研磨垫、及研磨加工物的制造方法技术

本发明专利技术涉及具备研磨层和缓冲层的研磨垫，在干燥状态、频率10rad/s、20～100℃的弯曲模式条件下进行的动态粘弹性测定的40℃时的储能模量E

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】研磨垫、及研磨加工物的制造方法


[0001]本专利技术涉及研磨垫、及研磨加工物的制造方法。

技术介绍

[0002]对于透镜、平行平面板、及反射镜这样的光学材料、半导体晶圆、半导体装置、以及硬盘用基板等材料，进行使用了研磨垫的研磨加工。其中，在半导体晶圆上形成有氧化物层及/或金属层等的半导体装置的研磨加工中，特别要求平坦性。
[0003]迄今为止，出于提高被研磨物的研磨表面的平坦性等目的，开发了各种各样的研磨垫。例如，专利文献1中公开了研磨层的储能模量E
’
的30℃时的值与90℃时的值之比为约1～3.6的、用于将半导体装置或其前体的表面平坦化的研磨垫。根据专利文献1，公开了这样的研磨垫具有低弹性回复且同时与大多已知的研磨垫相比呈现显著的非弹性。
[0004]专利文献2中公开了包含具有至少0.1容量％的气孔率、在40℃及1rad/sec(弧度/秒)条件下具有385～750(1/Pa)的能量损失系数KEL并且在40℃及1rad/sec条件下具有100～400(MPa)的弹性模量E
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.研磨垫，其具备研磨层和缓冲层，在干燥状态、频率10rad/s、20～100℃的弯曲模式条件下进行的动态粘弹性测定的40℃时的储能模量E
’
B40
相对在干燥状态、频率10rad/s、20～100℃的压缩模式条件下进行的动态粘弹性测定的40℃时的储能模量E
’
C40
之比E
’
B40
/E
’
C40
为3.0以上15.0以下，在所述弯曲模式条件下进行的动态粘弹性测定中的损耗因子tanδ在40℃以上70℃以下的范围内为0.10以上0.30以下。2.如权利要求1所述的研磨垫，其中，在所述弯曲模式条件下进行的动态粘弹性测定的30℃时的储能模量E
’
B30
相对90℃时的储能模量E
’
B90
之比E<...

【专利技术属性】
技术研发人员：立野哲平，松冈立马，栗原浩，鸣岛早月，高见泽大和，
申请(专利权)人：富士纺控股株式会社，
类型：发明
国别省市：