一种铜-玻璃等离子体电极结构制造技术

技术编号:37998727 阅读:50 留言:0更新日期:2023-06-30 10:12
本发明专利技术涉及一种铜

【技术实现步骤摘要】
一种铜

玻璃等离子体电极结构


[0001]本专利技术涉及等离子体放电装置领域,尤其涉及一种铜

玻璃等离子体电极结构。

技术介绍

[0002]感性耦合等离子体源(ICP:inductively coupled plasma)在各行各业中得到广泛应用,特别是半导体领域,常使用ICP进行晶圆刻蚀、腔室清洗。半导体制造技术的发展离不开感性耦合等离子体源的身影。
[0003]同时,激发等离子体的腔室和等离子体电极不可避免的会受到等离子体的轰击,产生溅射。目前解决方式通常是使用石英、Al2O3材料制作腔室和电极,虽然这两种材料表面复合系数低,不易产生溅射,但他们的热导率也较低,对电极附近的真空密封圈热移除不够,导致稳定运行时间受限。等离子体电极结构如何能同时满足冷却要求和低溅射要求是一个亟待解决的重要问题。

技术实现思路

[0004]为了解决上述等离子体电极在保证冷却能力的同时又能够有效防止严重溅射的问题,本专利技术提供一种铜

玻璃等离子体电极结构,该结构结合了铜导热系数高本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种铜

玻璃等离子体电极结构,其特征在于,所述电极结构包括:电极板、等离子体腔室、密封圈一、密封圈二、水冷线圈、玻璃和转接头;所述电极板为无氧铜材质,上端面设有三个同心沉槽,所述三个同心沉槽分别为直径依次增大的沉槽一、沉槽二和开口沉槽;其中,所述沉槽一内同心装配所述玻璃;所述沉槽二用于与所述等离子体腔室配合,且沉槽二内部放置所述密封圈二,所述等离子体腔室位于所述密封圈二上;所述开口沉槽内焊接所述水冷线圈,用于为所述电极板提供热移除。2.根据权利要求1所述的一种铜

玻璃等离子体电极结构,其特征在于,所述沉槽一中心开通孔,用于引出等离子体,且所述玻璃的底面与沉槽一上表面贴合。3.根据权利要求2所述的一种铜

玻璃等离子体电极结构,其特征在于,所述玻璃为筒形,上端面设有一圈包边,材质为石英。4.根据权利要求1所述的一种铜

玻璃等离子体电极结构,其特征在于,所述等离子腔室为圆柱筒形结构,材质为石英玻璃或者Al2O3;其底端面与密封圈二接触处设有通过圆弧过渡向外延伸的台阶部分。5.根据权利要求1所述的一种铜

玻璃等离子体电极结构,其特征在于,所述水冷线圈采用紫铜或无氧铜或SUS...

【专利技术属性】
技术研发人员:钱玉忠吴亮亮梁立振陶鑫许吉禅胡纯栋
申请(专利权)人:合肥综合性国家科学中心能源研究院安徽省能源实验室
类型:发明
国别省市:

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