【技术实现步骤摘要】
插入结构和包括该插入结构的半导体封装
[0001]本公开涉及一种插入结构和包括该插入结构的半导体封装。
技术介绍
[0002]由于半导体电路的集成和小型化，高性能芯片的信号和电源完整性已经越来越重要。因此，对用于互连多个芯片(例如系统芯片(SOC)和高带宽存储器(HBM)芯片)的硅插入器(silicon interposer)的需求日益增加。此外，插入式电容器(interposer capacitor)也在开发中。
技术实现思路
[0003]根据本公开的一些实施方式，提供一种半导体封装，该半导体封装包括：插入基板；层间绝缘层，设置在插入基板的上表面上；电容器结构，设置在层间绝缘层内；第一通路，在垂直方向上穿透层间绝缘层并且连接到电容器结构；绝缘层，设置在层间绝缘层上；第二通路，在垂直方向上穿透绝缘层并且连接到第一通路；以及贯穿通路，在垂直方向上完全穿透插入基板、层间绝缘层和绝缘层中的每个，其中第二通路的上表面形成在与贯穿通路的上表面相同的平面上。
[0004]根据本公开的一些实施方式，提供一种半导体封...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种插入结构，包括：插入基板；层间绝缘层，在所述插入基板的上表面上；电容器结构，在所述层间绝缘层内；第一通路，在垂直方向上穿透所述层间绝缘层，所述第一通路连接到所述电容器结构；绝缘层，在所述层间绝缘层上；第二通路，在所述垂直方向上穿透所述绝缘层，所述第二通路连接到所述第一通路；以及贯穿通路，在所述垂直方向上完全穿透所述插入基板、所述层间绝缘层和所述绝缘层中的每个，所述贯穿通路的上表面与所述第二通路的上表面共面。2.根据权利要求1所述的插入结构，其中所述绝缘层沿着所述贯穿通路的侧壁延伸到所述插入基板的下表面。3.根据权利要求1所述的插入结构，还包括：连接图案，与所述电容器结构接触，所述连接图案在所述插入基板的所述上表面和所述电容器结构之间；第三通路，在所述垂直方向上穿透所述层间绝缘层，所述第三通路与所述电容器结构的侧壁相邻并且连接到所述连接图案；以及第四通路，在所述垂直方向上穿透所述绝缘层，所述第四通路连接到所述第三通路。4.根据权利要求3所述的插入结构，其中所述第二通路的所述上表面与所述第四通路的上表面共面。5.根据权利要求1所述的插入结构，还包括：第一布线图案，在所述插入基板的下表面上；以及在所述绝缘层上的再分布层，所述再分布层包括第二布线图案，所述贯穿通路与所述第一布线图案和所述第二布线图案中的每个接触。6.根据权利要求1所述的插入结构，其中所述第一通路的所述上表面在水平方向上的宽度不同于所述第二通路的下表面在所述水平方向上的宽度。7.根据权利要求1所述的插入结构，其中所述第二通路和所述贯穿通路包括相同的材料。8.根据权利要求1所述的插入结构，其中所述第一通路和所述第二通路包括彼此不同的材料。9.根据权利要求1所述的插入结构，还包括在所述层间绝缘层的上表面和所述绝缘层之间的蚀刻停止层。10.根据权利要求1所述的插入结构，其中所述电容器结构包括：下电极，沿着电容器沟槽的侧壁和底表面，所述电容器沟槽在所述层间绝缘层内；电容器电介质层，在所述电容器沟槽内的所述下电极上；以及上电极，在所述电容器沟槽内的所述电容器电介质层上以及在所述电容器沟槽之上。11.根据权利要求1所述的插入结构，其中所述电容器结构包括：下电极，包括第一部分和从所述第一部分朝向所述层间绝缘层的上表面突出的第二部分；
电容器电介质层，完全围绕所述下电极的所述第二部分的表面；以及上电极，在所述电容器电介质层上。12.一种插入结构，包括：插入基板；第一蚀刻停止层，在所述插入基板的上表面上；第一层间绝缘层，在所述第一蚀刻停止层上；第二蚀刻停止层，在所述第一层间绝缘层上；第二层间绝缘层，在所述第二蚀刻停止层上；电容器结构，在所述第一层间绝缘层和所述第二层间绝缘层内；第三蚀刻停止层，在所述第二层间绝缘层上；第一通路，在垂直方向上穿透所述第二层间绝缘层和所述第二蚀刻停止层中的每个，所述第一通路连接到所述电容器结构；绝缘层，在所述第三蚀刻停止层上；第二通路，在所述垂...
【专利技术属性】
技术研发人员：张宇珹，朴媛智，安正勋，吴在熙，金知炯，丁少锋，洪锡俊，黄帝官，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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