一种基于MZ干涉结构的片上可调光衰减装置和CV-QKD系统制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种基于MZ干涉结构的片上可调光衰减装置和CV

【技术实现步骤摘要】
一种基于MZ干涉结构的片上可调光衰减装置和CV
‑
QKD系统


[0001]本专利技术涉及连续变量量子密钥分发
，具体而言，涉及一种基于MZ干涉结构的片上可调光衰减装置和CV
‑
QKD系统。

技术介绍

[0002]随着量子计算技术的发展，基于计算复杂度的经典密码体系面临重大的安全隐患。量子密钥分发(Quantum Key Distribution，QKD)是一种基于量子物理原理的密钥分发系统，具有无条件安全性，引起了广泛的关注与研究。连续变量量子密钥分发(Continuous Variable Quantum Key Distribution,CV
‑
QKD)技术具有码率高、与经典光纤通信器件及网络融合性好等优点，应用前景广阔。
[0003]现有的CV
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QKD系统通常采用离散光电器件，存在集成度低、体积大、成本高等缺点。为克服以上缺点，可采用集成光学方法提升CV
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QKD的集成度。CV
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QKD系统分为发送端和接收端两部分。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于MZ干涉结构的片上可调光衰减装置，其特征在于，包括：光分束单元、第一干涉臂、第二干涉臂和光合束单元；所述光分束单元分别与第一干涉臂和第二干涉臂相连，所述第一干涉臂设有第一热相移单元，所述第二干涉臂设有第二热相移单元，所述第一热相移单元和第二热相移单元分别与光合束单元相连；所述光分束单元用于将入射光信号分为两束光，并使两束光分别以透射系数η1和η2进入第一干涉臂和第二干涉臂；所述第一热相移单元用于对经过第一干涉臂的光场引入相位变化所述第二热相移单元用于对经过第二干涉臂的光场引入相位变化所述光合束单元用于对经过第一热相移单元和第二热相移单元的光场进行合束，形成输出光场；所述可调光衰减装置用于将入射光信号衰减到微弱量子信号；所述第一干涉臂和第二干涉臂不平衡，通过采用干涉臂不平衡的可调光衰减装置降低可调光衰减装置的光衰减系数对温度波动的敏感度。2.根据权利要求1所述的一种基于MZ干涉结构的片上可调光衰减装置，其特征在于，入射光信号经过所述可调光衰减装置后的输出光场为：其中，输入可调光衰减装置的入射光信号的光场为η3为经过第一热相移单元的光信号的透射系数，η4为经过第二热相移单元的光信号的透射系数。3.根据权利要求2所述的一种基于MZ干涉结构的片上可调光衰减装置，其特征在于，入射光信号经过所述可调光衰减装置后的输出光场的光强可表征为：其中，I
out
为可调光衰减装置输出光强，I
in
为可调光衰减装置输入光强，为第一干涉臂和第二干涉臂的相对相位差。4.根据权利要求3所述的一种基于MZ干涉结构的片上可调光衰减装置，其特征在于，通过改变第一干涉臂和第二干涉臂的相对相位差，实现可调光衰减功能；可调...

【专利技术属性】
技术研发人员：李扬，徐兵杰，张涛，黄伟，马荔，杨杰，樊矾，吴梅，张帅，周创，罗钰杰，胡金龙，张亮亮，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第三十研究所，
类型：发明
国别省市：