一种利于散热的抛光垫制造技术

本发明专利技术涉及一种利于散热的抛光垫，抛光垫上设有用于与器件接触的抛光面，抛光面上设有多个透气孔，多个透气孔分布于整个抛光面；抛光面上设有多个第一沟槽和多个第二沟槽，多个第一沟槽沿第一方向依次并列设置，多个第二沟槽沿第二方向依次并列设置，第一方向和第二方向呈夹角设置，第一沟槽和第二沟槽将抛光面分割为多个菱形抛光部。与现有技术相比，本发明专利技术中透气孔可以通过存储抛光液辅助沟槽提高抛光效果，沟槽可以通过促进抛光液循环提高散热效果，因此，抛光面上同时设置透气孔和沟槽，既提高了抛光垫的抛光效果，又提高了抛光垫的散热效果。热效果。热效果。

【技术实现步骤摘要】
一种利于散热的抛光垫


[0001]本专利技术涉及一种抛光设备，尤其是涉及一种利于散热的抛光垫。

技术介绍

[0002]CMP(Chemical Mechanical Polishing)即“化学机械抛光”，是为了克服化学抛光和机械抛光的缺点，将磨粒机械磨削和抛光液化学腐蚀作用组合的抛光技术。化学机械抛光最大的优点就是能使加工表面实现纳米级全局平坦化，满足集成电路特征尺寸在0.35μm以下的超精密无损伤表面加工。半导体器件通常要求达到纳米级的平整度，目前最好的工艺是用抛光液(化学)和抛光垫(机械)结合起来的方式。CMP除应用于集成电路芯片以外，也常出现在半导体的分立器件、电子元器件的加工上，此外也拓展到薄膜存贮磁盘、陶瓷、蓝宝石等表面加工领域。
[0003]抛光垫的表面粗糙，用于直接与半导体器件接触产生摩擦，以机械方式去除半导体表面的抛光层，并在离心力的作用下将抛光液均匀地抛洒到抛光垫的表面，以化学方式去除半导体表面的抛光层，同时将反应产物带出抛光垫。但是在抛光过程中，如果大量摩擦热量堆积在抛光垫与半导体器件之间无法排出，会导致半导体器件表面温度升高，从而影响半导体器件表面平坦度。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的就是为了克服上述现有技术存在的缺陷而提供一种利于散热的抛光垫，用以排出抛光垫与半导体器件之间摩擦热，进而提高抛光效果。
[0005]本专利技术的目的可以通过以下技术方案来实现：
[0006]一种利于散热的抛光垫，所述抛光垫上设有用于与器件接触的抛光面，所述抛光面上设有多个透气孔，多个所述透气孔分布于整个所述抛光面；
[0007]所述抛光面上设有多个第一沟槽和多个第二沟槽，多个所述第一沟槽沿第一方向依次并列设置，多个所述第二沟槽沿第二方向依次并列设置，所述第一方向和所述第二方向呈夹角设置，所述第一沟槽和所述第二沟槽将所述抛光面分割为多个菱形抛光部。
[0008]在其中一个实施例中，所述抛光垫包括抛光层，所述抛光面设于所述抛光层上，所述透气孔的深度为h1，所述抛光层的厚度为h2，且满足：0.95h2≤h1≤h2。
[0009]在其中一个实施例中，所述抛光层的厚度满足：1mm≤h2≤4mm。
[0010]在其中一个实施例中，所述第一沟槽的深度为h3，所述第二沟槽的深度为h4，且满足：0.25h2≤h3≤0.5h2，和/或0.25h2≤h4≤0.5h2。
[0011]在其中一个实施例中，所述透气孔包括透气圆孔，所述透气孔的直径为1.5mm～5mm。
[0012]在其中一个实施例中，多个所述透气孔绕所述抛光垫的圆心呈同心圆分布，同一圆周上的多个所述透气孔的轴线之间的距离为5mm～10mm，相邻两个同心圆之间的距离为5mm～10mm；
[0013]在其中一个实施例中，多个所述透气孔沿第三方向均匀分布形成透气孔列，多个所述透气孔列沿第四方向均匀分布形成透气孔阵列，所述第三方向与所述第四方向呈夹角设置，相邻两个所述透气孔的轴线在所述第三方向上的距离为5mm～10mm，相邻两个所述透气孔的轴线在所述第四方向上的距离为5mm～10mm。
[0014]在其中一个实施例中，所述第一沟槽和所述第二沟槽均为长条形沟槽，所述第一沟槽的宽度为1mm～4mm，所述第二沟槽的宽度为1mm～4mm。
[0015]在其中一个实施例中，所述第一沟槽的宽度等于所述第二沟槽的宽度。
[0016]在其中一个实施例中，相邻两个所述第一沟槽在所述第一方向上的距离为5mm～50mm，相邻两个所述第二沟槽在所述第二方向上的距离为5mm～50mm；
[0017]所述第一方向与所述第二方向垂直，相邻两个所述第一沟槽的距离等于相邻两个所述第二沟槽的距离，所述菱形抛光部为正方形抛光部。
[0018]与现有技术相比，本专利技术具有以下优点：
[0019]1、本专利技术在抛光面上同时设置了透气孔、第一沟槽和第二沟槽，在抛光过程中，抛光垫的菱形抛光部与半导体器件直接接触摩擦，对半导体器件的表面进行抛光打磨，从而使半导体器件的表面实现平坦化。其中透气孔用于促进抛光面与外界进行热量交换，扩散抛光产生的摩擦热，避免抛光面温度持续升高，而第一沟槽和第二沟槽内部可以存储抛光液，并且抛光产生的废渣可以通过第一沟槽和第二沟槽流出器件表面，实现了抛光液的循环更新，通过抛光液的循环更新带走部分摩擦热，进一步降低抛光面的温度，有效避免温度过高影响抛光效果。同时透气孔可以通过存储抛光液辅助沟槽提高抛光效果，沟槽可以通过促进抛光液循环提高散热效果，因此，抛光面上同时设置透气孔和沟槽，既提高了抛光垫的抛光效果，又提高了抛光垫的散热效果。
[0020]2、进一步设置透气孔的深度大于等于抛光层厚度的95％，甚至设置透气孔贯穿抛光层，提高了透气孔的散热效果，使得抛光面可以通过透气孔与外部进行热量交换，进一步提高抛光垫的散热效果。
[0021]3、设置第一沟槽、第二沟槽的深度小于等于抛光垫厚度的50％，避免第一沟槽、第二沟槽的深度过大影响抛光垫的整体强度，提高抛光垫的力学性能，进而保证抛光垫的使用寿命。
[0022]4、呈同心圆分布的多个透气孔使得抛光面上每间隔一定的距离设有与外部换热的散热通道，提高了抛光垫散热效果的均一性。
[0023]5、呈阵列分布的多个透气孔使得抛光面上的散热通道均匀分布，即散热通道在器件表面均匀分布，有利于保证器件表面温度的均一性，从而保证器件抛光效果的均一性。
附图说明
[0024]图1为本专利技术中抛光垫的结构示意图。
[0025]图2为本专利技术中抛光垫的俯视图。
[0026]图3为本专利技术中抛光垫在图2中A
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A处的剖视图。
[0027]图4为本专利技术中抛光垫在图2中B
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B处的剖视图。
[0028]附图说明：100、抛光垫；10、抛光层；11、透气孔；12、第一沟槽；13、第二沟槽；14、菱形抛光部；20、粘接层；30、缓冲层；40、背胶层。
具体实施方式
[0029]为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本专利技术的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术。但是本专利技术能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本专利技术内涵的情况下做类似改进，因此本专利技术不受下面公开的具体实施例的限制。
[0030]下面结合附图对实施例中一种利于散热的抛光垫100进行具体描述。
[0031]如图1至图4所示，在一实施例中，提供了一种抛光垫100，抛光垫100上设有用于与器件接触的抛光面，抛光面上设有多个透气孔11，多个透气孔11分布于整个所述抛光面；
[0032]并且，抛光面上设有多个第一沟槽12和多个第二沟槽13，多个第一沟槽12沿第一方向依次并列设置，多个第二沟槽13沿第二方向依次并列设置，第一方向和第二方向呈夹角设置，第一沟槽12和第二沟槽13将抛光面分割为多个菱形本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种利于散热的抛光垫，其特征在于，所述抛光垫(100)上设有用于与器件接触的抛光面，所述抛光面上设有多个透气孔(11)，多个所述透气孔(11)分布于整个所述抛光面；所述抛光面上设有多个第一沟槽(12)和多个第二沟槽(13)，多个所述第一沟槽(12)沿第一方向依次并列设置，多个所述第二沟槽(13)沿第二方向依次并列设置，所述第一方向和所述第二方向呈夹角设置，所述第一沟槽(12)和所述第二沟槽(13)将所述抛光面分割为多个菱形抛光部(14)。2.根据权利要求1所述的一种利于散热的抛光垫，其特征在于，所述抛光垫(100)包括抛光层(10)，所述抛光面设于所述抛光层(10)上，所述透气孔(11)的深度为h1，所述抛光层(10)的厚度为h2，且满足：0.95h2≤h1≤h2。3.根据权利要求2所述的一种利于散热的抛光垫，其特征在于，所述抛光层(10)的厚度满足：1mm≤h2≤4mm。4.根据权利要求2所述的一种利于散热的抛光垫，其特征在于，所述第一沟槽(12)的深度为h3，所述第二沟槽(13)的深度为h4，且满足：0.25h2≤h3≤0.5h2，和/或0.25h2≤h4≤0.5h2。5.根据权利要求1
‑
4任意一项所述的一种利于散热的抛光垫，其特征在于，所述透气孔(11)包括透气圆孔，所述透气孔(11)的直径为1.5mm～5mm。6.根据权利要求1
‑
4任意一项所述的一种利于散热的抛光垫，...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨波，张莉娟，
申请(专利权)人：上海芯谦集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：