具有改善的触点的薄膜电阻器（TFR）制造技术

本公开提供一种形成在集成电路器件中的薄膜电阻器(TFR)模块。该TFR模块包括连接在第一竖直延伸的TFR侧面触点与第二竖直延伸的TFR侧面触点之间的TFR元件。该TFR元件包括在该TFR侧面触点之间横向延伸的基部部分，以及从该基部部分的相对端部竖直突出的第一TFR元件端部凸缘和第二TFR元件端部凸缘。该第一TFR元件端部凸缘形成在该第一TFR侧面触点的侧壁上，并且该第二TFR元件端部凸缘形成在该第二TFR侧面触点的侧壁上。第一TFR头部接触该第一TFR侧面触点以及该第一TFR元件端部凸缘的顶部，并且第二TFR头部接触该第二TFR侧面触点以及该第二TFR元件端部凸缘的顶部，因此限定该TFR元件与每个TFR头部之间的两个并联导电路径。径。径。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有改善的触点的薄膜电阻器(TFR)
[0001]相关专利申请
[0002]本申请要求2020年12月31日提交的共同拥有的美国临时专利申请第63/133,008号的优先权，该美国临时专利申请的全部内容据此出于所有目的以引用方式并入。


[0003]本公开涉及薄膜电阻器(TFR)，特别地涉及形成在集成电路(IC)器件的互连件层中的TFR模块以及用于制造此类TFR模块的方法。

技术介绍

[0004]半导体集成电路(IC)通常包括用于连接IC的各种组件(称为互连件)或线路后端(BEOL)元件的金属化层。铜由于较低电阻率和较高抗电迁移性而通常比铝更优选。为方便起见，抗电阻性电阻(Electrical resistance)在本文中一般地称为“电阻(resistance)”。然而，铜互连件通常难以通过用于铝互连件的传统光致抗蚀剂掩蔽和等离子体蚀刻来制造。
[0005]在IC上形成铜互连件的一种已知技术称为增材图案化，有时称为镶嵌工艺，其涉及传统的金属嵌补技术。所谓的镶嵌工艺可包括图案化电介质材料，诸如二氧化硅，或氟代硅酸盐玻璃(F本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种在集成电路(IC)结构中形成薄膜电阻器(TFR)模块的方法，所述方法包括：形成彼此间隔开的第一竖直延伸的TFR侧面触点和第二竖直延伸的TFR侧面触点；在所述第一竖直延伸的TFR侧面触点与所述第二竖直延伸的TFR侧面触点之间形成TFR元件，所述TFR元件包括：横向延伸的TFR元件基部，所述横向延伸的TFR元件基部从所述第一竖直延伸的TFR侧面触点近侧的第一端部延伸到所述第二竖直延伸的TFR侧面触点近侧的第二端部；和从所述TFR元件基部的所述第一端部竖直突出的第一TFR元件端部凸缘，所述第一TFR元件端部凸缘平行于所述第一竖直延伸的TFR侧面触点延伸并且与之接触；和从所述TFR元件基部的所述第二端部竖直突出的第二TFR元件端部凸缘，所述第二TFR元件端部凸缘平行于所述第二竖直延伸的TFR侧面触点延伸并且与之接触；以及形成与所述第一竖直延伸的TFR侧面触点接触的第一TFR头部和与所述第二竖直延伸的TFR侧面触点接触的第二TFR头部。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述TFR元件包含SiCr、SiCCr、NiCr或TaN。3.根据权利要求1所述的方法，其中：所述第一TFR头部形成为使得所述第一TFR头部的底部表面与所述第一TFR元件端部凸缘接触；并且所述第二TFR头部形成为使得所述第二TFR头部的底部表面与所述第二TFR元件端部凸缘接触。4.根据权利要求1所述的方法，其中：所述第一TFR头部形成为使得所述第一TFR头部的底部表面与以下两者接触：(a)所述第一竖直延伸的TFR侧面触点和(b)所述第一TFR元件端部凸缘；并且所述第二TFR头部形成为使得所述第二TFR头部的底部表面与以下两者接触：(a)所述第二竖直延伸的TFR侧面触点和(b)所述竖直延伸的第二TFR元件端部凸缘。5.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述TFR元件还包括：形成TFR元件侧面凸缘，所述TFR元件侧面凸缘从所述TFR元件基部竖直突出并且在所述第一TFR元件端部凸缘与所述第二TFR元件端部凸缘之间延伸；以及去除所述TFR元件侧面凸缘的至少部分高度。6.根据权利要求5所述的方法，还包括进行金属蚀刻以实现以下两者：(a)限定所述第一TFR头部和所述第二TFR头部以及(b)去除所述TFR元件侧面凸缘的所述至少部分高度。7.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：冷耀俭，J，
申请(专利权)人：微芯片技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：