【技术实现步骤摘要】
硅棒的开方方法
[0001]本专利技术涉及光伏硅片生产
,具体而言,涉及硅棒的开方方法。
技术介绍
[0002]光伏,能够利用光伏半导体材料的光生伏打效应而将太阳能转化为直流电能;用来发电的半导体材料主要有:单晶硅、多晶硅、非晶硅及碲化镉等。其中,高纯单晶硅材料提纯过程中能耗较高,技术难度也大,为了降低成本,硅材料在生产过程中最大限度的利用和可再生回收是其中的关键。
[0003]由于太阳能光伏板的发电量和接收光源面积直接相关,故相应的硅棒和硅片发展方向逐渐走向大直径和大尺寸。硅棒拉制生长的特殊方式,从单晶炉生长出来的硅棒的端面都是圆形的,而太阳能行业需要的大尺寸硅片通常都是方形;因此,硅片生产的第一步需要把圆形的硅棒四面剖除留下一个大尺寸的方形硅棒。
[0004]但是,相关技术提供的硅棒的开方方法的开方收率较低,大部分的硅棒无法使用而需要回炉重铸。
技术实现思路
[0005]本专利技术的目的在于提供硅棒的开方方法,该方法能够提高开方的硅棒的收率,提高硅材料的利用率,降低需要回炉重铸的硅棒 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种硅棒的开方方法,其特征在于,包括:确定方棒的对称轴线的位置,其中,所述方棒的对称轴线与待切割的硅棒的对称轴线沿所述待切割的硅棒的直径延伸方向间隔预设距离;确定初始切割位置,所述初始切割位置相对于所述待切割的硅棒的生长棱线绕所述待切割的硅棒的圆心偏转预设角度;从所述初始切割位置处进行第一切割,所述第一切割的切割线与所述方棒的对称轴线垂直或平行;从所述初始切割位置处进行第二切割,所述第二切割的切割线与所述第一切割的切割线垂直;以及依据切割尺寸确定切割位置并进行第三切割和第四切割,以得到所述方棒和两个残留硅棒,其中一个所述残留硅棒从所述第三切割的切割线处与所述方棒分离,其中另一个所述残留硅棒从所述第四切割的切割线处与所述方棒分离;所述第三切割的切割线和所述第四切割的切割线两者中的一者与所述第一切割的切割线垂直、并与所述第二切割的切割线平行,两者中的另一者与所述第一切割的切割线平行、并与所述第二切割的切割线垂直;在两个所述残留硅棒上分别切割出端面呈矩形的硅棒。2.根据权利要求1所述的硅棒的开方方法,其特征在于,所述预设距离为3mm
‑
7mm。3.根据权利要求1所述的硅棒的开方方法,其特征在于,所述预设角度为1.5
°‑
2.5
°
。4.根据权利要求1所述的硅棒的开方方法,其特征在于,所述第一切割时的切割速度为320
‑
400mm/min。5.根据权利要求1所述的硅棒的开方方法,其特征在于,所述第二切割时的切割速度为320
‑
400mm/min。6.根据权利要求1所述的硅棒的开方方法,其特征在于,所述第三切割包括连续进行的三段切割步骤,所述三段切割步骤的切割速度依次为280
‑
320 mm/mi...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈伟,彭云祥,李林东,吴超慧,陈志军,张鹏,伍金军,邢立勋,许堃,
申请(专利权)人:苏州晨晖智能设备有限公司,
类型:发明
国别省市:
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