一种Al-AlN复合封装基板及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种Al

【技术实现步骤摘要】
一种Al
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AlN复合封装基板及其制备方法


[0001]本专利技术涉及电子封装材料制备领域，具体涉及一种Al
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AlN复合封装基板及制备方法。

技术介绍

[0002]LED光源具有体积小、耗电量低、使用寿命长、响应速度快、成本低、绿色环保等优点，是目前应用最为广泛的光源之一。然而，由于单芯片封装的LED照明功率有限，无法满足人们逐渐提高的照明和显示要求。因此，将多个芯片串并联一起封装为器件，成为LED发展的一种趋势。但由于单颗芯片只能将近20％的电能转化为光能，而近80％的电能转化为热量，从而造成多芯片封装器件产热量大，使得热量逐渐集中在尺寸很小的芯片内并无法散失，导致降低电子器件性能，加快器件老化。因此，解决大功率LED散热问题成为当前行业内的迫切需要。
[0003]采用合适的散热材料是解决大功率LED散热问题的重要途径。氮化铝基板具有高热导率、热膨胀系数小、高硬度以及良好的电绝缘性等优点，在大功率LED封装领域具有重要的应用价值。然而AlN材料成本高，加工难度大，限制了其大规模应用。金属铝也是LE本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种Al
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AlN复合封装基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)材料的准备及表面预处理：用线切割设备将7005铝合金板材切割成圆块，用金相抛光机将其表面进行磨抛预处理，并在无水乙醇中超声波清洗3
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5min，吹干后得到表面预处理后的圆块基材；(2)制备中间高钨合金纳米过渡层：将特定成分的混合粉末与圆块基体按一定质量比装入球磨机的振动室中，进行1
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3h的表面机械纳米合金化处理，得到带有高钨合金纳米层的样品；(3)制备表面AlN层：将带有高钨合金纳米层的样品进行超声清洗吹干，随后与一定质量比的氮化铝粉末一同装入球磨罐，进行1
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3h的表面机械纳米合金化处理。2.根据权利要求1所述的一种Al
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AlN复合封装基板的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)中，材料表面预处理的具体步骤如下，用线切割将7005铝合金加工成Ф25mm
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3mm的圆块，用320目、800目、1500目和2000目砂纸依次进行磨制，并将其四周磨抛成圆角，随后用粒度2.5μm金刚石研磨膏在磨抛机上将其表面抛光至镜面，并在无水乙醇中利用超声波清洗3
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5min，吹干后得到表面预处理后的圆块基材。3.根据权利要求1所述的一种Al
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AlN复合封装基板的制备方法，其特征在于：所述步骤(2)中，制备中间高钨合金纳米过渡层的混合粉末成分为W和Cu、Cr、Al、Ni以及Ti元素中的一种，其中W的质量占比为60％
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90％、其他合金元素的质量占比为10％
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40％。4.根据权利要求3所述的一种Al
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AlN复合封装基板的制备方法，其特征在于：所述步骤(2)中，制备中间纳米过渡层所用的W粉粒径选...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜晓东，李志，胡文儒，孙建，田云飞，
申请(专利权)人：合肥工业大学，
类型：发明
国别省市：