MIM电容结构的制造方法技术

本发明专利技术提供一种MIM电容结构的制造方法，提供衬底，衬底上形成有半导体结构以及覆盖半导体结构的第一层间介质层，在第一层间介质层上形成与半导体结构电接触的第一金属层，第一金属层上形成有介质阻挡层以及第二层间介质层；在第二层间介质层上形成光刻胶层，光刻打开光刻胶层使得其下方的第二层间介质层裸露，刻蚀裸露的第二层间介质层及其下方的介质阻挡层至第一金属层裸露，用以形成凹槽，之后去除剩余的光刻胶层；在凹槽上形成MIM电容结构，之后在MIM电容结构上形成第二金属层，之后研磨第二金属层、MIM电容结构至第二层间介质层的上方。本发明专利技术与后段金属互连工艺兼容，具有电容效率高，容值精度高，工艺步骤少，仅需要一次光刻即可实现的优点。次光刻即可实现的优点。次光刻即可实现的优点。

【技术实现步骤摘要】
MIM电容结构的制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种MIM电容结构的制造方法。

技术介绍

[0002]相比MOM(Metal
‑
Oxide
‑
Metal,金属
‑
氧化物
‑
金属组成的夹心结构)器件，MiM(金属、绝缘体、金属三层薄膜组成的夹心结构)具有容值精度高和单位容值大的优势，广泛应用于Al后段工艺。
[0003]请参阅图1，现有技术中的一种MIM电容结构包括一层间介质层201，该层间介质层201通常为低介电常数材料，层间介质层201上形成有氧化层202，由于大块的铜易产生凹陷，影响之后的电容结构形成，故需通过刻蚀氧化层202以及淀积、研磨形成第一氮化钽层204作为电容器底板，之后在第一氮化钽层204上形成氮化硅层205及包裹与氮化硅中的第二氮化钽层206，之后形成铜互连结构。
[0004]而要在铜后段中集成MIM工艺，为解决光刻对位和大块的铜研磨后产生凹陷(dishing)的问题，一般需要增加两层光刻层：AMARK(MIM本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种MIM电容结构的制造方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供衬底，所述衬底上形成有半导体结构以及覆盖所述半导体结构的第一层间介质层，在所述第一层间介质层上形成与所述半导体结构电接触的第一金属层，所述第一金属层上形成有介质阻挡层以及第二层间介质层；步骤二、在所述第二层间介质层上形成光刻胶层，光刻打开所述光刻胶层使得其下方的所述第二层间介质层裸露，刻蚀裸露的第二层间介质层及其下方的所述介质阻挡层至所述第一金属层裸露，用以形成凹槽，之后去除剩余的所述光刻胶层；步骤三、在所述凹槽上形成MIM电容结构，之后在所述MIM电容结构上形成第二金属层，之后研磨所述第二金属层、所述MIM电容结构至所述第二层间介质层的上方；步骤四、在所述第二层间介质层、所述MIM电容结构上形成第三层间介质层，之后通过刻蚀、淀积、研磨在所述第三层间介质层上形成与所述第二金属层电连接的第三金属层，在所述第二、三介质层上形成与第一金属层电接触的第四金属层，之后形成与所述第三、四金属层电连接的后段金属互连层结构。2.根据权利要求1所述的MIM电容结构的制造方法，其特征在于：步骤一中的所述衬底包括块状半导体衬底或绝缘体上硅衬底。3.根据权利要求1所述的MIM电容结构的制造方法，其特征在于：步骤一中的所述第一层间介质层的材料为低介电常数材料。4.根据权利要求1所述的MIM电容结...

【专利技术属性】
技术研发人员：李志国，张继亮，徐杰，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：