一种无偏置调控的薄膜铌酸锂马赫曾德尔电光调制器制造技术

本发明专利技术公开了一种无偏置调控的薄膜铌酸锂马赫曾德尔电光调制器。输入波导区的N条输入波导与N

【技术实现步骤摘要】
一种无偏置调控的薄膜铌酸锂马赫曾德尔电光调制器


[0001]本专利技术涉及了一种平面光波导集成器件，尤其是涉及了一种无偏置调控的薄膜铌酸锂马赫曾德尔电光调制器。

技术介绍

[0002]近年来，随着云计算、物联网、媒体视频、5G、游戏和直播等应用的普及，人们对数据的需求量越来越大，对通信系统在通信容量、单通道比特率以及能耗等方面的要求越来越高，片上光互连已经成为信息技术发展的必然趋势。因此，易集成、低功耗高速电光调制器作为片上光电子集成的关键器件，是人们集中攻关的核心技术之一。通常马赫曾德尔调制器需要施加电压将光电调制区域位于线性工作区内，使得电调制信号所携带的信息调制到光信号中后，信息内容与信息前后之间的关系不发生变化与失真。
[0003]然而，长时间的施加电压会使得工作点漂移，从而导致输出信号稳定性下降，影响整个光通信系统的传输性能。因此，需要对发生漂移的MZI的工作状态进行矫正补偿，但者将增大器件成本和控制复杂度。此外，对于单边带调制器，或者其它任意的嵌套MZI结构，往往需要设置每个MZI的两臂相位差，如果每一个MZI结构的相位几乎本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种无偏置调控的薄膜铌酸锂马赫曾德尔电光调制器，包括输入波导区(1)、N
×
2输入光耦合器(2)、第一干涉臂(3)、第二干涉臂(4)、2
×
M输出光耦合器(5)、输出波导区(6)和调制电极(7)；输入波导区(1)经N
×
2输入光耦合器(2)分别和第一干涉臂(3)、第二干涉臂(4)的一端连接，第一干涉臂(3)、第二干涉臂(4)的另一端经2
×
M输出光耦合器(5)和输出波导区(6)连接，第一干涉臂(3)和第二干涉臂(4)之间以及各自的外侧均设置有调制电极(7)；其特征在于：输入波导区(1)的输入波导数量与N
×
2输入光耦合器(2)的输入端口数量相同，输入波导区(1)的N条输入波导与N
×
2输入光耦合器(2)的N个输入端口分别一一对应连接，N
×
2输入光耦合器(2)的两个输出端口分别经第一干涉臂(3)、第二干涉臂(4)与2
×
M输出光耦合器(5)的两个输入端口相连，输出波导区(6)的输入波导数量与2
×
M输出光耦合器(6)的输入端口数量相同，输出波导区(6)的M条输出波导与2
×
M输出光耦合器(6)的M个输出端口分别一一对应连接；所述的第一干涉臂(3)、第二干涉臂(4)的所有波导均为宽波导。2.根据权利要求1所述的一种无偏置调控的薄膜铌酸锂马赫曾德尔电光调制器，其特征在于：所述的宽波导是指宽度对制备工艺容差不敏感的波导。3.根据权利要求1所述的一种无偏置调控的薄膜铌酸锂马赫曾德尔电光调制器，其特征在于：所述的第一干涉臂(3)包括依次连接的第一连接波导(3a)、第一调制波导(...

【专利技术属性】
技术研发人员：戴道锌，宋立甲，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：