一种测量外延片电阻率的方法技术

本发明专利技术提供一种测量外延片电阻率的方法，本方法在对外延片进行ACV测试之前，在独立的炉管中对外延片进行干法氧化，不再需要在ACV测试机台的预处理腔室中对外延片进行预处理。氧化后的外延片的表面形成致密氧化层，该氧化层的厚度介于100埃米～500埃米。由于该氧化层的厚度增加，使得ACV测试时测试机台的探头与外延片的距离减小，探头与外延片的正对面积增大，外延片的耗尽层宽度增大，使得测试更加稳定，并且扩大了ACV机台的电阻率测试范围。尤其对于小于1ohm

【技术实现步骤摘要】
一种测量外延片电阻率的方法


[0001]本专利技术涉及半导体器件性能测试
，特别涉及一种测量外延片电阻率的方法。

技术介绍

[0002]随着集成电路技术的飞速发展，外延技术及外延片越来越重要。例如，硅外延技术，其通常采用化学气相沉积等方法在硅衬底上沉积厚度、电阻率均匀可控的硅单晶层。其中外延层厚度和电阻率是外延工艺控制中的两个关键因素。外延层电阻率的测量可以通过四探针法、扩展电阻法、以及C
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V法(电容电压法)获得，其中C
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V法在外延生产中最为普遍使用。
[0003]目前使用的C
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V法电阻率测试仪主要有：汞C
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V法和无接触C
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V法，其中汞C
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V法需要在测量前用HF将表面氧化层用HF漂洗干净；无接触C
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V法，即AC
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V(气隙电容
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电压)法需要利用现有的自然氧化膜。相较其他量测方法，ACV为非接触式测量，可直接测量产品片，降低控片使用量从而降低成本。ACV为非本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种测量外延片电阻率的方法，其特征在于，包括：提供一外延片，所述外延片包括衬底以及形成在衬底上的外延层；对所述外延片进行干法氧化，在所述外延片的表面形成氧化层；将所述外延片置于测试机台上进行电阻率测试。2.根据权利要求1所述的测量外延片电阻率的方法，其特征在于，对所述外延片进行氧化之前还包括：对所述外延片进行清洗。3.根据权利要求1或2所述的测量外延片电阻率的方法，其特征在于，对所述外延片进行氧化之前还包括：采用氢氟酸溶液和SC1溶液对晶圆进行清洗，清洗时间介于30min～60min。4.根据权利要求1所述的测量外延片电阻率的...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭彬，王海涛，
申请(专利权)人：芯恩青岛集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：