一种基于铌酸锂薄膜的集成光频梳芯片结构及制备方法技术

技术编号:37988894 阅读:19 留言:0更新日期:2023-06-30 10:03
一种基于铌酸锂薄膜的集成光频梳芯片结构及制备方法,涉及集成光学和微波光子领域。本发明专利技术结构自下而上由LN衬底、SiO2缓冲层和铌酸锂薄膜波导层三部分组成,其中波导层包括输入输出波导、马赫

【技术实现步骤摘要】
一种基于铌酸锂薄膜的集成光频梳芯片结构及制备方法


[0001]本专利技术属于集成光学和微波光子领域,涉及一种基于铌酸锂薄膜的外调制法光学频率梳产生方法。

技术介绍

[0002]光学频率梳指的是在频谱上由一系列间隔均匀且具有稳定的相干相位关系的频率分量所组成的光谱,其独特的优势,如平坦度高、频率稳定、谱线相关性好等,在微波光子研究领域诸如超快光信号检测和测量以及微波光子信号处理等方向,光频梳均发挥着不可或缺的作用。因此,很有必要设计出一种结构,用以产生高质量的光频梳。
[0003]采用外调制法产生光频梳具有谱线之间相干性较好,在频率域内光谱谱线等间隔排列的优点,是比较容易实现且被广泛使用的光频梳产生方案。常见的基于调制器的光频梳产生方案包括利用单个电光调制器或电光调制器级联实现。本专利技术利用级联强度调制器和相位调制器的方法,通过控制调制器的驱动电压、偏置电压以及调节驱动信号的频率、相位等参数来控制产生的光频梳的梳齿个数、梳齿间隔、平坦度等。
[0004]铌酸锂薄膜因其宽透明窗口、高非线性系数和优异的电光特性,长期以来被认为是集成本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于铌酸锂薄膜的集成光频梳芯片,其特征在于:包括衬底,位于衬底之上的缓冲层,位于缓冲层之上为铌酸锂薄膜,顶层铌酸锂层厚度为400nm,切向为X切,由输入铌酸锂波导、马赫

曾德尔强度调制器、相位调制器和输出铌酸锂波导构成,调制器的波导层均由顶层铌酸锂刻蚀而成,刻蚀时保留50

70μm铌酸锂薄膜以提高折射率差;外部半导体激光器产生激光,所述强度调制器的作用为均分两路光波在不同的波导中传播,当金电极外加直流电压时,波导的折射率改变且两个光波的相位改变。当两个光波通过强度调制器的合束输出部分时,根据相干原理,两个光路之间的光程差是波长的整数倍时,相干信号得到增强,光程差为波长的一半时相干信号就会抵消,调节强度调制器的驱动电压和直流偏置电压来产生频梳光源;所述相位调制器调制了输出光的...

【专利技术属性】
技术研发人员:杨登才王卓杨锋宝剑锋
申请(专利权)人:北京工业大学
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1