。另外，Q及Z分别独立地表示氧原子或硫原子。另外，R
31
至R
34
中的任一个表示与X1至X4中的任一个的键，其他分别独立地表示氢(包括重氢)、取代或未取代的碳原子数为1至10的烷基、取代或未取代的碳原子数为3至10的环烷基、形成骨架的取代或未取代的碳原子数为6至30的芳基和形成骨架的取代或未取代的碳原子数为2至21的杂芳基中的任一个。另外，R
35
至R
38
中的任一个表示形成骨架的取代或未取代的碳原子数为10至30的多环芳烃基和形成骨架的取代或未取代的碳原子数为2至21的杂芳基中的任一个，其他分别独立地表示氢(包括重氢)、取代或未取代的碳原子数为1至10的烷基、取代或未取代的碳原子数为3至10的环烷基、形成骨架的取代或未取代的碳原子数为6至30的芳基和形成骨架的取代或未取代的碳原子数为2至21的杂芳基中的任一个。
[0015]另外，本专利技术的一个方式是一种由通式(G1
’
)表示的有机化合物。
[0016][化学式2][0017]在上述通式(G1
’
)中，X1至X4中的任一个表示氮原子，另一个表示碳原子，其他分别独立地表示碳原子或氮原子，碳原子中的任一个与由通式(r1)表示的基键合，其他分别独立地与氢(包括重氢)、取代或未取代的碳原子数为1至10的烷基、取代或未取代的碳原子数为3至10的环烷基、形成骨架的取代或未取代的碳原子数为6至30的芳基和形成骨架的取代或未取代的碳原子数为2至21的杂芳基中的任一个键合。另外，Ar1表示形成环的碳原子数为6至30的取代或未取代的芳烃，与相邻环在任意位置稠合。注意，在Ar1为苯环时，该苯环具有形成骨架的取代或未取代的碳原子数为6至18的芳基和形成骨架的取代或未取代的碳原子数为2至21的杂芳基中的至少一个。另外，Q及Z分别独立地表示氧原子或硫原子。另外，R
31
至R
34
中的任一个表示与X1至X4中的任一个的键，另一个表示形成骨架的取代或未取代的碳原子数为6至30的芳基和形成骨架的取代或未取代的碳原子数为2至21的杂芳基中的任一个，其他分别独立地表示氢(包括重氢)、取代或未取代的碳原子数为1至10的烷基、取代或未取代的碳原子数为3至10的环烷基、形成骨架的取代或未取代的碳原子数为6至30的芳基和形成骨架的取代或未取代的碳原子数为2至21的杂芳基中的任一个。另外，R
35
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种由通式(G1)表示的有机化合物，其中，X1至X4中的任一个表示氮原子，另一个表示碳原子，其他分别独立地表示碳原子或氮原子，所述碳原子中的任一个与由通式(r1)表示的基键合，其他分别独立地与氢、取代或未取代的碳原子数为1至10的烷基、取代或未取代的碳原子数为3至10的环烷基、形成骨架的取代或未取代的碳原子数为6至30的芳基和形成骨架的取代或未取代的碳原子数为2至21的杂芳基中的任一个键合，Ar1表示形成环的碳原子数为6至30的取代或未取代的芳烃，Q及Z分别独立地表示氧原子或硫原子，R
31
至R
34
中的任一个表示与X1至X4中的任一个的键，其他分别独立地表示氢、取代或未取代的碳原子数为1至10的烷基、取代或未取代的碳原子数为3至10的环烷基、形成骨架的取代或未取代的碳原子数为6至30的芳基和形成骨架的取代或未取代的碳原子数为2至21的杂芳基中的任一个，并且，R
35
至R
38
中的任一个表示形成骨架的取代或未取代的碳原子数为10至30的多环芳烃基和形成骨架的取代或未取代的碳原子数为2至21的杂芳基中的任一个，其他分别独立地表示氢、取代或未取代的碳原子数为1至10的烷基、取代或未取代的碳原子数为3至10的环烷基、形成骨架的取代或未取代的碳原子数为6至30的芳基和形成骨架的取代或未取代的碳原子数为2至21的杂芳基中的任一个。2.根据权利要求1所述的有机化合物，其中通式(G1)由通式(G2)表示，
X1至X4中的任一个所述氮原子与由通式(r2)表示的基键合，其他分别独立地与氢、取代或未取代的碳原子数为1至10的烷基、取代或未取代的碳原子数为3至10的环烷基、形成骨架的取代或未取代的碳原子数为6至30的芳基和形成骨架的取代或未取代的碳原子数为2至21的杂芳基中的任一个键合，R
32
至R
38
中的任一个表示形成骨架的取代或未取代的碳原子数为6至18的芳基和形成骨架的取代或未取代的碳原子数为2至21的杂芳基中的任一个，其他分别独立地表示氢、取代或未取代的碳原子数为1至10的烷基、取代或未取代的碳原子数为3至10的环烷基、形成骨架的取代或未取代的碳原子数为6至30的芳基和形成骨架的取代或未取代的碳原子数为2至21的杂芳基中的任一个，并且*表示通式(G2)中的键。3.根据权利要求1所述的有机化合物，其中Ar1与相邻环在任意位置稠合。4.根据权利要求1所述的有机化合物，其中Ar1由通式(t1)、(t2
‑
1)、(t2
‑
2)、(t3
‑
1)至(t3
‑
3)和(t4)中的任一个表示，R1至R4中的任一个表示形成骨架的取代或未取代的碳原子数为6至18的芳基和形成骨架的取代或未取代的碳原子数为2至21的杂芳基中的任一个，其他分别独立地表示氢、取代或未取代的碳原子数为1至10的烷基、取代或未取代的碳原子数为3至10的环烷基、形成骨架的取代或未取代的碳原子数为6至18的芳基和形成骨架的取代或未取代的碳原子数为2至21的杂芳基中的任一个，R6至R
27
分别独立地表示氢、取代或未取代的碳原子数为1至10的烷基、取代或未取代的碳原子数为3至10的环烷基、形成骨架的取代或未取代的碳原子数为6至18的芳基和形成骨架的取代或未取代的碳原子数为2至21的杂芳基中的任一个，并且*表示与Ar1的相邻环的稠合位置。5.根据权利要求1所述的有机化合物，其中X2表示氮原子，X3表示碳原子，X4表示氮原子。6.一种包含权利要求1所述的有机化合物的薄膜。7.一种包含权利要求1所述的有机化合物的发光器件。
8.一种发光装置，包括：权利要求7所述的发光器件；以及晶体管或衬底。9.一种电子设备，包括：权利要求8所述的发光装置；以及检测部、输入部或通信部。10.一种发光器件，包括：权利要求8所述的发光装置；以及外壳。11.一种由通式(G1
’
)表示的有机化合物，其中，X1至X4中的任一个表示氮原子，另一个表示碳原子，其他分别独立地表示碳原子或氮原子，所述碳原子中的任一个与由通式(r1)表示的基键合，其他分别独立地与氢、取代或未取代的碳原子数为1至10的烷基、取代或未取代的碳原子数为3至10的环烷基、形成骨架的取代或未取代的碳原子数为6至30的芳基和形成骨架的取代或未取代的碳原子数为2至21的杂芳基中的任一个键合，Ar1表示形成环的碳原子数为6至30的取代或未取代的芳烃，在Ar1为苯环时，所述苯环具有形成骨架的取代或未取代的碳原子数为6至18的芳基和形成骨架的取代或未取代的碳原子数为2至21的杂芳基中的至少一个，Q及Z分别独立地表示氧原子或硫原子，R
31
至R
34
中的任一个表示与X1至X4中的任一个的键，另一个表示形成骨架的取代或未取代的碳原子数为6至30的芳基和形成骨架的取代或未取代的碳原子数为2至21的杂芳基中的任一个，其他分别独立地表示氢、取代或未取代的碳原子数为1至10的烷基、取代或未取代的碳原子数为3至10的环烷基、形成骨架的取代或未取代的碳原子数为6至30的芳基和形成骨架的取代或未取代的碳原子数为2至21的杂芳基中的任一个，并且，R
35
至R
38
分别独立地表示氢、取代或未取代的碳原子数为1至10的烷基、取代或未取代的碳原子数为3至10的环烷基、形成骨架的取代或未取代的碳原子数为6至30的芳基和形成骨架的取代或未取代的碳原子数为2至21的杂芳基中的任一个。12.根据权利要求11所述的有机化合物，其中Ar1与相邻环在任意位置稠合。
13.根据权利要求11所述的有机化合物，其中Ar1由通式(t1)、(t2
‑
1)、(t2
‑
2)、(t3
‑
1)至(t3
‑
3)和(t4)中的任一个表示，R1至R4中的任一个表示形成骨架的取代或未取代的碳原子数为6至18的芳基和形成骨架的取代或未取代的碳原子数为2至21的杂芳基中的任一个，其他分别独立地表示氢、取代或未取代的碳原子数为1至10的烷基、取代或未取代的碳原子数为3至10的环烷基、形成骨架的取代或未取代的碳原子数为6至18的芳基和形成骨架的取代或未取代的碳原子数为2至21的杂芳基中的任一个，R6至R
27
分别独立地表示氢、取代或未取代的碳原子数为1至10的烷基、取代或未取代的碳原子数为3至10的环烷基、形成骨架的取代或未取代的碳原子数为6至18的芳基和形成骨架的取代或未取代的碳原子数为2至21的杂芳基中的任一个，并且*表示与Ar1的相邻环的稠合位置。14.根据权利要求11所述的有机化合物，其中X2表示氮原子，X3表示碳原子，X4表示氮原子。15.一种包含权利要求11所述的有机化合物的薄膜。16.一种包含权利要求11所述的有机化合物的发光器件。17.一种发光装置，包括：权利要求16所述的发光器件；以及晶体管或衬底。18.一种电子设备，包括：权利要求17所述的发光装置；以及检测部、输入部或通信部。19.一种发光器件，包括：权利要求17所述的发光装置；以及外壳。20.一种由通式(G4)表示的有机化合物，
其中，X1至X4中的任一个表示氮原子，另一个表示碳原子，其他分别独立地表示碳原子或氮原子，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：川上祥子，林有毅，森久保都，久保田朋広，木户裕允，山口知也，吉住英子，濑尾哲史，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：