成膜装置、电解电容器用电极箔的制造方法以及电解电容器的制造方法制造方法及图纸

公开的成膜装置是通过气相法来在主面具有多孔质部(202)的金属箔(200)形成皮膜的成膜装置(100)，所述成膜装置(100)具备：在金属箔(200)形成皮膜的成膜区域(102)；输送体(114～116)，设置于成膜区域(102)的下游，从成膜区域(102)引出金属箔(200)；和控制部(120)，将从输送体(114～116)对金属箔(200)施加的应力控制为21N/mm2以下。由此，能够提供难以在成膜对象的金属箔产生缺陷的成膜装置。象的金属箔产生缺陷的成膜装置。象的金属箔产生缺陷的成膜装置。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】成膜装置、电解电容器用电极箔的制造方法以及电解电容器的制造方法


[0001]本公开涉及成膜装置、电解电容器用电极箔的制造方法以及电解电容器的制造方法。

技术介绍

[0002]以往，作为电解电容器用电极箔的制造方法，已知在化成液中对金属箔实施阳极氧化的方法。例如，专利文献1提出了一种电解电容器用电极箔的制造方法，在对铝蚀刻箔实施了阳极氧化的电解电容器用电极箔的制造方法中，对在该蚀刻箔实施了阳极氧化以及干燥的电极箔进行再次的阳极氧化时，将该电极箔浸渍于酸性溶液后，进行再次的阳极氧化。
[0003]另一方面，已知使用原子层沉积法(ALD)在基材形成皮膜的成膜装置(例如，专利文献2)。专利文献2的成膜装置具备：第1辊，送出皮膜形成前的基材；第2辊，卷绕皮膜形成后的基材；和支承构造体，对从第1辊向第2辊输送的基材进行支承。专利文献1的成膜装置还具备介于基材与支承构造体之间的网状物，由此可阻止基材与支承构造体的直接接触。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本特开2007
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184301号公报
[0007]专利文献2：美国专利第10214813号说明书

技术实现思路

[0008]‑
专利技术要解决的问题
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[0009]在通过气相法在主面具有多孔质部的金属箔形成皮膜的成膜装置中，容易在金属箔产生裂缝、空隙等的缺陷。特别地，在从皮膜形成的后半到金属箔的卷绕之间，容易在该金属箔产生裂缝、空隙等的缺陷。在现有的化成液中对金属箔实施阳极氧化的方法中，如专利文献1那样，能够修复空隙、裂缝等的缺陷。另一方面，在通过气相法在金属箔形成皮膜的情况下，难以修复这样的缺陷。在这样的状况中，本公开的目的之一在于，提供一种难以在成膜对象的金属箔产生缺陷的成膜装置。
[0010]‑
解决问题的手段
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[0011]本公开的一方面涉及通过气相法在主面具有多孔质部的金属箔形成皮膜。该成膜装置具备：成膜区域，在所述金属箔形成所述皮膜；输送体，设置于所述成膜区域的下游，从所述成膜区域引出所述金属箔；和控制部，将从所述输送体向所述金属箔施加的应力控制为21N/mm2以下。
[0012]‑
专利技术效果
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[0013]根据本公开，可得到在成膜对象的金属箔难以产生缺陷的成膜装置。
[0014]在附加的权利要求书中记载了本专利技术的新的特征，但是本专利技术关于结构以及内容
这两方面，通过对照附图的以下的详细说明，能够与本申请的其他目的以及特征一并进一步容易理解。
附图说明
[0015]图1是示意性地表示实施方式1的成膜装置的主视图。
[0016]图2是示意性地表示第4辊和金属箔的主视图。
[0017]图3是示意性地表示实施方式2的成膜装置的主视图。
具体实施方式
[0018]以下，举例说明本公开所涉及的成膜装置的实施方式。但是，本公开并不限定于以下说明的例子。在以下的说明中，可能示例具体的数值、材料，但只要获得本公开的效果，也可以应用其他数值、材料。
[0019](成膜装置)
[0020]本公开所涉及的成膜装置具备：成膜区域、输送体和控制部。以下，对这些进行说明。
[0021](成膜区域)
[0022]在成膜区域中，在主面上具有多孔质部的金属箔通过气相法而形成皮膜。多孔质部可以仅设置于一个主面，也可以设置于两个主面。皮膜例如在主面具有多孔质部的金属箔在成膜区域通过卷对卷方式连续输送的期间形成。成膜区域可以包含：供给第1气体的第1供给区、吹扫第1气体的第1排气区、供给第2气体的第2供给区、吹扫第2气体的第2排气区。但是，成膜区域的结构并不局限于此。
[0023]金属箔也可以包含第1金属。第1金属的种类并不被特别限定。第1金属从皮膜的形成容易这方面来看，也可以是铝、钽、铌等阀作用金属或者包含阀作用金属的合金。金属箔的厚度并不被特别限定，例如可以是10μm以上且300μm以下，特别地也可以是15μm以上且250μm以下。金属箔的纯度并不被特别限定，例如也可以是99％以上且99.99％以下。
[0024]第1气体可以包含第2金属。第1气体可以以气体的状态包含含有第2金属的前体(前驱体)。第2金属的种类并不被特别限定。作为第2金属，例如举例铝、钽、铌、硅、钛、锆、铪等。这些可以单独使用，或者也可以将两种以上组合使用。第1气体优选将氮、氩等的惰性气体作为载气而包含。
[0025]第2气体可以包含惰性气体以及氧化剂。惰性气体例如可以是氮或者氩。氧化剂例如可以是水、氧、臭氧、过氧化氢或者二氧化碳。作为第2气体，可以使用等离子体气体。作为等离子体，可以将氧、氮、臭氧、二氧化碳或者这些气体两种以上组合使用。
[0026](输送体)
[0027]输送体被设置于成膜区域的下游，从成膜区域引出金属箔。输送体例如可以是具备电机的输送辊。这样的输送辊可以是对成膜后的金属箔进行卷绕的卷绕辊，也可以是位于比卷绕辊更靠上游侧的位置的卷绕辊以外的辊。其中，输送体的结构并不局限于这些。
[0028](控制部)
[0029]控制部将从输送体向金属箔施加的应力控制为21N/mm2以下。控制部可以控制多个输送体，也可以仅控制施加最大应力的输送体。施加于金属箔的应力根据控制部的控制
方式，可能在与卷绕辊的接触部分或者其附近为最大，也可能在其以外的场所为最大。通过将施加于金属箔的最大的应力控制为21N/mm2以下，在成膜对象的金属箔难以产生缺陷。控制部例如也可以通过控制输送体的动力，来控制从输送体向金属箔施加的应力。或者，控制部也可以通过控制输送体的位置，来控制从输送体向金属箔施加的应力。另外，基于控制部的控制的方式并不局限于这些。
[0030]在此，在成膜中，将第1气体、第2气体等的成膜材料向金属箔喷吹来成膜，因此若施加于金属箔的应力(或者张力)过低，则可能在成膜中金属箔晃动或弯曲，金属箔的位置变得不稳定。在将第1气体与载气一起向金属箔喷吹的情况下，金属箔的位置控制进一步变得重要。成膜材料与金属箔的位置关系的控制也可能对皮膜的膜质有影响，因此优选将刚刚成膜之后或者成膜区域附近的输送体的应力在21N/mm2以下的范围内提高，来抑制成膜所导致的金属箔的晃动。
[0031]另外，本说明书中所谓“应力”，是指将从输送体向金属箔施加的张力(单位：N)除以金属箔的横截面积(单位：mm2)而得到的值。即，在本说明书中提到“应力”时，其不是金属箔的任意的横截面处的局部最大应力值，而是该横截面处的整体平均应力值。并且，前段落中提到的“最大的应力”，是指金属箔的长度方向上平均应力值变化的情况下的最大的平均应力值。
[0032]如以上那样，根据本公开，获得在成膜对象的金属箔、皮膜难以产生缺陷的成膜装置。特别地，根据本公开，能够有效地抑制从皮膜形成的后半到金属箔的卷绕为止的期间在该金属箔产生缺陷。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种成膜装置，通过气相法，在主面具有多孔质部的金属箔形成皮膜，所述成膜装置具备：成膜区域，在所述金属箔形成所述皮膜；输送体，被设置于所述成膜区域的下游，从所述成膜区域引出所述金属箔；和控制部，将从所述输送体对所述金属箔施加的应力控制为21N/mm2以下。2.根据权利要求1所述的成膜装置，其中，所述多孔质部的厚度为5μm以上。3.根据权利要求1或者2所述的成膜装置，其中，所述金属箔具有与所述多孔质部连续的芯部，所述芯部的厚度为10μm以上。4.根据权利要求1～3的任一项所述的成膜装置，其中，所述皮膜包含电介质。5.根据权利要求1～4的任一项所述的成膜装置，其中，所述皮膜的...

【专利技术属性】
技术研发人员：吉村满久，栗原直美，小川美和，山口晶大，
申请(专利权)人：松下知识产权经营株式会社，
类型：发明
国别省市：