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本申请公开了一种测试结构及测试方法,其中测试结构基于一闪存器件,所述闪存器件包括:第一金属层;第二金属层,所述第二金属层位于所述第一金属层上方;金属插塞,若干所述金属插塞形成于所述第一金属层和第二金属层之间;所述测试结构包括:内接单元,用于...该专利属于华虹半导体(无锡)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过华虹半导体(无锡)有限公司授权不得商用。
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