【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于紧凑型中子发生器，特别是涉及一种处于负高压电位钛自成靶的冷却与绝缘装置。
技术介绍
1、中子技术在各行各业中得到广泛的应用，特别是在医疗领域，常使用中子技术治疗肿瘤，中子治疗系统、硼中子俘获治疗、快中子辐射治疗。中子治疗的应用代表治疗肿瘤的最高技术之一，为肿瘤的治疗提供了希望。小型中子发生器具有安全性高、体积小、运行费用少等优点，在石油测井、爆炸物及毒品检测、中子照相等领域具有广泛的应用价值。
2、在紧凑型氘-氘中子发生器中，氘靶是其中的核心部件之一，靶的性能直接决定了中子发生器的中子产额和寿命。在氘靶的使用过程中，由于受离子束的轰击，氘靶温度将升高，在高功率密度的轰击下,势必引起氘靶片局部温度上升和靶片材料的熔化；另一方面，当使用钛衬底的氘钛靶时温度超过200℃，会导致钛衬底中沉积的氘粒子脱附，影响氘氘反应的中子产额及系统稳定性。因此,必须采取一定的技术手段将靶片表面的热量移除,实现靶片的有效冷却。
3、此外，在氘-氘中子发生器中靶端加载负高压，利用离子源和靶之间的间隙对离子束进行加速。因此需要维...
【技术保护点】
1.一种处于负高压电位钛自成靶的冷却与绝缘装置，其特征在于：包括
2.根据权利要求1所述的一种处于负高压电位钛自成靶的冷却与绝缘装置，其特征在于，位于靶位置的所述固态钛膜(7)的表面均布设置有第一凹槽槽道(701)；位于靶位置的所述钛膜载体(6)的表面均布设置有第二凹槽槽道(601)。
3.根据权利要求2所述的一种处于负高压电位钛自成靶的冷却与绝缘装置，其特征在于，位于靶位置的所述钛膜载体(6)的表面还设置有一挡水环(602)，均布设置的所述第二凹槽槽道(601)位于所述挡水环(602)所在的区域。
4.根据权利要求2或3所述的一种...
【技术特征摘要】
1.一种处于负高压电位钛自成靶的冷却与绝缘装置，其特征在于：包括
2.根据权利要求1所述的一种处于负高压电位钛自成靶的冷却与绝缘装置，其特征在于，位于靶位置的所述固态钛膜(7)的表面均布设置有第一凹槽槽道(701)；位于靶位置的所述钛膜载体(6)的表面均布设置有第二凹槽槽道(601)。
3.根据权利要求2所述的一种处于负高压电位钛自成靶的冷却与绝缘装置，其特征在于，位于靶位置的所述钛膜载体(6)的表面还设置有一挡水环(602)，均布设置的所述第二凹槽槽道(601)位于所述挡水环(602)所在的区域。
4.根据权利要求2或3所述的一种处于负高压电位钛自成靶的冷却与绝缘装置，其特征在于，所述第二凹槽槽道(601)的横截面结构为半圆形凹槽。
5.根据权利要求3所述的一种处于负高压电位钛自成靶的冷却与绝缘装置，其特征在于，所述基座(4)的一端面还设置有用于嵌入钛膜载体(6)的第二凹槽；所述钛膜载体(6)的挡水环(602)嵌入到第二凹槽内。
【专利技术属性】
技术研发人员：钱玉忠，朱振清，梁立振，李猛猛，吴亮亮，陶鑫，徐伟，王纪超，胡纯栋，
申请(专利权)人：合肥综合性国家科学中心能源研究院安徽省能源实验室，
类型：发明
国别省市：
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