自举电容的补电方法、装置、芯片及电子设备制造方法及图纸

技术编号:37975477 阅读:18 留言:0更新日期:2023-06-30 09:50
本公开的实施例提供一种自举电容的补电方法、装置、芯片及电子设备,属于集成电路技术领域。所述方法包括:获取DCDC芯片的工作状态、自举电容两端的电压状态以及上功率管的脉宽计时时钟;当为最大占空比工作状态、获取到脉宽计时时钟的下降沿、且电压状态为欠压状态时,控制下功率管开启第一设定时间向自举电容充电;当为退出睡眠模式后指定时间段内的工作状态时,控制下功率管开启第二设定时间向自举电容充电;当为非最大占空比的正常工作状态,且电压状态为欠压状态时,以刷新时钟控制下功率管开启向自举电容充电,其中,第一设定时间小于自举电容的充满电标准时间,第二设定时间大于充满电标准时间,刷新时钟的脉宽大于或等于充满电标准时间。于充满电标准时间。于充满电标准时间。

【技术实现步骤摘要】
自举电容的补电方法、装置、芯片及电子设备


[0001]本公开的实施例涉及集成电路
,具体地涉及一种适用于COT(Constant On Time,恒定导通时间)架构下的小容值的自举电容的补电方法、装置、芯片及电子设备。

技术介绍

[0002]目前,广泛使用的DCDC变换器需要在引脚BOOT与引脚SW之间耦接一个自举电容,为上功率管的开启提供能量,一般该自举电容的容值为100nF~470nF。但是,当该自举电容的容值变为小容值时,其上功率管开启时提供的能量不足,使得系统将无法正常开启上功率管。
[0003]另外,为了提高效率,小负载时会让系统进入睡眠(sleep)模式,此时上功率管、下功率管以及内部其他模块均被关闭,无法为自举电容补电。而当系统退出睡眠模式时,自举电容不能提供足够的能量用于开启上功率管,输出电压就会降低从而无法稳定地为下一级系统供电。
[0004]再有,当系统工作在最大占空比时,因为每次上功率管开启时间很长,下功率管开启时间很短,自举电容上存储的电能处于供不应求的状态。当上功率管的开启次数多了以后,就无法满足本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种自举电容的补电方法,其特征在于,包括:获取DCDC芯片的工作状态、所述DCDC芯片上的自举电容两端的电压状态以及所述DCDC芯片上的上功率管的脉宽计时时钟;当所述工作状态为第一工作状态、获取到所述脉宽计时时钟的下降沿、且所述电压状态为欠压状态时,控制所述DCDC芯片上的下功率管开启第一设定时间以向所述自举电容充电;当所述工作状态为第二工作状态时,控制所述下功率管开启第二设定时间以向所述自举电容充电;当所述工作状态为第三工作状态,且所述电压状态为欠压状态时,以刷新时钟控制下功率管开启以向所述自举电容充电,其中,所述第一工作状态为最大占空比工作状态,所述第二工作状态为退出睡眠模式后指定时间段内的工作状态,所述第三工作状态为非最大占空比的正常工作状态,所述第一设定时间小于所述自举电容的充满电标准时间,所述第二设定时间大于所述充满电标准时间,所述刷新时钟的脉宽大于或等于所述充满电标准时间。2.根据权利要求1所述的自举电容的补电方法,其特征在于,所述电压状态包括欠压状态和非欠压状态,当所述自举电容两端的电压差小于第一设定电压值时,所述电压状态为欠压状态;当所述自举电容两端的电压差大于第二设定电压值时,所述电压状态为非欠压状态,其中,所述第一设定电压值与所述DCDC芯片上的上功率管驱动的工作极限电压值相关。3.根据权利要求2所述的自举电容的补电方法,其特征在于,所述方法还包括:当所述工作状态为第三工作状态,且所述电压状态为非欠压状态时,按照所述DCDC芯片的内部控制逻辑控制所述上功率管与所述下功率管交替开启。4.根据权利要求1所述的自举电容的补电方法,其特征在于,所述自举电容的充满电标准时间可通过下述方式获得:根据得到所述自举电容的充满电标准时间,其中,t
st
为所述充满电标准时间,C
Boot
为所述自举电容的...

【专利技术属性】
技术研发人员:李高龙仁伟王宇
申请(专利权)人:圣邦微电子北京股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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