【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】集成组合件和形成集成组合件的方法
[0001]相关专利资料
[0002]本申请要求于2020年9月28日提交的美国专利申请序列号17/035,542的优先权，所述美国专利申请的公开内容通过引用并入本文。
[0003]集成组合件(例如，集成存储器)。形成集成组合件的方法。
技术介绍
[0004]在各种半导体装置中使用晶体管。场效应晶体管(FET)包含位于一对源极/漏极区域之间的沟道区域并且包含被配置成通过所述沟道区域将所述源极/漏极区域彼此电连接的栅极。
[0005]竖直FET(VFET)具有总体上垂直于晶体管形成于其上的基板的主表面的沟道区域。常规使用多晶硅作为晶体管中的沟道区域的材料。由于二维材料与多晶硅相比具有大的带隙和良好的迁移特性，因此还研究了将其用作沟道材料。将二维材料掺入到晶体管中可能是有问题的。
[0006]期望开发用于将二维材料掺入到晶体管装置中的新方法。还期望开发利用二维材料的经改进的晶体管装置构型。
附图说明
[0007]图1
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种集成组合件，其包括：导电结构；环状结构，所述环状结构延伸穿过所述导电结构，所述环状结构包括介电材料；以及活性材料结构，所述活性材料结构给所述环状结构的内部周边加内衬，所述活性材料结构包括二维材料。2.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述环状结构和所述活性材料结构具有位于所述导电结构的上表面上方的上表面；并且所述集成组合件进一步包括导电材料，所述导电材料位于所述环状结构和所述活性材料结构的所述上表面之上并且封盖所述活性材料结构的内部区域。3.根据权利要求2所述的集成组合件，其包括位于所述内部区域内的空隙。4.根据权利要求3所述的集成组合件，其中所述空隙还被所述活性材料结构的跨所述空隙的顶部延伸的区域封盖。5.根据权利要求2所述的集成组合件，其包括位于所述内部区域内的绝缘材料。6.根据权利要求5所述的集成组合件，其中所述绝缘材料包括二氧化硅。7.根据权利要求5所述的集成组合件，其中所述绝缘材料包括一或多种高k组合物。8.根据权利要求2所述的集成组合件，其中所述活性材料结构的一部分被配置为位于所述环状结构的所述上表面之上的台肩区域，并且其中所述导电材料直接抵靠所述台肩区域。9.根据权利要求8所述的集成组合件，其中除了所述台肩区域的侧壁边缘之外，所述活性材料结构不具有暴露的侧壁边缘。10.根据权利要求2所述的集成组合件，其中所述导电结构为第一导电结构；其中所述活性材料结构具有位于所述第一导电结构的底表面之下的底表面；并且所述集成组合件进一步包括第二导电结构，所述第二导电结构位于所述活性材料结构的所述底表面下方并且直接抵靠所述活性材料结构的所述底表面。11.根据权利要求2所述的集成组合件，其包括与所述导电材料电耦合的存储元件。12.根据权利要求11所述的集成组合件，其中所述存储元件为电容器。13.根据权利要求12所述的集成组合件，其中所述电容器为铁电电容器。14.根据权利要求12所述的集成组合件，其中所述电容器为非铁电电容器。15.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述二维材料包括碳、硼、锗、硅、磷、铋、铟、钼、铂、铼、锡、钨和铪中的一或多种。16.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述二维材料包括石墨烯、石墨炔、硼墨烯、锗烯、硅烯、Si2BN、锡烯、磷烯、铋烯、二硫化钼、二硒化钼、二硫化钨、二硒化钨、二硫化锡、二硫化铼、二硫化铟和二硫化铪中的一或多种。17.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述二维材料包括由1个至10个单独的层组成的堆叠。18.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述二维材料包括的厚度在约0.5nm至约5nm的范围内。19.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述二维材料是基本上完全单晶的。20.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述活性材料结构为容器形状的。
21.根据权利要求20所述的集成组合件，其中所述活性材料结构具有上下颠倒的沿帽构型。22.一种集成组合件，其包括：第一导电结构，所述第一导电结构沿第一方向延伸；第一绝缘材料，所述第一绝缘材料位于所述第一导电结构之上；第二导电结构，所述第二导电结构位于所述第一绝缘材料之上，并且沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸；绝缘环，所述绝缘环延伸穿过所述第二导电结构；活性材料结构，所述活性材料结构给所述绝缘环的内部周边加内衬，所述活性材料结构包括二维材料；所述活性材料结构具有位于所述第二导电结构下方的下部源极/漏极区域、位于所述第二导电结构上方的上部源极/漏极区域以及位于所述上部源极/漏极区域与所述下部源极/漏极区域之间的沟道区域；...
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