半导体结构及半导体结构的形成方法技术

一种半导体结构及半导体结构的形成方法，结构包括：衬底；位于衬底上的介质层；位于介质层内的栅极开口，所述栅极开口包括第一区和位于第一区上的第二区，所述第一区在衬底上具有第一投影，所述第二区在衬底上具有第二投影，所述第二投影的面积大于第一投影的面积，且所述第一投影在第二投影的范围内；位于第一区内和第二区内的栅极层。所述第二区的第二投影面积大于第一区的第一投影面积，从而所述栅极层易于在第一区内形成，所述半导体结构的性能得到了提升。到了提升。到了提升。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：杨振辉，徐广州，李钊，李红娟，
申请(专利权)人：中芯南方集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：