【技术实现步骤摘要】
一种高分辨耐溶剂疏液光刻材料和制备方法及其在薄膜晶体管的应用
[0001]本专利技术属于高分子光刻材料及半导体器件领域,具体涉及一种高分辨耐溶剂疏液光刻材料和制备方法及其在薄膜晶体管的应用。
技术介绍
[0002]近些年,基于晶体管的柔性可穿戴电子和柔性显示设备越来越受到人们的关注,基于有机晶体管的可穿戴传感器和柔性显示设备已被众多电子公司大力发展。这使得柔性电子器件的研究越来越受到研究学者们的关注,其中有机场效应晶体管(OFET)的研究已然掀起了势不可挡的浪潮。在OFET中,高质量的有机半导体层(OSCC)是OFET获得高器件性能的关键。在传感器阵列、大屏幕显示、集成电路等应用中都需要OSCC在特定的图形化结构中的精确定位,以构建图形化微电子器件。因为OSCC的图案化不仅可以减少相邻器件之间的漏电流和串扰,而且可以方便地与其他器件及其互连电路集成,同时OSCC的图案化还能确保OSCC在整个阵列上的有序排列和高结晶度。
[0003]然而,OSCC存在难以生产大面积有机单晶薄膜,易碎,暴露在有机溶剂、高温或强紫外光下不 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种高分辨耐溶剂疏液光刻材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)将含氟丙烯酸酯和双丙烯酸酯溶于溶剂中,再向其中加入热引发剂,混合均匀后加热,得到预聚液;(2)将所述预聚液冷却,然后向其中加入交联剂和光引发剂,得到混合溶液;(3)将所述混合溶液涂覆在基板上,用紫外光照射进行光交联固化,得到高分辨耐溶剂疏液光刻材料。2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述含氟丙烯酸酯的结构式如式I所示,所述双丙烯酸酯的结构式如式II所示:其中,R1、R3、R5均为—H或者—CH3;R2为—CF3、—C
n
F
2n+1
、—C6F5中的任意一种,其中n为2~8的整数;R4为其中x为2~8的整数。3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)中所述含氟丙烯酸酯和双丙烯酸酯的质量比为4:6~6:4。4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,步骤(2)中所述交联剂为异氰尿酸三烯丙酯,所述交联剂与双丙烯酸酯的物质的量之比为1:2~...
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