一种芯片和基板的连接方法及芯片结构技术

本发明专利技术公开了一种芯片和基板的连接方法及芯片结构，连接方法包括如下步骤：S1、提供基板和芯片；S2、分别在所述基板的第一表面和所述芯片的第二表面形成金属颗粒层；所述金属颗粒层包括至少两种金属依次交替重叠形成的若干层纳米金属颗粒；S3、将所述基板的第一表面和所述芯片的第二表面接触，再进行烧结处理，以使所述基板和所述芯片连接。本发明专利技术的连接方法无需将纳米金属粉末与有机溶剂混合制成焊膏，仅需在基板以及芯片表面生长不同种类多尺寸的金属颗粒，即可实现烧结，能够避免有机溶剂蒸发和分解的过程，加快烧结过程，节省50％以上的时间。以上的时间。以上的时间。

【技术实现步骤摘要】
一种芯片和基板的连接方法及芯片结构


[0001]本专利技术涉及一种芯片和基板的连接方法，还涉及一种由此连接方法得到的芯片结构。

技术介绍

[0002]新发展起来的宽禁带半导体功率器件具有耐高压，高功率，高电流密度，低开关损耗且能够在高温下可靠工作等优点，这对封装材料及封装技术提出了新的要求，传统的芯片粘结材料由于其熔点低的特性已经无法适用于宽禁带半导体功率器件的封装。现有的耐高温芯片粘结技术中，纳米金属(纳米银/纳米铜)烧结技术被认为是最有潜力的芯片连接技术，但纳米金属焊膏包含一定比例的有机溶剂，在烧结过程中，有机溶剂不仅干扰纳米金属的烧结，而且纳米金属与有机溶剂中的氧发生反应，形成金属氧化物，降低烧结质量。另外，有机溶剂的蒸发和分解严重延缓烧结过程，要求更高的烧结温度，这些缺陷很大程度上提高了芯片封装过程的成本，进一步限制了纳米金属烧结技术的广泛应用。

技术实现思路

[0003]现有的芯片和基板的连接通常是利用液态焊膏，焊膏中的有机溶剂在受热时蒸发，此过程延长整个连接过程，且在高温下，蒸发分解出的氧原子易与金属发生氧化发应，形本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片和基板的连接方法，其包括如下步骤：S1、提供基板和芯片，所述基板具有第一表面，所述芯片具有第二表面；S2、分别在所述基板的第一表面和所述芯片的第二表面形成金属颗粒层；所述金属颗粒层包括至少两种金属依次交替重叠形成的若干层纳米金属颗粒；S3、将所述基板的第一表面和所述芯片的第二表面接触，再进行烧结处理，以使所述基板和所述芯片连接。2.根据权利要求1所述的连接方法，其特征在于，步骤S1、步骤S2、步骤S3中不使用有机溶剂。3.根据权利要求1或2所述的连接方法，其特征在于，步骤S2中，所述金属颗粒层由铜、镍、银、锡或铟中的至少两种形成。4.根据权利要求1
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3中任一项所述的连接方法，其特征在于，步骤S2中，所述金属颗粒层包括2～6层，优选为3～5层。5.根据权利要求1
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4中任一项所述的连接方法，其特征在于，所述第一表面的金属颗粒层和第二表面的金属颗粒层的总厚度为30～120μm；优选为50～100μm。6.根据权利要求1
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5中任一项所述的连...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴灵美，王令，吴昊霖，符广学，刘磊仁，勾涵，
申请(专利权)人：珠海格力电器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：