半导体器件及其制作方法技术

一种半导体器件及其制作方法，半导体器件包括：衬底(10)、第一支撑结构(11)、第一纳米线异质结(12)、源极(13b)、漏极(13c)以及环形栅极(13a)；其中，衬底(10)包括第一区域(10a)，以及分别位于第一区域(10a)两侧的第二区域(10b)与第三区域(10c)；第一支撑结构(11)至少位于第二区域(10b)与第三区域(10c)上；第一纳米线异质结(12)包括对应于第一区域(10a)的第一栅极区段(12a)、对应于第二区域(10b)的第一源极区段(12b)以及对应于第三区域(10c)的第一漏极区段(12c)；第一源极区段(12b)与第一漏极区段(12c)位于第一支撑结构(11)上；源极(13b)位于第一源极区段(12b)，漏极(13c)位于第一漏极区段(12c)，环形栅极(13a)包覆于第一栅极区段(12a)。由于第一纳米线异质结(12)被限域，异质结内的二维电子气或二维空穴气载流子在迁移过程中呈现近似一维的输运方式，可提高载流子迁移率、击穿电压以及降低漏电。击穿电压以及降低漏电。击穿电压以及降低漏电。击穿电压以及降低漏电。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：程凯，
申请(专利权)人：苏州晶湛半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：