无源器件以及RDL的成型方法技术

本发明专利技术提供一种无源器件以及RDL的成型方法。无源器件包括：基板；重布线层，所述重布线层设置于所述基板的第一预设区域；标记金属图形，所述标记金属图形设置于所述基板的第二预设区域，其中，所述标记金属图形的厚度小于所述重布线层的厚度，所述第二预设区域与所述第一预设区域位于所述基板的同侧，且所述第二预设区域位于所述第一预设区域的外侧。标记金属图形直接形成于基板上，标记金属图形会造成后续增加在其上的结构层上出现凸起，即使标记金属图形被覆盖，标记金属图形的标记效果依然存在，可以继续以凸起为参照，形成RDL图形。标记金属图形的厚度小于重布线层的厚度，避免了在对位过程中厚Mark图形导致的对位偏差，有利于提高对位精度。提高对位精度。提高对位精度。

【技术实现步骤摘要】
无源器件以及RDL的成型方法


[0001]本专利技术涉及半导体器件制造
，尤其涉及一种无源器件以及RDL的成型方法。

技术介绍

[0002]在射频前端的IPD(Integrated Passive Device，集成无源器件)器件中，器件所需的电容及电感可由金属、介质层形成，例如，在玻璃基底的单面上形成的螺旋电感，但这样的螺旋电感的Q值偏低，一般在20～30之间，当需求高Q值的电感时，可通过TGV(Through Glass Via，玻璃通孔)连接玻璃基底两个表面上的金属层来形成立体电感，从而提升电感的Q值。
[0003]在进行TGV孔内填充Cu金属以及形成RDL(Redistribution Layer，重布线层)的Cu金属图形时，有两种方案。第一种方案是，首先进行TGV孔内填充金属Cu，然后再进行基底两个表面上金属Cu图形制作，因TGV孔内Cu金属与表面的Cu金属为两次制作，因此在两种Cu金属之间的界面处通常会存在孔洞等不良搭接，导致二者之间的电阻增加，最终影响器件性能。为了改善金属Cu间的界面搭接问题，可以采用第二种方案，将TGV孔Cu金属与表面Cu金属同时生长，即TGV孔内Cu金属持续生长，使基底两个表面覆盖一层Cu金属，此时因两种Cu金属为一次电镀生长，所以不存在两层金属Cu的搭接界面，减少了界面的搭接不良的风险，大大提高器件性能。
[0004]但是，在TGV孔内Cu金属与表面Cu金属一次成型的工艺过程中，会面临一个问题，因TGV孔内金属Cu电镀生长完成后，玻璃基底表面被一层金属Cu覆盖，导致在后续形成RDL的金属Cu图形时，在进行曝光的工艺过程中，因没有参考标记，而无法精确对位，存在TGV孔与RDL图形之间偏差较大的问题，导致二者之间可能无法连通。此外，玻璃基底表面金属Cu厚度通常在1um以上，实际刻蚀后形成的对位Mark因厚度偏大，且对位Mark图形边缘无法形成90
°
坡度角，因此实际形成的对位Mark在显微镜中可以观察到存在上下两个边缘，对位Mark边界不容易辨识，在对位过程中，容易导致图形发生偏移，使得对位精度较差。
[0005]因此，需要一种新的RDL的成型方法，以解决上述问题。

技术实现思路

[0006]本专利技术的主要目的是提供一种无源器件以及RDL的成型方法，以在RDL的成型过程中实现更为精准的对位。
[0007]本专利技术提供一种无源器件，包括：基板；重布线层，重布线层设置于基板的第一预设区域；标记金属图形，标记金属图形设置于基板的第二预设区域，其中，标记金属图形的厚度小于重布线层的厚度，第二预设区域与第一预设区域位于基板的同侧，且第二预设区域位于第一预设区域的外侧。
[0008]在一实施例中，基板包括阵列排布的多个通孔，重布线层至少设置于基板的与多个通孔的深度方向垂直的表面。
[0009]在一实施例中，标记金属图形的材料与重布线层的材料的刻蚀选择比大于预设阈值；或，标记金属图形的材料与重布线层的材料相同。
[0010]在一实施例中，标记金属图形的材料为以下其中之一或包含以下至少一种材料的合金：铜、铂、金、银、铬和镍。
[0011]在一实施例中，标记金属图形的厚度与重布线层的厚度之比小于或等于3：10。
[0012]在一实施例中，标记金属图形的厚度不超过300nm。
[0013]本专利技术提供一种RDL的成型方法，包括：提供基板，基板包括阵列排布的多个通孔；至少在基板的与多个通孔的深度方向垂直的表面形成标记金属图形；以标记金属图形为参照，在基板上形成重布线层；其中，标记金属图形的材料与重布线层的材料的刻蚀选择比大于预设阈值。
[0014]在一实施例中，至少在基板的与多个通孔的深度方向垂直的表面形成标记金属图形，包括：至少在基板的与多个通孔的深度方向垂直的表面形成标记金属层；刻蚀标记金属层，将剩余的标记金属层作为标记金属图形。
[0015]在一实施例中，刻蚀标记金属层，将剩余的标记金属层作为标记金属图形，包括：在标记金属层的远离基板的一侧形成第一掩膜层；刻蚀第一掩膜层，形成图形化的第一掩膜层，以图形化的第一掩膜层为掩膜，刻蚀标记金属层，去除图形化的第一掩膜层，将剩余的标记金属层作为标记金属图形。
[0016]在一实施例中，以标记金属图形为参照，在基板上形成重布线层，包括：在标记金属层的远离基板的表面、暴露的基板的与多个通孔的深度方向垂直的表面以及多个通孔的内壁形成重布线金属层；以标记金属图形在重布线金属层上造成的凸起为参照，刻蚀重布线金属层，将剩余的重布线金属层作为重布线层。
[0017]在一实施例中，在标记金属层的远离基板的表面、暴露的基板的与多个通孔的深度方向垂直的表面以及多个通孔的内壁形成重布线金属层，包括：在标记金属层的远离基板的表面、暴露的基板的与多个通孔的深度方向垂直的表面以及多个通孔的内壁形成第一金属种子层；由第一金属种子层外延生长，形成重布线金属层。
[0018]在一实施例中，以标记金属图形在重布线金属层上造成的凸起为参照，刻蚀重布线金属层，将剩余的重布线金属层作为重布线层，包括：在重布线金属层的远离基板的表面形成第二掩膜层；以标记金属图形在第二掩膜层上造成的凸起为参照，刻蚀第二掩膜层，形成图形化的第二掩膜层，以图形化的第二掩膜层为掩膜，刻蚀重布线金属层，去除图形化的第二掩膜层，将剩余的重布线金属层作为重布线层。
[0019]本专利技术提供一种RDL的成型方法，包括：提供基板，基板包括阵列排布的多个通孔；在基板的与多个通孔的深度方向垂直的表面以及多个通孔的内壁形成第二金属种子层；在第二金属种子层的远离基板的与多个通孔的深度方向垂直的表面的一侧形成图形化的第三掩膜层，其中，图形化的第三掩膜层用于定义基板上的重布线层区域、标记金属图形区域以及除了重布线层区域和标记金属图形区域之外的其他区域；以图形化的第三掩膜层为掩膜，在基板上形成重布线层和标记金属图形。
[0020]在一实施例中，在第二金属种子层的远离基板的与多个通孔的深度方向垂直的表面的一侧形成图形化的第三掩膜层，包括：在第二金属种子层的远离基板的与多个通孔的深度方向垂直的表面的一侧形成第三掩膜层；以光刻掩膜版为掩膜，刻蚀第三掩膜层，形成
图形化的第三掩膜层，其中，光刻掩膜版在其用于定义基板上重布线层区域的区域、用于定义基板上除了重布线层区域和标记金属图形区域之外的其他区域的区域以及用于定义基板上标记金属图形区域的区域分别具有第一透光率、第二透光率和第三透光率，第一透光率＞第二透光率＞第三透光率；图形化的第三掩膜层用于定义基板上的重布线层区域、标记金属图形区域以及除了重布线层区域和标记金属图形区域之外的其他区域，包括：图形化的第三掩膜层在其用于定义基板上的重布线层区域的区域、用于定义基板上除了重布线层区域和标记金属图形区域之外的其他区域的区域以及用于定义基板上标记金属图形区域的区域具有三个依次增大的不同厚度。
[0021]在一实施例中，第一透光率为100％，相应的，图形化的第三掩膜层在其用本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种无源器件，其特征在于，包括：基板；重布线层，所述重布线层设置于所述基板的第一预设区域；标记金属图形，所述标记金属图形设置于所述基板的第二预设区域，其中，所述标记金属图形的厚度小于所述重布线层的厚度，所述第二预设区域与所述第一预设区域位于所述基板的同侧，且所述第二预设区域位于所述第一预设区域的外侧。2.根据权利要求1所述的无源器件，其特征在于，所述基板包括阵列排布的多个通孔，所述重布线层至少设置于所述基板的与所述多个通孔的深度方向垂直的表面。3.根据权利要求1所述的无源器件，其特征在于，所述标记金属图形的材料与所述重布线层的材料的刻蚀选择比大于预设阈值；或所述标记金属图形的材料与所述重布线层的材料相同。4.根据权利要求1所述的无源器件，其特征在于，所述标记金属图形的材料为以下其中之一或包含以下至少一种材料的合金：铜、铂、金、银、铬和镍。5.根据权利要求1所述的无源器件，其特征在于，所述标记金属图形的厚度与所述重布线层的厚度之比小于或等于3：10。6.根据权利要求1所述的无源器件，其特征在于，所述标记金属图形的厚度不超过300nm。7.一种RDL的成型方法，其特征在于，包括：提供基板，所述基板包括阵列排布的多个通孔；至少在所述基板的与所述多个通孔的深度方向垂直的表面形成标记金属图形；以所述标记金属图形为参照，在所述基板上形成重布线层；其中，所述标记金属图形的材料与所述重布线层的材料的刻蚀选择比大于预设阈值。8.根据权利要求7所述的RDL的成型方法，其特征在于，至少在所述基板的与所述多个通孔的深度方向垂直的表面形成标记金属图形，包括：至少在所述基板的与所述多个通孔的深度方向垂直的表面形成标记金属层；刻蚀所述标记金属层，将剩余的标记金属层作为标记金属图形。9.根据权利要求8所述的RDL的成型方法，其特征在于，刻蚀所述标记金属层，将剩余的标记金属层作为标记金属图形，包括：在所述标记金属层的远离所述基板的一侧形成第一掩膜层；刻蚀所述第一掩膜层，形成图形化的第一掩膜层，以图形化的第一掩膜层为掩膜，刻蚀所述标记金属层，去除图形化的第一掩膜层，将剩余的标记金属层作为标记金属图形。10.根据权利要求7所述的RDL的成形方法，其特征在于，以所述标记金属图形为参照，在所述基板上形成重布线层，包括：在所述标记金属图形的远离所述基板的表面、暴露的所述基板的与所述多个通孔的深度方向垂直的表面以及所述多个通孔的内壁形成重布线金属层；以所述标记金属图形在所述重布线金属层上造成的凸起为参照，刻蚀所述重布线金属层，将剩余的重布线金属层作为重布线层。11.根据权利要求10所述的RDL的成形方法，其特征在于，在所述标记金属图形的远离所述基板的表面、暴露的所述基板的与所述多个通孔的深度方向垂直的表面以及所述多个
通孔的内壁形成重布线金属层，包括：在所述标记金属图形的远离所述基板的表面、暴露的所述基板的与所述多个通孔的深度方向垂直的表面以及所述多个通孔的内壁形成第一金属种子层；由所述第一金属种子层外延生长，形成重布线金属层。12.根据权利要求10所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：李慧颖，李月，肖月磊，安齐昌，吴艺凡，赵莹莹，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：