【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】膜形成方法、物品制造方法、供应设备、膜形成装置和基板
[0001]本专利技术涉及膜形成方法、物品制造方法、供应设备、膜形成装置和基板。
技术介绍
[0002]在诸如晶片的基板的表面上形成平坦膜的技术是需要多层布线的半导体制造处理中的重要技术之一。PTL 1提出了在基板上形成平坦化膜的技术，在该基板的表面上配设有多个不均匀形状的处理部分。PTL 2提出了在具有形貌的基板上形成平坦化膜的方法。在PTL 1和PTL 2中的各个的方法中，将抗蚀剂滴在基板上，在空白模板压在抗蚀剂上的状态下将抗蚀剂固化，然后将空白模板与抗蚀剂分离，从而在基板上形成平坦抗蚀膜。此外，PTL 2公开了根据基板的形貌变化，改变要供应到基板上的材料(抗蚀剂)的体积。
[0003]引用列表
[0004]专利文献
[0005]PTL 1：日本特开第2005
‑
532576号公报
[0006]PTL 2：日本特开第2016
‑
219679号公报
技术实现思路
[0007]技术问题
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种在基板上形成膜的膜形成方法，其特征在于，所述基板包括：包含第一凹陷部分和第二凹陷部分的区域，所述第一凹陷部分的宽度大于所述第二凹陷部分的宽度，并且所述膜形成方法包括：第一步骤，将第一材料选择性地供应到所述第一凹陷部分中，并对所述第一材料进行成型；以及第二步骤，将第二材料供应到所述区域上，并对所述第二材料进行成型，使得所述第二凹陷部分被所述第二材料填充，并且在整个所述区域上形成所述第二材料的平坦化膜。2.根据权利要求1所述的膜形成方法，其特征在于，在所述第一步骤中，基于关于所述第一凹陷部分的位置和容量中的至少一者的信息，将所述第一材料选择性地供应到所述第一凹陷部分中。3.根据权利要求2所述的膜形成方法，其特征在于，所述膜形成方法还包括：在所述第一步骤之前的测量步骤，测量所述第一凹陷部分的位置和容量中的至少一者，以获得所述信息。4.根据权利要求1至3中的任一项所述的膜形成方法，其特征在于，所述第一材料是在成型前后体积变化的材料，并且在所述第一步骤中，所述第一材料被供应到所述第一凹陷部分中，使得在成型之后的所述第一材料的体积接近所述第一凹陷部分的容量。5.根据权利要求1至4中的任一项所述的膜形成方法，其特征在于，所述第一材料是在成型前后体积变化的材料，并且在所述第一步骤中，所述第一材料被供应到所述第一凹陷部分中，使得在成型之后的所述第一材料的厚度落在所述第一凹陷部分的深度的
±
20％的范围内。6.根据权利要求1至5中的任一项所述的膜形成方法，其特征在于，所述第一材料是体积在成型之后比成型之前更小的材料，并且在所述第一步骤中，比所述第一凹陷部分的容量大的量的所述第一材料被供应到所述第一凹陷部分中。7.根据权利要求1至6中的任一项所述的膜形成方法，其特征在于，在所述第一步骤中对所述第一材料成型包括对供应到所述第一凹陷部分中的所述第一材料进行固体化。8.根据权利要求1至7中的任一项所述的膜形成方法，其特征在于，在所述第一步骤中，通过等待直到被供应到所述第一凹陷部分中的所述第一材料填充了所述第一凹陷部分，来对所述第一材料进行成型。9.根据权利要求1至8中的任一项所述的膜形成方法，其特征在于，所述第一凹陷部分的容量大于所述第二凹陷部分的容量。10.根据权利要求1至9中的任一项所述的膜形成方法，其特征在于，所述第一凹陷部分和所述第二凹陷部分中的各个包括：具有矩形形状的至少一个边缘。11.根据权利要求1至10中的任一项所述的膜形成方法，其特征在于，在所述第一步骤中，所述第一材料作为液滴被供应到所述第一凹陷部分中，并且所述液体的宽径小于所述第一凹陷部分的宽径和/或所述液体的体积小于所述第一凹陷部分的容量。
12.根据权利要求11所述的膜形成方法，其特征在于，所述液体具有不大于8微米的宽径和/或2pL的体积。13.根据权利要求1至12中的任一项所述的膜形成方法，其特征在于，所述第一凹陷部分具有不小于0.3微米的宽径和/或不小于0.1fL的体积。14.根据权利要求1至13中的任一项所述的膜形成方法，其特征在于，基于在所述第一步骤中成型的所述第一材料的表面形状，决定在下一个第一步骤中应用的所述第一材料的供应量，使得要在下一个第一步骤中成...
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