研磨垫制造技术

本发明专利技术提供一种研磨垫，包括：基底层、中间胶层和研磨层，所述研磨层的正面的中心区域设有相交于所述研磨层的中心的多条放射形沟槽；除所述中心区域之外的所述研磨层的正面的剩余区域设有呈同心环分布的多个环形沟槽；所述放射形沟槽延伸至所述环形沟槽上。本申请通过在研磨层正面的中心区域外围设置呈同心环分布的多个环形沟槽，以及在中心区域设置相交于研磨层的中心并且延伸至环形沟槽上的多条放射形沟槽，可以在避免中心区域研磨液的流速慢而造成累积及影响产品质量的情况下，使研磨过程中液体能流进中心区域，实时带走研磨层中心区域的热量，避免了中心区域处的中间胶层的温度升高造成研磨层异常凸起的情况，解决研磨垫中心破洞问题。中心破洞问题。中心破洞问题。

【技术实现步骤摘要】
研磨垫


[0001]本申请涉及化学机械抛光
，具体涉及一种研磨垫。

技术介绍

[0002]目前业界设计为了规避中心区域研磨液的流速慢而造成累积及影响产品质量，主要设计了4种沟槽类型的研磨垫，分别是：同心圆沟槽、同心圆沟槽以及将同心圆等分的放射状沟槽、XY型横平竖直状沟槽和穿孔型沟槽。目前业界一般使用以上的研磨垫沟槽设计方式，但是在实际工艺生产过程中，上述类型沟槽设计的研磨垫容易发生在研磨过程(例如CMP工艺)中破洞事件，导致产品受到影响。
[0003]具体的，在lifetime末期，研磨垫的顶层研磨层磨损变薄，隔热效果降低，造成顶层研磨层的中心区域处的中间胶的温度升高，中间胶的黏性降低(束缚气体及Top pad的能力降低)，中间胶中少量的溶剂(生产工艺造成)汽化形成小气泡，在retain ring及Disk的作用下向顶层研磨层的中心区域处聚集现成大气泡，最终造成顶层研磨层异常凸起，进而出现过磨破洞的情况。此外，中心区域处的中间胶的温度升高，也会出现拖胶现象。

技术实现思路

[0004]本申请提供了一种，可以解决目前的研磨垫在研磨过程中容易破洞、研磨垫出现拖胶现象等问题中的至少一个问题。
[0005]一方面，本申请实施例提供了一种研磨垫，包括：基底层、中间胶层和研磨层，所述中间胶层位于所述基底层上，所述研磨层的背面粘附在所述中间胶层上；
[0006]所述研磨层的正面的中心区域设有相交于所述研磨层的中心的多条放射形沟槽；除所述中心区域之外的所述研磨层的正面的剩余区域设有呈同心环分布的多个环形沟槽；所述放射形沟槽延伸至所述环形沟槽上。
[0007]可选的，在所述研磨垫中，所述研磨垫还包括：隔热板，所述隔热板设置于所述研磨层中并且位于所述放射形沟槽的底部。
[0008]可选的，在所述研磨垫中，所述隔热板的上表面与所述放射形沟槽的底壁之间的距离是所述研磨层的厚度的0.2倍～0.4倍。
[0009]可选的，在所述研磨垫中，所述隔热板的平面面积大于或者等于所述研磨层的中心区域的平面面积。
[0010]可选的，在所述研磨垫中，所述隔热板由耐高温材料制成。
[0011]可选的，在所述研磨垫中，所述放射形沟槽的深度是所述研磨层的厚度的0.3倍～0.5倍。
[0012]可选的，在所述研磨垫中，所述放射形沟槽的深度小于或者等于所述环形沟槽的深度。
[0013]可选的，在所述研磨垫中，所述放射形沟槽的深度沿从所述研磨层的中心往外延伸方向逐渐增加。
[0014]可选的，在所述研磨垫中，所述放射形沟槽与靠近所述研磨层的中心区域的至少两条所述环形沟槽相交。
[0015]可选的，在所述研磨垫中，所述放射形沟槽的宽度为0.5mm～8mm；所述环形沟槽的宽度为0.2mm～2.0mm。
[0016]本申请技术方案，至少包括如下优点：
[0017]本申请通过在研磨层正面的中心区域外围设置呈同心环分布的多个环形沟槽，以及在研磨层正面的中心区域设置相交于所述研磨层的中心并且延伸至所述环形沟槽上的多条放射形沟槽，可以在避免中心区域研磨液的流速慢而造成累积及影响产品质量的情况下，使研磨过程中液体能流进中心区域，实时带走研磨层中心区域的热量，避免了中心区域处的中间胶层的温度升高造成研磨层异常凸起的情况，从而解决研磨过程中研磨垫中心破洞问题。
[0018]进一步的，本申请通过在所述研磨层中设置隔热板，该隔热板位于中心区域，从而进一步抑制了中心区域的高温，防止温度过高带来的拖胶现象，增加了研磨垫的使用寿命。
附图说明
[0019]为了更清楚地说明本申请具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0020]图1是本专利技术实施例的研磨垫的剖视示意图；
[0021]图2是本专利技术实施例的研磨垫的俯视示意图；
[0022]其中，附图标记说明如下：
[0023]10
‑
基底层，20
‑
中间胶层，30
‑
研磨层，31
‑
中心区域，32
‑
放射状沟槽，33
‑
除中心区域之外的研磨层的正面的剩余区域，34
‑
环形沟槽，35
‑
研磨层的中心，40
‑
隔热板。
具体实施方式
[0024]下面将结合附图，对本申请中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在不做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。
[0025]在本申请的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0026]在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电气连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，还可以是两个元件内部的连通，可以是无线连接，也可以是有线连接。对于本领域的普通技术人
员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
[0027]此外，下面所描述的本申请不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
[0028]本申请实施例提供了一种研磨垫，参考图1和图2，图1是本专利技术实施例的研磨垫的剖视示意图，图2是本专利技术实施例的研磨垫的俯视示意图，所述研磨垫包括：基底层10、中间胶层20和研磨层30，所述中间胶层20位于所述基底层10上，所述研磨层30的背面粘附在所述中间胶层20上。
[0029]较佳的，所述研磨层30的正面的中心区域31设有相交于所述研磨层的中心35的多条放射形沟槽32；除所述中心区域之外的所述研磨层的正面的剩余区域33设有呈同心环分布的多个环形沟槽34；所述放射形沟槽32延伸至所述环形沟槽34上。
[0030]在本实施例中，所述中间胶层20为压力敏感型粘接用薄膜材料(Pressure sensitive abrasive，PSA)。
[0031]较佳的，相交于所述研磨层的中心35的多条所述放射形沟槽32均匀地分布在所述研磨层30的正面的中心区域31。
[0032]在本实施例中，如本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种研磨垫，其特征在于，包括：基底层、中间胶层和研磨层，所述中间胶层位于所述基底层上，所述研磨层的背面粘附在所述中间胶层上；所述研磨层的正面的中心区域设有相交于所述研磨层的中心的多条放射形沟槽；除所述中心区域之外的所述研磨层的正面的剩余区域设有呈同心环分布的多个环形沟槽；所述放射形沟槽延伸至所述环形沟槽上。2.根据权利要求1所述的研磨垫，其特征在于，所述研磨垫还包括：隔热板，所述隔热板设置于所述研磨层中并且位于所述放射形沟槽的底部。3.根据权利要求2所述的研磨垫，其特征在于，所述隔热板的上表面与所述放射形沟槽的底壁之间的距离是所述研磨层的厚度的0.2倍～0.4倍。4.根据权利要求2所述的研磨垫，其特征在于，所述隔热板的平面面积大于或者等于所述研磨...

【专利技术属性】
技术研发人员：李松，苏亚青，瞿治军，蔡毅，金新，倪立华，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：