射频器件及通信设备制造技术

本申请提供一种射频器件及通信设备。射频器件包括基体和内、外电极，外电极设于基体的外壁且包括输入端外电极、输出端外电极及接地外电极组。内电极包括嵌设于基体内并层叠设置的多个电极层。每相邻的两个电极层之间设绝缘介质。多个电极层中包括至少一个传输电感电容层。传输电感电容层与输入端外电极及输出端外电极电连接。多个电极层中除去传输电感电容层之外的其余电极层均与接地外电极组电连接。多个电极层形成谐振电路。谐振电路用于将从输入端外电极输入的射频信号进行谐振处理，经谐振处理后的射频信号从输出端外电极输出。由于无需在基体内的绝缘介质中进行打孔及在孔内灌注导电银浆，有利于减小射频器件的体积。有利于减小射频器件的体积。有利于减小射频器件的体积。

【技术实现步骤摘要】
射频器件及通信设备


[0001]本申请涉及射频
，特别涉及一种基于LTCC的射频器件及通信设备。

技术介绍

[0002]低温共烧陶瓷(low temperature co
‑
fired ceramic，LTCC)作为一种适用范围很广的高密度封装技术，以其优异的电子、机械、热力特性已成为未来电子元件集成化、模组化的首选方式。LTCC技术为基础设计和生产的射频器件包括巴伦滤波器、滤波器、多工器、双工器、天线、耦合器等等。它除了在成本和集成封装等优势之外，在布线线宽和线间距、低阻抗金属化、设计的多样性及高频性能等方面都具有许多优点。射频器件的内电极包括多个电极层。通常采用垂直互连结构实现层与层之间的导通。然而，垂直互连结构的设置，无疑增大了射频器件的占用空间，不利于射频器件的微型化发展。

技术实现思路

[0003]本申请实施例提供了一种能够减小占用空间的基于LTCC的射频器件及通信设备。
[0004]第一方面，本申请提供了一种射频器件，包括：由绝缘介质制成的基体；外电极，设置于所述基体的外壁上，包括输入端外电极、输出端外电极及接地外电极组，所述接地外电极组包括一个或多个接地外电极；以及内电极。内电极包括嵌设于所述基体内并层叠设置的多个电极层，每相邻的两个所述电极层之间设置所述绝缘介质；所述多个电极层包括至少一个传输电感电容层，所述至少一个传输电感电容层与所述输入端外电极及所述输出端外电极电连接，所述多个电极层中除去所述至少一个传输电感电容层之外的其余电极层均与所述接地外电极组电连接，所述多个电极层形成谐振电路，所述谐振电路用于将从所述输入端外电极输入的射频信号进行谐振处理，经谐振处理后的射频信号从所述输出端外电极输出。
[0005]传统的垂直互连结构，采用打孔及在孔内灌注导电银浆的方式，实现电极层之间的电性导通。然而，垂直互连结构需要达到一定的尺寸，使得射频器件通常要做到较大的尺寸。
[0006]本申请中提供的射频器件，由于内电极中除去传输电感电容层之外的其余电极层均与接地外电极电连接，即多个电极层在基体的外部实现电性导通，如此，无需在基体内的绝缘介质中进行打孔及在孔内灌注导电银浆，有利于减小射频器件的体积，例如，可以将3.2mm*2.5mm的射频器件缩小至2.5mm*2.0mm。由于无需打孔及灌注导电银浆，亦简化了射频器件的制程及制造成本。
[0007]由于射频器件的内部未进行打孔，减少射频器件的电磁辐射与泄漏，有利于提高射频器件的品质因数。
[0008]射频器件广泛应用于5G通信射频TRX链路，终端手机等领域，射频器件的小型化有助于减小电路板的占板面积，实现整机的小型化。
[0009]根据本申请的第一方面，在本申请第一方面的第一种可能的实现方式中，所述谐
振电路包括并联设置的至少两个谐振单元，所述多个层电极层包括至少两个耦合电容层，所述至少两个耦合电容层与所述至少一个传输线电感层电磁耦合形成所述至少两个谐振单元，每个所述耦合电容层包括至少两个叉指部，每相邻的两个所述叉指部间隔设置。
[0010]耦合电容层为叉指结构层。叉指结构层能够在射频器件的通带远端产生传输零点，进而提升射频器件的阻带衰减深度。叉指部还可以提高小电感的布局的灵活性，并提高耦合电容层生产工艺的方便性。
[0011]根据本申请的第一方面或本申请的第一种可能的实现方式，在本申请第一方面的第二种可能的实现方式中，所述多个电极层还包括至少一个Z型折线层，所述至少两个耦合电容层与所述Z型折线层电磁耦合。Z型折线层能够在射频器件的通带的近端产生传输零点，从而对射频器件的近端产生深度抑制。
[0012]根据本申请的第一方面或本申请的第一种至第二种可能的实现方式，在本申请第一方面的第三种可能的实现方式中，所述至少一个传输电感电容层的数量为一个，所述至少一个传输电感电容层包括输入端口与输出端口，所述输入端口与所述输入端外电极电连接，所述输出端口与所述输出端外电极电连接。输入端口与输出端口均设置在同一个传输电感电容层上，简化了射频器件的结构，方便了射频器件的制备。
[0013]根据本申请的第一方面或本申请的第一种至第三种可能的实现方式，在本申请第一方面的第四种可能的实现方式中，所述至少两个耦合电容层包括第一耦合电容层、第二耦合电容层及第三耦合电容层，所述第一耦合电容层、所述第二耦合电容层及所述第三耦合电容层均包括四个叉指部。所述至少一个传输电感电容层、所述至少一个Z型折线层、所述第一耦合电容层、所述第二耦合电容层及所述第三耦合电容层相互之间电磁耦合。
[0014]所述谐振电路包括至少两个并联设置的谐振单元包括第一级谐振单元、第二级谐振单元、第三级谐振单元及第四级谐振单元。所述至少一个传输电感电容层、所述第一耦合电容层、所述第二耦合电容层及所述第三耦合电容层通过电磁耦合形成所述谐振电路中的第一级谐振单元、第二级谐振单元、第三级谐振单元及第四级谐振单元。所述谐振电路还包括串接于所述第一级谐振单元与所述第四级谐振单元之间的跨接电容。所述Z型折线层、所述第一耦合电容层、所述第二耦合电容层及所述第三耦合电容层通过电磁耦合形成串接于所述第一级谐振单元与所述第四级谐振单元之间的跨接电容。
[0015]射频器件通过第一级谐振单元、第二级谐振单元、第三级谐振单元及第四级谐振单元对射频信号进行谐振处理，有效提高了射频信号的质量。
[0016]根据本申请的第一方面或本申请的第一种至第四种可能的实现方式，在本申请第一方面的第五种可能的实现方式中，所述多个电极层还包括交叉耦合层，所述交叉耦合层、所述第一耦合电容层、所述第二耦合电容层及所述第三耦合电容层相互之间电磁耦合。
[0017]所述谐振电路还包括连接于所述第一级谐振单元与所述第二级谐振单元之间的第一电容，连接于所述第二级谐振单元与所述第三级谐振单元之间的第二电容，以及连接于所述第三级谐振单元与所述第四级谐振单元之间的第三电容。所述交叉耦合层、所述第一耦合电容层、所述第二耦合电容层及所述第三耦合电容层电磁耦合形成所述第一电容、所述第二电容及所述第三电容，进而形成射频器件电磁场理论的耦合矩阵，得到所要求的射频器件的电气性能。
[0018]根据本申请的第一方面或本申请的第一种至第五种可能的实现方式，在本申请第
一方面的第六种可能的实现方式中，所述交叉耦合层、所述第一耦合电容层、所述第二耦合电容层、所述至少一个传输电感电容层、所述第三耦合电容层、所述Z型折线层依次排列设置，以获取到电气性能优良的射频器件。
[0019]根据本申请的第一方面或本申请的第一种至第六种可能的实现方式，在本申请第一方面的第七种可能的实现方式中，所述至少一个传输电感电容层包括分离设置的第一传输电感电容层及第二传输电感电容层，所述第一传输电感电容层包括输入端口，所述第二传输电感电容层包括所述输出端口。所述输入端口与所述输入端外电极电连接，所述输出端口与所述输出端外电极电连接。
[0020]第一传输电感电容层及第二传输电感电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种射频器件，包括：由绝缘介质制成的基体；外电极，设置于所述基体的外壁上，包括输入端外电极、输出端外电极及接地外电极组，所述接地外电极组包括一个或多个接地外电极；以及内电极，包括嵌设于所述基体内并层叠设置的多个电极层，每相邻的两个所述电极层之间设置所述绝缘介质；所述多个电极层包括至少一个传输电感电容层，所述至少一个传输电感电容层与所述输入端外电极及所述输出端外电极电连接，所述多个电极层中除去所述至少一个传输电感电容层之外的其余电极层均与所述接地外电极组电连接，所述多个电极层形成谐振电路，所述谐振电路用于将从所述输入端外电极输入的射频信号进行谐振处理，经谐振处理后的射频信号从所述输出端外电极输出。2.根据权利要求1所述的射频器件，其特征在于，所述谐振电路包括并联设置的至少两个谐振单元；所述多个电极层包括至少两个耦合电容层，所述至少两个耦合电容层与所述至少一个传输电感电容层电磁耦合形成所述至少两个谐振单元，每个所述耦合电容层包括至少两个叉指部，每相邻的两个所述叉指部间隔设置。3.根据权利要求2所述的射频器件，其特征在于，所述多个电极层还包括至少一个Z型折线层，所述至少两个耦合电容层与所述至少一个Z型折线层电磁耦合。4.根据权利要求3所述的射频器件，其特征在于，所述至少一个传输电感电容层的数量为一个，所述传输电感电容层包括所述输入端口与所述输出端口，所述输入端口与所述输入端外电极电连接，所述输出端口与所述输出端外电极电连接，所述输入端口为所述谐振电路的输入端口，所述输出端口为所述谐振电路的输出端口。5.根据权利要求4所述的射频器件，其特征在于，所述至少一个Z型折线层的数量为一个，所述至少两个耦合电容层包括第一耦合电容层、第二耦合电容层及第三耦合电容层，所述第一耦合电容层、所述第二耦合电容层及所述第三耦合电容层均包括四个叉指部；所述至少一个传输电感电容层、所述至少一个Z型折线层、所述第一耦合电容层、所述第二耦合电容层及所述第三耦合电容层相互之间电磁耦合。6.根据权利要求5所述的射频器件，其特征在于，所述多个电极层还包括交叉耦合层，所述交叉耦合层、所述第一耦合电容层、所述第二耦合电容层及所述第三耦合电容层相互之间电磁耦合。7.根据权利要求6所述的射频器件，其特征在于，所述交叉耦合层、所述第一耦合电容层、所述第二耦合电容层、所述至少一个传输电感电容层、所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：周彦昭，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：