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一种基于铌酸锂薄膜的集成光频梳芯片结构及制备方法，涉及集成光学和微波光子领域。本发明结构自下而上由LN衬底、SiO2缓冲层和铌酸锂薄膜波导层三部分组成，其中波导层包括输入输出波导、马赫
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该专利属于北京工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京工业大学授权不得商用。

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