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本发明提供一种测量外延片电阻率的方法，本方法在对外延片进行ACV测试之前，在独立的炉管中对外延片进行干法氧化，不再需要在ACV测试机台的预处理腔室中对外延片进行预处理。氧化后的外延片的表面形成致密氧化层，该氧化层的厚度介于100埃米～500...
该专利属于芯恩（青岛）集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过芯恩（青岛）集成电路有限公司授权不得商用。

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