一种测试结构及测试方法技术

本申请公开了一种测试结构及测试方法，其中测试结构基于一闪存器件，所述闪存器件包括：第一金属层；第二金属层，所述第二金属层位于所述第一金属层上方；金属插塞，若干所述金属插塞形成于所述第一金属层和第二金属层之间；所述测试结构包括：内接单元，用于实现所有所述金属插塞的串联；外接单元，用于实现所述测试结构与外部的测试设备的连接。本申请通过上述方案，能够解决相关技术中无法实时确认器件内部的连通情况的问题。件内部的连通情况的问题。件内部的连通情况的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种测试结构及测试方法


[0001]本申请涉及半导体生产的
，具体涉及一种测试结构及测试方法。

技术介绍

[0002]闪存(flash)器件是一种非易失性存储器，具有存储速度快、高密度等特点。浮栅结构的nord闪存包括浮栅、控制栅、位于浮栅和控制栅之间的ono(氧化硅
‑
氮化硅
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氧化硅)结构，浮栅与衬底之间还有一层耦合氧化层。耦合氧化层和ono结构对闪存器件的性能起到了关键作用。
[0003]随着Nord Flash器件的微缩，后段Pitch也随之减小，这就增大了刻蚀工艺的难度。在进行All
‑
In
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One刻蚀工艺时，两层金属间易出现Via open，即两层金属间通孔未刻穿，导致两层金属间的互连失效。
[0004]目前，对线上后段All
‑
In
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One刻蚀工艺的监控只能靠扫描电镜和椭偏仪等微观结构测量工具，无法实时确认器件内部的连通情况。

技术实现思路

[0005]本申请提供了一种测试结构及其形本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种测试结构，其特征在于，所述测试结构基于一闪存器件，所述闪存器件包括：第一金属层；第二金属层，所述第二金属层位于所述第一金属层上方；金属插塞，若干所述金属插塞形成于所述第一金属层和第二金属层之间；所述测试结构包括：内接单元，用于实现所有所述金属插塞的串联；外接单元，用于实现所述测试结构与外部的测试设备的连接。2.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述外接单元为连接于所述第二金属层的金属触点。3.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述测试设备为皮安级的源表。4.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述测试结构是在所述第一金属层、第二金属层和金属插塞的形成过程中，同步形成在所述闪存器件中的。5.根据权利要求4所述的测试结构，其特征在于，所述测试结构是通过大马...

【专利技术属性】
技术研发人员：程国庆，张磊，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：