一种降低碳化硅多线切割头尾部晶片翘曲度的方法及晶片技术

本发明专利技术提供了一种降低碳化硅多线切割头尾部晶片翘曲度的方法及晶片，所述方法包括以下步骤：(1)采用固定板将待切割碳化硅晶体的头尾部进行固定夹持；(2)将切割线均匀绕置于多线切割机上，并在绕线过程中进行跳线操作，以避开固定板的位置；(3)启动切割程序对碳化硅晶体进行多线切割，得到碳化硅晶片。本发明专利技术提供的方法有效地降低了头尾部晶片的翘曲度，提高了晶片切割质量，便于后续加工的顺利进行，有利于大规模推广应用。有利于大规模推广应用。

【技术实现步骤摘要】
一种降低碳化硅多线切割头尾部晶片翘曲度的方法及晶片


[0001]本专利技术属于晶体切割
，涉及一种降低多线切割头尾部晶片翘曲度的方法，尤其涉及一种降低碳化硅多线切割头尾部晶片翘曲度的方法及晶片。

技术介绍

[0002]在硬度排序上，碳化硅作为仅次于金刚石的硬脆材料，其加工难度很高。碳化硅的加工流程主要包括平磨滚圆、切割、研磨、抛光及清洗等步骤。其中，切割作为晶片成型的第一个工序，切割后的平整度，尤其是翘曲度，直接影响到最终抛光后晶片的质量。
[0003]目前，碳化硅一般采用多线切割的方式，切割工具包括金刚线和砂浆两种，区别在于：前者是在切割线上镀上金刚石作为切割工具，而后者是将金刚石混合在切割液里，切割线带着切割液作为切割工具。上述两种切割方式都存在晶体头尾两端翘曲度较大的问题，这是因为在正常切割过程中，随着切割的工艺进程，在晶片逐步成型的时候，由于切成片的一端没有支撑，且另一端被固定住，越是靠近头尾端的晶片，其越会受到较大的弯曲力影响，最终导致切片完成后头尾部晶片的翘曲度一般都较大，无法实现正常加工，只能做报废处理。
[本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种降低碳化硅多线切割头尾部晶片翘曲度的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：(1)采用固定板将待切割碳化硅晶体的头尾部进行固定夹持；(2)将切割线均匀绕置于多线切割机上，并在绕线过程中进行跳线操作，以避开固定板的位置；(3)启动切割程序对碳化硅晶体进行多线切割，得到碳化硅晶片。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(1)所述固定板的正投影面积S1≥碳化硅晶体的正投影面积S2，且所述固定板完全覆盖碳化硅晶体的头尾部。3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，步骤(1)所述固定板的材质包括玻璃；优选地，步骤(1)所述碳化硅晶体呈圆饼状。4.根据权利要求1
‑
3任一项所述的方法，其特征在于，步骤(1)所述固定板的厚度为4
‑
6mm；优选地，步骤(1)所述碳化硅晶体的头尾部距离为3
‑
200mm。5.根据权利要求1
‑
4任一项所述的方法，其特征在于，步骤(2)所述切割线包括钢线和/或金刚线；优选地，步骤(2)所述切割线的直径为0.1
‑
0.2mm。6.根据权利要求1
‑
5任一项所述的方法，其特征在于，步骤(2)所述切割线的绕置间距根据切割所得碳化硅晶片的厚度进行调整；优选地，步骤(2)所述切割线的跳线间距根据固定板的厚度进行调整。7.根据权利要求1
‑
6任一项所述的方法，其特征在于，步骤(3)所述多线切割的方式包括砂浆多线切割或金刚线多线切割；优选地，所述砂浆多线切割采用的砂浆包括金刚石微粉和切削油，且所述砂浆的液固比为40
‑
250g/L；优选地，所述金刚石微粉的平...

【专利技术属性】
技术研发人员：詹琳，刘欣宇，
申请(专利权)人：江苏超芯星半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：