一种从低品位锗物料中富集锗的方法技术

技术编号:38074130 阅读:9 留言:0更新日期:2023-07-06 08:42
本发明专利技术公开了一种从低品位锗物料中富集锗的方法,包括前处理、捂料、制砖和煅烧步骤。低品位锗物料包括低品位含锗的铜精矿、褐煤、煤灰、冶炼渣、铅锌矿、烟尘等。作为辅料混入的含锗物料中,经配料、混料、捂料、制砖、高温煅烧后得到高品位的锗烟尘和超低品位的锗熔渣,若原料中含有铜还能得到冰铜产品。原料中含有铜还能得到冰铜产品。原料中含有铜还能得到冰铜产品。

【技术实现步骤摘要】
一种从低品位锗物料中富集锗的方法


[0001]本专利技术属于冶金化工
,具体涉及一种从低品位锗物料中富集锗的方法。

技术介绍

[0002]稀散金属锗是重要的战略物资,世界各国都把锗列为国防储备资源。其主要应用于半导体材料、航空航天、核物理探测、光纤通讯、红外光学、太阳能电池、化学催化剂、生物医学领域应用非常广泛。近年来,随着光纤通信产业以及太阳能电池产业的快速推动,全球锗产品的需求强劲,2019年后锗供应就转缺口。全球探明的锗储量8600吨,其中美国储量占全球的45%,中国占全球的41%。我国锗储量分布在内蒙和云南,两省合计占国内80%,其中内蒙占46%,云南占34%。锗主要伴生于铅锌矿及褐煤中,我国锗产品主要来自于这两类矿产资源,我国供给了全球71%的锗产品。锗伴生于其它矿产资源较少,其综合利用技术相对不成熟。
[0003]锗的提取目前国内外的主要方法有:经典氯化法、挥发法、锌粉置换法、蒸馏法(碱土金属氯化蒸馏法)、烟化法、萃取法(液膜萃取法)、离子交换法等。但经典氯化法、锌粉置换法、萃取法(液膜萃取法)、离子交换法都是基于从富集后的锗原料(烟尘或含锗水溶液)中提取、分离与富集锗。而锗的富集还主要是通过选矿和火法富集,由于锗在原生矿中不单独成矿,与铅锌、褐煤等伴生,通过选矿很难分离出单独的锗矿,所以锗的富集都是先通过火法富集成烟尘或煤灰后再用湿法富集。火法富集时由于矿样或渣结构稳定,成分多,组分复杂,相互嵌套包裹,锗综合回收率都普遍偏低,经济效益不佳。本专利技术应用的活化剂,与锗及锗化合相互作用,降低锗化合物的活化能,提高锗的还原挥发率,降低熔体对锗的捕集能力,还能改善熔体的化学组分、粘度和流动性,降低还原挥发的炉温,从而使不易还原挥发含锗物料可以还原挥发锗。因此,开发一种能解决上述技术问题的产品是非常必要的。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种从低品位锗物料中富集锗的方法。
[0005]本专利技术的目的是这样实现的,包括前处理、捂料、制砖和煅烧步骤,具体包括:A、前处理:将低品位含锗物料中加入粘结剂、还原剂、辅料和活化锗的药剂H

HJ01进行配料得到物料a,具体配料方式如下:m
Fe
占m

的11%~28%;m
SiO2
占m

的6%~23%,m
CaO
占m

的10%~35%,m
Fe
:m
SiO2
为0.7~1.8;m
H

HJ01
占m

的0.1%~20%,m
还原剂
占m

的0.5%~20%;所述的活化锗的药剂H

HJ01是由原料二氧化硫、氢氧化钠、黄磷和氯化钠经络合反应制备得到;B、捂料:将物料a堆成尖堆,控制物料a的水分含量在8~12%条件下堆放1~10天得到物料b;C、制砖:将物料b用制砖机打砖得到重量为0.1~20Kg的砖c;D、煅烧:将砖c经高温煅烧后得到熔渣d和高锗烟尘e。
[0006]本专利技术是如何应用活化锗的药剂H

HJ01,使活化剂在应用于低品位含锗的铜精矿、褐煤、煤灰、冶炼渣、铅锌矿、烟尘等物料时,性能最大化,成本最低化,环保最友好化。
[0007]具体应用如下:(1)配料:以低品位含锗的铜精矿、褐煤、煤灰、冶炼渣、铅锌矿、烟尘为原料,发热铁粉为粘结剂,高铁物料、高硅物料、高钙物料、还原剂煤粉或焦炭、H

HJ01为辅料,按照以下配料方式进行配料:m
Fe
占m

的11%~28%;m
SiO2
占m

的6%~23%,m
CaO
占m

的10%~35%,m
Fe
:m
SiO2
在0.7~1.8间;m
H

HJ01
占m

的0.1%~20%,m
还原剂
占m

的0.5%~20%。(2)捂料:配好的料堆放成尖堆,放置2~10天,料的水分保证8%~12%(保障砖的强度,减少风化散料)。(3)制砖:在一定压力下压成方块,保证每块砖重量在8kg~20kg,压制好的砖放置3~30天。(4)熔池煅烧:在温度1250℃~1500℃、停留时间0.1~1.0h下煅烧挥发,得到高品位的含锗烟尘。该活化剂应用于低品位含锗物料挥发得高品位锗烟尘,工艺流程短且简单,工序易操作,活化药剂H

HJ01对锗的选择性好,降低锗物料中锗化合物的活化能,促进锗的还原与挥发,还能很好的改善熔渣的性能。
[0008]具体步骤如下:1、配制入炉锗物料,保证锗物料的均匀一致性,锗物料可以是铜精矿、褐煤、煤灰、冶炼渣、铅锌矿、烟尘的一种或多种组合。
[0009]2、配好的料堆放成尖堆,放置1~10天。
[0010]3、用制砖机压块,压力在10Mpa~200Mpa间,砖的重量每块在0.1kg~20kg,压制好的砖放置3~30天。
[0011]4、砖块投入1250℃~1500℃的炉膛中,高温煅烧0.1~1.0h后得到熔渣和烟尘。若原料里含有铜,还可得到冰铜。
[0012]本专利技术公开了活化剂H

HJ01在富集低品位锗物料中的应用,所述的活化剂H

HJ01,主要应用于低品位含锗的铜精矿、褐煤、煤灰、冶炼渣、铅锌矿、烟尘等。作为辅料混入的含锗物料中,经配料、混料、捂料、制砖、高温煅烧后得到高品位的锗烟尘和超低品位的锗熔渣,若原料中含有铜还能得到冰铜产品。活化Ge的药剂H

HJ01能有效的提高火法富集Ge的回收率,锗的综合回收率大于95%。
附图说明
[0013]图1为本专利技术的工艺流程示意图。
具体实施方式
[0014]下面结合实施例对本专利技术作进一步的说明,但不以任何方式对本专利技术加以限制,基于本专利技术教导所作的任何变换或替换,均属于本专利技术的保护范围。
[0015]本专利技术所述的从低品位锗物料中富集锗的方法,包括前处理、捂料、制砖和煅烧步骤,具体包括:A、前处理:将低品位含锗物料中加入粘结剂、还原剂、辅料和活化锗的药剂H

HJ01进行配料得到物料a,具体配料方式如下:m
Fe
占m

的11%~28%;m
SiO2
占m

的6%~23%,m
CaO
占m

的10%~35%,m
Fe
:m
SiO2
为0.7~1.8;m
H

HJ01
占m

的0.1%~20%,m
还原剂
占m

的0.5%~20本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种从低品位锗物料中富集锗的方法,其特征在于包括前处理、捂料、制砖和煅烧步骤,具体包括:A、前处理:将低品位含锗物料中加入粘结剂、还原剂、辅料和活化锗的药剂H

HJ01进行配料得到物料a,具体配料方式如下:m
Fe
占m

的11%~28%;m
SiO2
占m

的6%~23%,m
CaO
占m

的10%~35%,m
Fe
:m
SiO2
为0.7~1.8;m
H

HJ01
占m

的0.1%~20%,m
还原剂
占m

的0.5%~20%;所述的活化锗的药剂H

HJ01是由原料二氧化硫、氢氧化钠、黄磷和氯化钠经络合反应制备得到;B、捂料:将物料a堆成尖堆,控制物料a的水分含量在8~12%条件下堆放1~10天得到物料b;C、制砖:将物料b用制砖机打砖得...

【专利技术属性】
技术研发人员:施辉献和晓才李伊娜任玖阳徐庆鑫袁野许娜和秋谷任婷徐远袁威刁微之闫森李庆张徽
申请(专利权)人:昆明冶金研究院有限公司
类型:发明
国别省市:

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