【技术实现步骤摘要】
一种用于LTCC封装玻璃射频信号屏蔽孔及其制作方法
[0001]本专利技术涉及电子器件
,具体涉及一种用于LTCC封装玻璃射频信号屏蔽孔及其制作方法。
技术介绍
[0002]随着IC芯片向纳米方向发展,人们对芯片的小体积、轻质量和高可靠性的要求越来越高。传统2D封装采用的引线键合技术,需要长程互联,电路的延迟比较大且电路易失效,电路系统整体的质量和体积也比较大,电子产品的小型化和高集成度的发展趋势,需要对应的纳米封装技术与之对应,而通孔互联技术无疑是一种高性价比和高可靠性的互联封装技术。
[0003]目前,常用的高频信号屏蔽孔多采用硅或者陶瓷做基板,采用硅通孔技术TSV进行信号屏蔽通孔的制作的话,由于硅是半导体材料,电阻率低,TSV周围电子在电磁场作用下可以自由移动,会对临近信号产生影响,不能很好的实现隔离传输,影响芯片性能;采用陶瓷通孔技术TCV的话,陶瓷主要是用激光打孔,其最小孔径为150μm,节距为250μm,孔中心间距最小为400μm,难以制作出高密度的通孔,无法实现好的隔离传输,孔的侧壁粗糙度也难以满 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于LTCC封装玻璃射频信号屏蔽孔的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)将硅酸盐玻璃原料和掺入剂混合后,制备可光刻玻璃,然后进行切片和抛光,制得可光刻玻璃基板;(2)将步骤(1)制得的可光刻玻璃基板置于掩膜版下,进行紫外曝光和退火,然后进行深反应离子刻蚀,再进行二次热处理,制得中间体;(3)将步骤(2)制得的中间体进行通孔金属填充,制得用于LTCC封装玻璃射频信号屏蔽孔。2.根据权利要求1所述的用于LTCC封装玻璃射频信号屏蔽孔的制作方法,其特征在于,步骤(1)中,掺入剂为碱土金属和硼的混合物。3.根据权利要求1所述的一种用于LTCC封装玻璃射频信号屏蔽孔的制作方法,其特征在于,步骤(1)中,切片厚度为0.3
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3mm,抛光至表面粗糙度为20
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50nm。4.根据权利要求1所述的用于LTCC封装玻璃射频信号屏蔽孔的制作方法,其特征在于,步骤(2)中,在波长300
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320nm条件下进行紫外曝光。5.根据权利要求1所述的用于LTCC封装玻璃射频信...
【专利技术属性】
技术研发人员:庄乃川,王洪洋,梁天鹏,钱可伟,
申请(专利权)人:深圳飞特尔科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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