半导体结构及其形成方法技术

一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：基底，所述基底包括相背的第一面和第二面，所述第一面包括第一有源区，所述第二面包括第二有源区；第一晶体管，位于所述基底的第一面上，所述第一晶体管包括位于第一有源区的基底上的第一栅极结构、以及位于第一栅极结构两侧第一有源区内的第一源漏掺杂区；第二晶体管，位于所述基底的第二面上，所述第二晶体管包括位于第二有源区的基底上的第二栅极结构、以及位于所述第二栅极结构两侧第二有源区内的第二源漏掺杂区。本发明专利技术实施例基底的两面均形成有晶体管，有利于提高晶体管的密度和集成度，还有利于提高晶体管类型的多样性，以满足器件多样化和性能多样化的需求。器件多样化和性能多样化的需求。器件多样化和性能多样化的需求。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法


[0001]本专利技术实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]随着半导体制造技术的飞速发展，半导体器件朝着更高的元件密度，以及更高集成度的方向发展，半导体工艺节点遵循摩尔定律的发展趋势不断减小。晶体管作为最基本的半导体器件目前正被广泛应用。
[0003]但是，目前晶体管的密度和集成度仍有待提高。

技术实现思路

[0004]本专利技术实施例解决的问题是提供一种半导体结构及其形成方法，提高晶体管的密度和集成度。
[0005]为解决上述问题，本专利技术实施例提供一种半导体结构，包括：基底，所述基底包括相背的第一面和第二面，所述第一面包括第一有源区，所述第二面包括第二有源区；第一晶体管，位于所述基底的第一面上，所述第一晶体管包括位于第一有源区的基底上的第一栅极结构、以及位于第一栅极结构两侧第一有源区内的第一源漏掺杂区；第二晶体管，位于所述基底的第二面上，所述第二晶体管包括位于第二有源区的基底上的第二栅极结构、以及位于所述第二栅极结构两侧第二有源区内的第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：基底，所述基底包括相背的第一面和第二面，所述第一面包括第一有源区，所述第二面包括第二有源区；第一晶体管，位于所述基底的第一面上，所述第一晶体管包括位于第一有源区的基底上的第一栅极结构、以及位于第一栅极结构两侧第一有源区内的第一源漏掺杂区；第二晶体管，位于所述基底的第二面上，所述第二晶体管包括位于第二有源区的基底上的第二栅极结构、以及位于所述第二栅极结构两侧第二有源区内的第二源漏掺杂区。2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：通孔，位于所述第一晶体管与所述第二晶体管之间；通孔互连结构，位于所述通孔内且连接所述第一晶体管与所述第二晶体管；或者，所述第一晶体管和第二晶体管从外部连通。3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一晶体管包括：平面型晶体管、鳍式场效应晶体管、全包围栅极晶体管或叉型栅极晶体管；所述第二晶体管包括：平面型晶体管、鳍式场效应晶体管、全包围栅极晶体管或叉型栅极晶体管。4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：第一源漏互连结构，位于所述第一晶体管上且与所述第一源漏掺杂区电连接；第一栅极互连结构，位于所述第一晶体管上且与所述第一栅极结构电连接；第二源漏互连结构，位于所述第二晶体管上且与所述第二源漏掺杂区电连接；第二栅极互连结构，位于所述第二晶体管上且与所述第二栅极结构电连接。5.如权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述第一源漏互连结构的材料包括：Co、W、Ru、Al、Ir、Rh、Os、Pd、Cu、Pt、Ni、Ta、TaN、Ti和TiN中的一种或多种；所述第一栅极互连结构的材料包括：Co、W、Ru、Al、Ir、Rh、Os、Pd、Cu、Pt、Ni、Ta、TaN、Ti和TiN中的一种或多种；所述第二源漏互连结构的材料包括：Co、W、Ru、Al、Ir、Rh、Os、Pd、Cu、Pt、Ni、Ta、TaN、Ti和TiN中的一种或多种；所述第二栅极互连结构的材料包括：Co、W、Ru、Al、Ir、Rh、Os、Pd、Cu、Pt、Ni、Ta、TaN、Ti和TiN中的一种或多种。6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述基底的材料包括：单晶硅、锗、锗化硅、碳化硅、氮化镓、砷化镓和镓化铟中的一种或多种；所述第一源漏掺杂区的材料包括：Si、SiC和SiGe中的一种或多种；所述第二源漏掺杂区的材料包括：Si、SiC和SiGe中的一种或多种。7.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述通孔互连结构的材料包括：Co、W、Ru、Al、Ir、Rh、Os、Pd、Cu、Pt、Ni、Ta、TaN、Ti和TiN中的一种或多种。8.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一栅极结构包括第一栅介质层和位于所述第一栅介质层上的第一栅电极层；所述第二栅极结构包括第二栅介质层和位于所述第二栅介质层上的第二栅电极层。9.如权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述第一栅介质层的材料包括：HfO2、ZrO2、HfSiO、HfSiON、HfTaO、HfTiO、HfZrO、La2O3、Al2O3、氧化硅和掺氮氧化硅中的一种或多
种；所述第一栅电极层的材料包括：TiAl、TiALC、TaAlN、TiAlN、MoN、TaCN、AlN、Ta、TiN、TaN、TaSiN、TiSiN、W、Co、Al、Cu、Ag、Au、Pt和Ni中的任意一种或多种；所述第二栅介质层的材料包括：HfO2、ZrO2、HfSiO、HfSiON、HfTaO、HfTiO、HfZrO、La2O3、Al2O3、氧化硅和掺氮氧化硅中的一种或多种；...

【专利技术属性】
技术研发人员：金吉松，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：