一种利于散热的抛光垫制造技术

本发明专利技术涉及一种利于散热的抛光垫，抛光垫上设有用于与器件接触的抛光面，抛光面上设有多个透气孔，多个透气孔分布于整个抛光面；抛光面上设有多个第一沟槽和多个第二沟槽，多个第一沟槽沿第一方向依次并列设置，多个第二沟槽沿第二方向依次并列设置，第一方向和第二方向呈夹角设置，第一沟槽和第二沟槽将抛光面分割为多个菱形抛光部。与现有技术相比，本发明专利技术中透气孔可以通过存储抛光液辅助沟槽提高抛光效果，沟槽可以通过促进抛光液循环提高散热效果，因此，抛光面上同时设置透气孔和沟槽，既提高了抛光垫的抛光效果，又提高了抛光垫的散热效果。热效果。热效果。

【技术实现步骤摘要】
一种利于散热的抛光垫


[0001]本专利技术涉及一种抛光设备，尤其是涉及一种利于散热的抛光垫。

技术介绍

[0002]CMP(Chemical Mechanical Polishing)即“化学机械抛光”，是为了克服化学抛光和机械抛光的缺点，将磨粒机械磨削和抛光液化学腐蚀作用组合的抛光技术。化学机械抛光最大的优点就是能使加工表面实现纳米级全局平坦化，满足集成电路特征尺寸在0.35μm以下的超精密无损伤表面加工。半导体器件通常要求达到纳米级的平整度，目前最好的工艺是用抛光液(化学)和抛光垫(机械)结合起来的方式。CMP除应用于集成电路芯片以外，也常出现在半导体的分立器件、电子元器件的加工上，此外也拓展到薄膜存贮磁盘、陶瓷、蓝宝石等表面加工领域。
[0003]抛光垫的表面粗糙，用于直接与半导体器件接触产生摩擦，以机械方式去除半导体表面的抛光层，并在离心力的作用下将抛光液均匀地抛洒到抛光垫的表面，以化学方式去除半导体表面的抛光层，同时将反应产物带出抛光垫。但是在抛光过程中，如果大量摩擦热量堆积在抛光垫与半导体器件之间无法排出，会导致半导体器件本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种利于散热的抛光垫，其特征在于，所述抛光垫(100)上设有用于与器件接触的抛光面，所述抛光面上设有多个透气孔(11)，多个所述透气孔(11)分布于整个所述抛光面；所述抛光面上设有多个第一沟槽(12)和多个第二沟槽(13)，多个所述第一沟槽(12)沿第一方向依次并列设置，多个所述第二沟槽(13)沿第二方向依次并列设置，所述第一方向和所述第二方向呈夹角设置，所述第一沟槽(12)和所述第二沟槽(13)将所述抛光面分割为多个菱形抛光部(14)。2.根据权利要求1所述的一种利于散热的抛光垫，其特征在于，所述抛光垫(100)包括抛光层(10)，所述抛光面设于所述抛光层(10)上，所述透气孔(11)的深度为h1，所述抛光层(10)的厚度为h2，且满足：0.95h2≤h1≤h2。3.根据权利要求2所述的一种利于散热的抛光垫，其特征在于，所述抛光层(10)的厚度满足：1mm≤h2≤4mm。4.根据权利要求2所述的一种利于散热的抛光垫，其特征在于，所述第一沟槽(12)的深度为h3，所述第二沟槽(13)的深度为h4，且满足：0.25h2≤h3≤0.5h2，和/或0.25h2≤h4≤0.5h2。5.根据权利要求1
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4任意一项所述的一种利于散热的抛光垫，其特征在于，所述透气孔(11)包括透气圆孔，所述透气孔(11)的直径为1.5mm～5mm。6.根据权利要求1
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4任意一项所述的一种利于散热的抛光垫，...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨波，张莉娟，
申请(专利权)人：上海芯谦集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：