一种用于负压隔离的全氮化镓集成负压生成电路制造技术

本发明专利技术属于半导体功率集成技术领域，特别涉及一种用于负压隔离的全氮化镓集成负压生成电路。本发明专利技术包括直流分压电路，脉冲信号产生电路，第一、第二电容充放电电路。直流分压电路用于将直流电压源根据负压隔离需要生成宽电源输入兼容的电压；脉冲信号产生电路用于产生与高压氮化镓器件开关同步的负压电路开关控制信号；第一、第二电容充放电电路用于在控制信号的作用下生成稳定的负向电压。本发明专利技术的用于负向隔离的全氮化镓集成负压生成电路能实现负向电压与高压氮化镓功率器件高频开关时的同步跟随，且能根据不同隔离场景在不同的直流电源下灵活生成所需要的稳定负向电压，并完全兼容P

【技术实现步骤摘要】
一种用于负压隔离的全氮化镓集成负压生成电路


[0001]本专利技术属于半导体功率集成
，特别涉及一种用于负压隔离的全氮化镓集成负压生成电路。

技术介绍

[0002]作为第三代宽禁带半导体材料的氮化镓(GaN)，具有3.4eV的禁带宽度、2.0W/(cm
·
K)的热导率、2000cm2/V
·
s的电子迁移率、3.5
×
106V/cm的临界击穿电场，且AlGaN/GaN异质结由于极化效应在结面产生的二维电子气(2DEG)具有极高的电荷密度，因此氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)具有比硅器件在更高频率、更高电压和更高温度下工作的能力，因而可以显著减小电源系统中电容、电感、变压器等无源器件的体积，降低对散热的需求，提升电源系统的功率密度，实现电源设备小型化和低碳化。现在已经广泛应用于开关电源、新能源汽车、光伏逆变器等领域。
[0003]目前GaN HEMT的主流应用方案仍是分立式增强型GaN器件结合Si基驱动器等外围电路部件焊接在印制电路板(PCB)上的分立功率电路。由于器件本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于负压隔离的全氮化镓集成负压生成电路，其特征在于：包括分压电路、脉冲信号产生电路、第一电容充放电电路和第二电容充放电电路；所述分压电路包括第一D
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HEMT管和第一E
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HEMT管；第一D
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HEMT管的漏极接电源，其栅极和漏极短接，其漏极接第一E
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HEMT管的栅极和漏极，第一E
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HEMT管的源极接地，第一E
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HEMT管的漏极为分压电路的输出端；所述脉冲信号产生电路包括第二D
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HEMT管和第二E
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HEMT管；第二D
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HEMT管的漏极接分压电路的输出端，第二D
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HEMT管的栅极和源极短接后接第二E
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HEMT管的漏极，第二E
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HEMT管的栅极为负压生成电路的信号输入端，第二E
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HEMT管的源极接地，第二E
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HEMT管的漏极为脉冲信号产生电路的输出端；所述第一电容充放电电路包括第一二极管D1和第一电容C1；第一二极管D1的阳极通过第一电容C1后接脉冲信号产生电路的输出端，第一二极管D1的阴极接地；所述第二电容充放电电路包括第二二极管D2和第二电容C2；第二二极管D2的阴极接第一二极管D1的阳极，第二二极管D2的阳极接第二电容C2的一端，第二电容C2的另一端接地；第二电容C2的一端为负压生成电路的输出端；所述的脉冲信号生成电路用于与高压GaN功率器件的开关同步产生负向电压生成信号，用于控制第一电容充放电电路和第二电容充放电电路生成稳...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈万军，程峥，罗攀，孙瑞泽，张波，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：