等离子炬阴极组件及等离子炬制造技术

本实用新型专利技术的实施例提供了一种等离子炬阴极组件及等离子炬，涉及等离子炬领域。该等离子炬阴极组件包括等离子炬阴极和旋流进气环，旋流进气环套设在等离子炬阴极外侧，旋流进气环设有旋流通孔，旋流通孔用于使进入旋流进气环内的惰性气体形成旋流气体，并将旋流气体通入等离子炬阳极的电弧通道，由于通过旋流进气环可以将旋流气体通入到等离子炬阳极的电弧通道，即，惰性气体呈螺旋状通过等离子炬阳极的电弧通道，相比惰性气体直接通入等离子炬阳极的电弧通道中，惰性气体的流动路径更长，避免等离子炬的阳极火炬头的腐蚀，且提高等离子炬的电弧长度的稳定性，提高了废气处理效果。效果。效果。

【技术实现步骤摘要】
等离子炬阴极组件及等离子炬


[0001]本技术涉及等离子炬领域，具体而言，涉及一种等离子炬阴极组件及等离子炬。

技术介绍

[0002]在半导体生产过程中，会产生有毒有害的半导体废气，且半导体废气会对人体以及环境造成严重威胁，因而需要通过半导体废气处理设备处理半导体废气，半导体废气处理设备的处理废气的方式主要分为吸附式、电加热式和燃烧式，但均具有一定的缺点。
[0003]因此，在半导体废气处理领域仍需不断研究，寻找解决半导体废气处理的新途径，使得处理废气范围广，废气处理效率高，更加安全可靠。其中，等离子炬加热采用惰性气体等离子放电，中心温度可达10000K，废气处理效率高。
[0004]但在现有技术中，等离子炬在充入惰性气体的情况下，进行放电的过程中，由于惰性气体直接通入等离子炬阳极的电弧通道中，导致等离子炬的阳极火炬头喷出的高温等离子流距离阳极火炬头太近，高温废气容易聚集在阳极火炬头附近，对阳极火炬头造成腐蚀，且等离子炬电弧的长度不稳定，引起电压变化，进而影响废气处理效果。

技术实现思路

[0005]本技术提供了一种本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种等离子炬阴极组件，其特征在于，包括：等离子炬阴极(100)；以及旋流进气环(200)，所述旋流进气环(200)套设在所述等离子炬阴极(100)外侧，所述旋流进气环(200)设有旋流通孔(201)，所述旋流通孔(201)用于使进入所述旋流进气环(200)内的惰性气体形成旋流气体，并将所述旋流气体通入等离子炬阳极(2000)的电弧通道(2101)。2.根据权利要求1所述的等离子炬阴极组件，其特征在于，所述旋流通孔(201)的数目为多个，多个所述旋流通孔(201)沿所述旋流进气环(200)的轴心线均匀分布。3.根据权利要求1所述的等离子炬阴极组件，其特征在于，所述等离子炬阴极组件还包括外进气环(300)，所述外进气环(300)设有进气孔(302)，所述外进气环(300)套设在所述旋流进气环(200)的外侧，所述外进气环(300)的内壁和所述旋流进气环(200)的外壁之间限定出环形气流腔室(301)；其中，所述进气孔(302)、所述环形气流腔室(301)以及所述旋流通孔(201)依次连通。4.根据权利要求3所述的等离子炬阴极组件，其特征在于，所述外进气环(300)的轴心线和所述旋流进气环(200)的轴心线共轴。5.根据权利要求1所述的等离子炬阴极组件，其特征在于，所述等离子炬阴极(100)包括阴极导电环(120)以及阴极头(110)，所述阴极头(110)和所述阴极导电环(120)可拆卸连接，所述旋流进气环(200)套设在所述阴极头(110)的外侧，所述阴极头(110)...

【专利技术属性】
技术研发人员：张伟明，孙伟男，
申请(专利权)人：上海盛剑半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：