半导体封装结构制造技术

本公开提供的半导体封装结构，利用钽电容器体积小，电容量大的特性，将钽电容器内埋于重布线结构中，有利于体积微小化。另外，为了避免线路设计需要考虑钽电容器的极性位置而导致线路设计受限，由两个以上偶数个钽电容器反向串联得到无极性电容器而实现。向串联得到无极性电容器而实现。向串联得到无极性电容器而实现。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装结构


[0001]本公开涉及半导体
，具体涉及半导体封装结构。

技术介绍

[0002]在被动组件(例如电容器)内埋于基板的结构中，通常采用片式多层陶瓷电容器(Multi
‑
layer Ceramic Capacitor，MLCC)，其电容量较低，若要增加电容值，则需增加电容器数量而导致整个结构的尺寸增大，使体积微小化受限。

技术实现思路

[0003]本公开提供了一种半导体封装结构。
[0004]第一方面，本公开提供了一种半导体封装结构，包括：
[0005]重布线结构，具有无极性电容器，所述无极性电容器包括两个以上偶数个反向串联的有极性电容器；
[0006]第一电子组件和第二电子组件，相邻设置于所述重布线结构上，所述第一电子组件和所述第二电子组件用于从所述无极性电容器接收电力。
[0007]在一些可选的实施方式中，所述有极性电容器为钽电容器。
[0008]在一些可选的实施方式中，相邻的两个所述有极性电容器共享同极性的电极。
[0009]在一些可选的实施方式中，相邻的两个所述有极性电容器的相同极性的电极相连。
[0010]在一些可选的实施方式中，所述相邻的两个所述有极性电容器之间设有阻挡层，所述阻挡层用于降低等效串联电阻。
[0011]在一些可选的实施方式中，所述阻挡层为碳系导电材料。
[0012]在一些可选的实施方式中，所述碳系导电材料为石墨。
[0013]在一些可选的实施方式中，所述重布线结构中的重布线层与所述有极性电容器之间具有阻挡层，所述阻挡层用于降低等效串联电阻。
[0014]在一些可选的实施方式中，所述重布线结构中的重布线层与所述阻挡层之间具有银胶。
[0015]在一些可选的实施方式中，所述第一电子组件为专用集成电路芯片，所述第二电子组件为高带宽存储器芯片；或
[0016]所述第二电子组件为专用集成电路芯片，所述第一电子组件为高带宽存储器芯片。
[0017]在一些可选的实施方式中，所述第一电子组件或所述第二电子组件与所述无极性电容器在垂直于所述重布线结构上表面的方向上至少部分重叠。
[0018]在一些可选的实施方式中，电源是依次经过所述重布线结构中的第一导通孔、第一重布线层、所述无极性电容器的下电极、所述无极性电容器、所述无极性电容器的上电极、第二重布线层传输至所述第一电子组件或所述第二电子组件内。
[0019]在一些可选的实施方式中，电源是依次经过所述重布线结构中的第一导通孔、所述第二重布线层、所述无极性电容器的上电极、所述无极性电容器、所述无极性电容器的下电极、所述第一重布线层传输至所述第一电子组件或所述第二电子组件内。
[0020]在一些可选的实施方式中，所述重布线结构具有连接所述第一电子组件与所述第二电子组件的桥接线路,所述桥接线路与所述无极性电容器以及连接所述无极性电容器的重布线层物理上区隔。
[0021]在一些可选的实施方式中，所述桥接线路在垂直于所述重布线结构上表面的方向上与所述无极性电容器不重叠。
[0022]本公开提供的半导体封装结构，利用钽电容器体积小，电容量大的特性，将钽电容器内埋于重布线结构中，有利于体积微小化。另外，为了避免线路设计需要考虑钽电容器的极性位置而导致线路设计受限，由两个以上偶数个钽电容器反向串联得到无极性电容器而实现。
附图说明
[0023]通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本公开的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
[0024]图1是根据本公开实施例的半导体封装结构的结构示意图；
[0025]图2A是根据本公开实施例的半导体封装结构的第一俯视结构示意图；
[0026]图2B是根据本公开实施例的半导体封装结构的第二俯视结构示意图；
[0027]图3至图5是根据本公开实施例的无极性电容器的第一结构示意图至第三结构示意图。
[0028]符号说明：
[0029]1‑
重布线结构，11
‑
重布线层，12
‑
桥接线路，13
‑
第一导通孔，14
‑
第一重布线，15
‑
第二重布线，16
‑
第一电源路径，17
‑
第二电源路径，2
‑
第一电子组件，3
‑
第二电子组件，4
‑
无极性电容器，41
‑
有极性电容器，411
‑
阳极，412
‑
电介质，413
‑
阴极，414
‑
阻挡层，415
‑
银胶，5
‑
外部电连接件。
[0030]具体实施方式下面结合附图和实施例对说明本公开的具体实施方式，通过本说明书记载的内容本领域技术人员可以轻易了解本公开所解决的技术问题以及所产生的技术效果。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关专利技术，而非对该专利技术的限定。另外，为了便于描述，附图中仅示出了与有关专利技术相关的部分。
[0031]需要说明的是，说明书附图中所绘示的结构、比例、大小等，仅用于配合说明书所记载的内容，以供本领域技术人员的了解与阅读，并非用以限定本公开可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本公开所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本公开所揭示的
技术实现思路
得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“第一”、“第二”及“一”等用语，也仅为便于叙述的明了，而非用以限定本公开可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更
技术实现思路
下，当也视为本公开可实施的范畴。
[0032]应容易理解，本公开中的“在...上”、“在...之上”和“在...上面”的含义应该以最广义的方式解释，使得“在...上”不仅意味着“直接在某物上”，而且还意味着包括存在两者
之间的中间部件或层的“在某物上”。
[0033]此外，为了便于描述，本公开中可能使用诸如“在...下面”、“在...之下”、“下部”、“在...之上”、“上部”等空间相对术语来描述一个组件或部件与附图中所示的另一组件或部件的关系。除了在图中描述的方位之外，空间相对术语还意图涵盖装置在使用或操作中的不同方位。设备可以以其他方式定向(旋转90
°
或以其他定向)，并且在本公开中使用的空间相对描述语可以被同样地相应地解释。
[0034]另外，在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本公开。
[0035]图1是根据本公开实施例的半导体封装结构的结构示意图。如图1所示，该半导体结构包括重布线结构1、第一电子组件2以及第二电子组件3。其中，重布线结构1具有无极性电容器4。无极性电容器4包括两个以上偶数个本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装结构，包括：重布线结构，具有无极性电容器，所述无极性电容器包括两个以上偶数个反向串联的有极性电容器；第一电子组件和第二电子组件，相邻设置于所述重布线结构上，所述第一电子组件和所述第二电子组件用于从所述无极性电容器接收电力。2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中，相邻的两个所述有极性电容器共享同极性的电极。3.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中，相邻的两个所述有极性电容器的相同极性的电极相连。4.根据权利要求3所述的半导体封装结构，其中，所述相邻的两个所述有极性电容器之间设有阻挡层，所述阻挡层用于降低等效串联电阻。5.根据权利要求4所述的半导体封装结构，其中，所述重布线结构中的重布线层与所述有极性电容器之间具有阻挡层，所述阻挡层用于降低等效串联电阻。6.根据权利要求4所述的半导体封装结构，其中，所述第一电子组件或所述第二电子组件与所述无极性电容器在垂直于所述重布线结构上表面的...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶昶麟，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：